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[参考译文] LM5176:周期跳跃和振铃波形;效率较差并启动至两种模式。

Guru**** 2391005 points
Other Parts Discussed in Thread: LM5176

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1473331/lm5176-cycle-skipping-and-ringing-waveforms-poor-efficiency-and-boots-into-two-modes

器件型号:LM5176

工具与软件:

大家好!

我们 将为路由器主板应用实施 LM5176。

基本规格为:

VIN = 8V-36  

VOUT = 12V

Imax = 6A

我有第一个文章板、还有一个目前正在使用的其他板。 最初、我们遇到了启动问题以及在 Boost 模式下运行时遇到的问题。 Vin 引脚之前没有二极管、因此我通过将偏置反馈的输入设置为接地来禁用了偏置反馈。  这样解决了 BOOT 和低电压问题、并且我们似乎在所有条件下都具有良好的 Vcc。

问题在于、控制器似乎定期发生周期跳跃并且(在一个启动模式中)在各个周期之间明显振铃。 这似乎是一个所有开关都断开的时间段。 我们目前没有仪器来观察电感器电流。 我们可以使用焊接到电流感应电阻器上的 Z0探针(950欧姆与同轴电缆连接到50欧姆终端器、200x 探针)。 低侧电流检测波形看起来正常、但可以在高侧开关关断时观察到明显的振铃。 (这 也可能是接地反弹。)

    e2e.ti.com/.../LM5176-Files.zip

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    Kelly、您好!

    感谢您使用 E2E 论坛。

    实际上、您有两个电路板、它们具有不同的行为-对吧?

    当您执行该测试时、您在输出上具有什么负载?

    现在负载、轻负载和/或全负载情况下看到这一点吗。

    您能否在几个开关周期以及~ 10ms 内探测 VIN、VOUT、SS、COMP。

    我也不确定一开始就遇到的问题、以及为何将偏置到 GND 确实有帮助。

    此致、

     Stefan

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    您好、Stefan、

    我感谢您的帮助。  

    这两个电路板具有相同的初始问题。 这些包括间歇性启动、并且只能在更高的输入电压下进行调节。 两个电路板最初都配置为使用输出电压作为内部 Vcc 稳压器的偏置、但没有与 Vin 输入串联的二极管。 我修改了其中一个电路板、以从 Bias 引脚上移除 Vout、而是将其接地(根据数据表)。 这解决了间歇性启动问题、现在我们可以在整个输入范围内运行(不太好)。

    执行测试时、输出端连接到20 Ω、5W 功率电阻器。  

    我们可以看到整个负载范围(极轻负载、迄今为止已测试0.6A 和4A)上的问题。

    请参阅随附的示波器屏幕截图、了解所请求的信号。 请注意、"BUCKB_12V"与数据表中的 VOUT 是相同的网络。 (请见下方)。

    我关于因偏置时的 Vout 而导致的初始启动问题的假设是、低输入电压足以产生适当的输出电压(12V)、并且电压电平反馈电流通过输入稳压器的体二极管。 进而、这会导致高侧电荷泵无法正常工作。 我也不确定这一点。 稳压器似乎正常运行(例如、请参阅新的示波器屏幕截图)。

    我还在随附的 zip 文件中包含了原理图和布局信息。 不确定您是否能够检索它。

    此致、

    Kelly C.

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    Kelly、您好!

    感谢您提供更多信息。

    首先、它显示控制器运行稳定(COMP 已稳定)并且不会持续重新启动(1.2V 时 SS 稳定)。

    您是对的、偏置可以将电压反馈到 VIN 引脚、因此如果您的 VIN 启动非常慢、并且您没有设置 UVLO 阈值(UVLO 连接到 VIN、只有一个齐纳二极管将电平设置为3.3V)。

    我现在不知道我是否理解了您的问题或您认为不正常的事情。

    因此、如果所有4个开关都打开、则通常是在输出上升至高电平并且控制器检测到输出过压时。
    在这种情况下、它会停止运行、直到再次稳定。
    注意:由于您现在在输入端有一个二极管、因此控制器无法将能量推回输入端来降低输出电压。

    PS:原理图位于 zip 文件中、但未包含布局。

    此致、

     Stefan

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    您好、Stefan、

    是的、确认了我们当前没有使用 UVLO、我们使用的是 LM5176之前的过压芯片的逻辑输出。 3.3齐纳二极管未组装(DNP)。 当前没有欠压检测、这是一个需要解决的问题。 我可以在本地为 LM5176暂时启用该功能、至少直到有更好的修复方法可用为止。  

    关于问题:根据您对过压锁定的说明、此行为会导致 输入和输出电压上的纹波显著增加。 SW1波形与 EVM 图不匹配、后者更像是占空比方波。 (此设计基于 EVM 设计。) 转换器应在 CCM 下运行。 这些 周期跳跃开关波形在较高的负载电流下持续存在、同样在升压模式下、并会影响效率。 那么、如何解决这个问题呢?

