• 状态 Resolved
  • 已锁定 已锁定
  • 回复 10 回复
  • 订户 0 订户
  • 视图 82 视图
  • 用户 0 会员在此处
选项
选项
相关

This thread has been locked.

If you have a related question, please click the "Ask a related question" button in the top right corner. The newly created question will be automatically linked to this question.

[参考译文] CSD16327Q3：连接到 candence 虚拟器件时出现 PSpice 模型包(REV.B)问题

admin
Guru**** 2380450 points
Other Parts Discussed in Thread: TINA-TI, CSD13303W1015, CSD16301Q2
请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1472812/csd16327q3-pspice-model-package-rev-b-issue-when-attaching-on-candence-virtuoso

器件型号：CSD16327Q3
主题中讨论的其他器件：Tina-TI、 CSD13303W1015、 CSD16301Q2

工具与软件：

您好！  

我已下载该 PSpice 模型文件并将其插入 Cadence PSPICE 文件选项卡、然后点击。 仿真可以运行(无生成错误)、但当我为其提供5V 或8V 理想 PWM 信号时、此 MOSFET 无法开启。  

我的问题是：(1) PSPICE 模型是否会在节奏 SPICE 仿真中工作？ (是否缺少一些其他设置？  (2)此 PSPICE 模型文件设计用于什么仿真环境(如工具)？ (LTSPICE 或其他?) 请提供建议！

谢谢！

Harris

  • 0
    TI__Guru**** 2380450 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Hua：

    感谢您关注 TI FET。 我们的所有 FET 模型均已通过 Cadence 的 PSpice 进行验证。 这些模型未加密、可与 PSpice、PSpice for TI、LTSpice 和 TINA-TI 等各种仿真工具结合使用。 PSpice for TI 和 TINA-TI 均可通过以下链接从 TI.com 获取。 我附上了一份简短的文档、其中包含有关如何使用带 Cadence 的 PSpice 模型的说明。 请查看并告知我是否可以解决您的问题。

    https://www.ti.com/tool/PSPICE-FOR-TI？keyMatch=pspice%20for%20ti%20download&tisearch=universal_search

    https://www.ti.com/tool/TINA-TI?keyMatch=tina&tisearch=universal_search

    e2e.ti.com/.../RUNNING_5F00_PSPICE_5F00_MODELS_5F00_IN_5F00_CADENCE.pdf

    此致、

    约翰·华莱士

    TI FET 应用

  • 0
    TI__Guru**** 2380450 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 Hua：

    跟进以查看您的问题是否已解决。 请告诉我。

    谢谢！

    John

  • 0
    TI__Guru**** 2380450 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、John、

    PSpice Cadence PDF 会提供帮助。 但是、我发现在使用这种功率 FET 模型设计降压和升压转换器时、开关节点会变得很明显。 (即使在调整参数后也是如此)。 FET 是否倾向于在较高频率下产生更大的振铃？ 您是否有 TI 标准降压/升压转换器设计手册？ 或者其他 TI FET 是否有振铃较少的器件？  

    谢谢！

    Harris

  • 0
    TI__Guru**** 2380450 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    大家好、Harris

    TI NexFET 器件往往比其他供应商具有更多的振铃。 这是由快速开关导致的。 有几种方法可以减少开关节点振铃、详见下面链接中的应用手册。 常见的方法是使用串联栅极电阻器来减慢 FET 速度、添加一个与自举电容器串联的小电阻器、以及在开关节点和 GND 之间使用 R-C 缓冲器。 下面的第二个链接是指向一份应用手册、其中包含指向所有 TI 基于网络的 FET 技术信息的链接。 请告诉我、我是否可以提供进一步的帮助。

    https://www.ti.com/lit/pdf/slpa010

    https://www.ti.com/lit/an/slvafg3f/slvafg3f.pdf?ts = 1739462411967#page=1&zoom=auto、-133,798

    谢谢！

    John

  • 0
    TI__Guru**** 2380450 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 John：

    我正在寻找一款具有低 Ron* Coss (低电压下性能可打败 GaN FET)的 TI 功率 FET。 通常为3.3V VDS 电源开关或5V VDS 电源开关。 我真的无法从很多供应商那里找到任何东西。 您可以从 TI 得到的最接近的是什么？ 谢谢！

  • 0
    TI__Guru**** 2380450 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    大家好、Harris

    您是否有品质因数 Ron * Coss 的目标？ 或者、您是否有可以分享的特定 GaN FET 器件型号？ 这将有助于缩小 TI 可能使用的硅 FET 的范围。

    谢谢！

    John

  • 0
    TI__Guru**** 2380450 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    • 抱歉、粗略答案是尽可能低。 EPC2040是一款15Vds 功率的 GaN、3.3V 或5V 的 VDS、硅 ron 的 Voss 应该更低(优)。 我正在搜索该内容、如果您找到的话、请引导我。 谢谢
  • 0
    TI__Guru**** 2380450 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    大家好、Harris

    我从 EPC2040开始、发现一个25V FET CSD16301Q2具有大致相同的导通电阻。 但是、此 FET 的 Coss 远高于 GaN 器件。 硅 FET 的 Coss 是非线性的、它可达到较低的 VDS 值、在3.3V 和5V 时较高。 我看过12V FET、CSD13303W1015和 Coss 甚至更高。 就 Ron * Coss 品质因数而言、我认为我们没有什么与 GaN 类似的东西。

    谢谢！

    John

  • 0
    TI__Guru**** 2380450 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    是的、我还接洽了其他供应商。 很难找到超低的 Ron*FET Coss 或 Ron*CG 商用功率 FET。 有理由吗？ 没有多少利润出售这些?  

  • 0
    TI__Guru**** 2380450 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    大家好、Harris

    是的、一般而言、GaN 的品质因数优于硅 FET。 这就是氮化镓技术本身是一项比较新的技术、它要做很多工作、还要