    其次、转换器启动进入两种不同的模式:这意味着当断电和再次上电时(即使等待稳定)、SW1在相同的输入条件下都非常不同。 上面的前两张图片中显示了这种情况。 UVLO 或许可以解决这个问题?

    很抱歉不清楚。 示波器屏幕截图基于标记和上传的原理图。 Vin 路径中目前没有二极管。 相反、Bias 引脚已接地。 因此、现在(据我所知)没有反向电流通过内部稳压器体二极管路径。 IMO、该反向电流不是"正常运行"。 为了在降压模式下(处于100% CCM)实现正常预期运行、是否需要将偏置连接到输出?

    那么、过压问题是否缺少电流检测的快速反馈? 电流检测或斜率补偿是否存在问题?

    附加缺失的布局文件。

    此致、

    Kelly C

    .e2e.ti.com/.../Layout-with-Assy.pdf

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    Kelly、您好!

    我将尝试更仔细地研究布局、但这可能需要一些时间、因为当我尝试处理此文件时、pdf 读取器的响应速度非常慢。

    我看到的是、输入电容器与输出电容器的比率非常大。 如前所述、看起来控制器在输出端检测到过压。 因为输出电容器远高于输入电压。 现在、当控制器尝试将能量移回输入、并且电容大小非常小时、输入电压会升高(这可以在示波器图中看到)。  

    因此、请尝试在输入侧也添加一些大容量电容器。

    我还看到、VCC 上的电容器的尺寸为0402。 您是否检查过该分流器的直流偏置行为? 该电容器在7V 时的有效电容是多少?

    此致、

     Stefan

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    Stephan、您好!

    pdf 布局文件可在此处快速加载-我们可以在不到一秒钟的时间内打开一个新页面。 如果您需要将页面分开、我们可以在这里这样做。 可能尝试屏幕打印?

    输入端有一个100uF 的大容量电容器和7个4.7uF 电容器、用于降低较高频率下的 ESR。 这与 EVM 中的配置相同。 我 会 尝试并联100uF 以查看是否有用。

    输出与输入电容之比与 EVM 相同、如图22所示。 我不理解为什么较高的电容会导致输出端出现过压。 请尝试更清楚地解释这一点。  我们处于完全降压模式、当高侧开关关闭时、没有从输出到输入的电流路径。 当高侧开关打开时、电流从输入到输出(19V vs 12V)。 因此、我不了解能量是如何从输出转移到输入的。 附件是 SW2的示波器屏幕截图、其中显示升压 FET 未进行开关。

    根据颜色、VCC 电容估算为 X7R 或 X5R。 我需要向我们的设计合作伙伴咨询以了解其技术和电压额定值。 我也可以尝试用已知良好的技术替换它、看看它是否有用。 但是、我看到 VCC 上的纹波低于400mV、因此、增强 FET 应该不会产生任何问题(请参阅示波器截图)。 我怀疑当 SW1波形符合要求时、此纹波会减小。 VCC 是否有纹波要求?

    请对这个问题做几点评论: 电流检测或者斜率补偿有问题吗?

    此致、

    Kelly C.

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    Kelly、您好!

    是的、如果您可以提供单独的 pdf 文件会更好-这将使叠加它们变得更容易。

    抱歉、未在原理图中看到100uF 输入大容量电容器。

    该问题可能与电流检测电路故障有关。 这可能是布局造成的、但使用的电流检测电阻器(特别是电感)也会产生问题。
    这里特别是您在第一个线程的第二个示波器图中看到的振铃。 我仍然不理解为什么这在启动时的行为不同、但可能是某个温度。 电感器。

    因此、下一步最好是查看布局。

    您还可以尝试将使用的分流电阻器替换为另一个分流电阻器:

    例如、使用两个与双电阻并联的电阻  

    或者将一个与 LONB 侧端子一起使用。

    此致、

     Stefan

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    Stephan、您好!

    我们尝试添加与100uF (220uF、AE Hybrid、25V)并联的输入电容。 振铃问题没有变化。

    我们将 Vcc 稳压器输出端的0603电容器替换成了10uF、0805、25V、X5R。 这确实使 Vcc 纹波电压有了明显的差异-从大约400mV 降低到大约150mV。 它没有影响振铃问题、但我会建议更改设计或更换元件。 我注意到 VOSNS 引脚上有一个0201电容器。 我将对此进行调查、并可能建议进行升级。

    我们将 CS 电阻器更改为两个合并的8毫欧2512电阻器。 它在振铃问题或 CS 波形方面没有明显的区别。  

    附件是单个文件中的布局 PDF。

    我想知道是否会发生击穿、因为在高侧开关的下降沿会产生很多噪声。 我们注意到的一件事是、高侧和低侧 FET 的 FET 是相同的器件型号。 这确实不同于为低侧 FET 使用不同器件的 EVM。 这可能是开关速度问题吗? 我将设置同时查看栅极驱动器。

    至于基于输出电压的 OVP、输出电压似乎超过了 OVP 限制、显然开关正在关闭。 但是、我们在 PGOOD 引脚上没有看到活动。 这似乎与数据表相反。 是否在 PGOOD 触发器上进行了集成?

    此致、

    Kelly C.


    e2e.ti.com/.../Layout-Pdfs.zip

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    Kelly、您好!

    我们将回顾布局、但正如您展示的 VCC 电容器会产生影响、请分享 第一次使用和新使用的电容器的直流偏置降额。

    (两个电容器的器件型号也会有所帮助)

    也想检查该参数。

    此致、

     Stefan

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    Kelly、您好!

    对于布局:


    如果所有布局图都具有相同的缩放比例和相同的位置、则会容易得多。
    这样就很难叠加并跟随迹线。

    您能否提供突出显示此电流环路的布局图
    - HDRV1 -> MOSFET - SW1 -> LM5176.
    - HDRV2 -> MOSFET - SW2 -> LM5176.

    AGND 和 PGND 引脚的 GND 连接

    LM5176下方的 GND 平面中是否有高电流路径–建议使用 AGND 多边形平面。
    然后、AGND 和 PGND 之间的常见连接点可以是散热焊盘。

    MOSFET 驱动信号线非常细。 请注意、这具有高 di/dt 信号。

    电流滤波器应靠近控制器的输入端、避免噪声注入到连接到控制器的线路中。

    VCC 电容器也直接连接到 PGND 引脚

    此致、

     Stefan

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    Stephan、您好!

    附件是一个 突出显示轨迹的屏幕截图。 栅极线主要位于底层。 长度约为40-45mm。

    随附了接地覆铜的两个屏幕截图。 芯片下方和周围有连续的接地灌流。 AGND 和 PGND 引脚连接到芯片下方的散热焊盘。 第二个屏幕截图显示了过孔、由于某种原因、散热焊盘阻止了视图。

    MOSFET 栅极驱动布线为5mil。 我同意它们应该更广泛。 但是、我不会看到对现有功能有影响。 占空比不会导致布线功率问题、并且我预计通过增加宽度、电感不会有太大差异。  

    我不确定您确定的是哪种"电流滤波器"。 栅极信号电流由 Vcc 电容器(C9716)提供、该电容器现在应该正常(请参阅随附的示波器屏幕截图)。 栅极电流还由引导电容器 C9714和 C9715提供、鉴于其相对大小、这些电容器非常接近 LM5176。 对我来说,这一切都是正常的。 我可能不会在这里跟你。

    VCC 电容器通过覆铜直接连接到 PGND -所幸的是、这是我能够在那里设置一个0805的电源!

    我针对降压 FET 的 HO1和 LO1栅极驱动器运行了示波器跟踪。 我在地面上看到的振铃似乎位于低侧。 我之前有人错误地认为 EVM FET 的配置。 EVM 在降压侧的高侧和低侧具有与现在相同的 FET。 正是升压侧具有不同的 FET。 总之、我们可以看到 LO1线路上出现振铃、Vcc 线路看起来很稳定、因此我会尝试调整栅极电阻来抑制它。 振铃似乎是"米勒效应"。 高侧栅极驱动看起来不错、但由于某种原因、它有点慢。

    我向客户提出了一个请求、要求我们的设计合作伙伴提供更新的 BOM。 Vcc 电容为 PN CL21A106KAYNNNG。 7.5V 时的降额电容为4.5uF、似乎可以(请参阅图表)。 (额定值为10uF、25V、X5R、0805)

    此致、

    Kelly C.

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    Kelly、您好!

    这是新的 Cap -右侧? 在初始原理图中、这个值为4.7uF
    因此它在7V 时降额70%、可提供~ 3uF -因此应该可以。

    没错、SW 节点和低侧栅极上会出现大量振铃。 此问题应该已解决。
    这可能是由高侧栅极线路的电感过高导致的、因此其下降速度不会像 SW 节点那样快。 这会导致高侧 MOSFET 重新打开。
    您可以尝试在栅极和漏极之间添加一个外部电容器(栅极漏极电容的2-3倍或起始值为1nF)。

    但我不认为这是启动到不同模式的问题、但肯定会对效率产生影响。

    此致、

     Stefan

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    Stephan、您好!

    如果要进行最坏情况分析、还必须计算电容容容差、焊接导致的降级和长期老化。 (幽默)

    我们尝试了1nf、2.2nf 和10nF。 直到我们达到10nF 才能获得一些重大改进。 附三幅图(相反顺序):

    *第一个图是2.2nF、第二个图的时间范围更宽10nF、然后放大10nF。  

    行为正在改善。 周期跳跃仍在发生、但现在仅跳过1-2个周期。 在这个电容水平上、我们关心开关损耗-但是我们应该"使其工作"、然后再进行优化。 我们订购了一些不同尺寸的0402栅极电阻器-我们可以在几天内试用一下。 SW1下降沿似乎对输出电压有很大影响。

    您对如何进行下一步有何看法? 电容电平似乎已经有点高。

    此致、

    Kelly C.

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    Kelly、您好!

    感谢您进行广泛的测试。 10nF 值非常高、因此我本来不会期望需要如此高的电容。

    另一方面、这还提示高侧 MOSFET 的栅极线路上的电感(尤其是在本例中)可能很高。

    请记住、此处的布线宽度会产生巨大的影响。 高侧 MOSFET 栅极线路的返回路径也是 SWx 节点。
    这两条线路都会影响此连接。 为了保持较小的电感、这两条线路建立的面积也应尽可能小。 最好的方法是将两者都放在首位。  我将在下面添加一些有关布局的附加信息。

    有关布局的其他信息可在此处找到:

    (1)四开关降压/升压布局提示1:确定布局的关键器件

    (2)四开关降压/升压布局提示2:优化功率级的热环路

    (3)四开关降压/升压布局提示3:将差分检测线路与电源平面分离

    (4)四开关降压/升压布局提示4:栅极驱动和返回路径布线

    此致、

     Stefan

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    Stephan、您好!

    我在升压栅极驱动器(HI1和 LO1)中添加了30根导线。 大致说来、我将它们路由到现有布线上;将现有布线保留在中。 关于电感、这些加法值大约相当于使用25mil 迹线。 每个孔径大约是40mm。 每根导线的总电感可能降低至15nH 左右。 波形没有变化。 (我希望高侧会加速一点。)

    感谢所有的布局信息。 它应该是静音的、因为目的是复制 EVM 设计、我认为这不是强制执行此操作。 现在的问题是、我们是否已报废当前布局、或者是否可以在缩短栅极驱动布线、增大电容器尺寸以及对布线进行一些细微更正的情况下、使其正常工作? 除非我能证明它适用于电路板的修改、否则 我们需要重新布线。 关于这一点的任何想法都很有帮助。

    关于两种启动模式:现在波形有所改善、这些模式遵循一致的模式。 首次启动时、会出现低占空比模式( 顶部的第三个示波器屏幕截图)。 当我重新启动时、会出现连续脉冲模式(此处向上显示两个示波器屏幕截图)。 控制器最初启动时、大容量电容可能未充满电。 由于我们没有启用 UVLO、这可能是由低输入电压导致的。 我可以尝试更长的 SS 周期、还可以弄清楚如何与保护芯片中的现有使能一起使能 UVLO。 其他想法?

    我还将加入一个二极管、然后重新打开偏置来测试它。

    此致、

    Kelly C.

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    Kelly、您好!

    对于 UVLO 控制、您可以在 VIN 和 GND 之间添加电阻分压器以设置 UVLO 电平、然后只需通过连接到控制器的二极管将 UVLO/EN 信号拉至低电平。 (例如一个集电极开路/漏极开路电路)。

    此致、

     Stefan

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    Stephan、您好!

    我发现引脚排列问题。 COMP 和 MODE 引脚反向。 我看到 COMP 引脚处于非活动状态、此外它超出了其绝对最大值 我的头,我的头,我的头,我发现了它。 波形是"正常"的、启动问题似乎也消失了。 如果我们添加一个接地电阻、启动电路需要一些工作-如果我们添加了一个接地电阻、则已经设置好实现 UVLO、但同一输入信号上的逻辑转换器存在另一个问题。

    我将重新检查栅极驱动、因为栅极电阻较大会降低效率。  

    谢谢、

    Kelly C.

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    Kelly、您好!

    感谢您的分享-很好、您找到了这个。

    如果有任何其他问题或疑问、敬请告知、以便我为您提供帮助。

    此致、

     Stefan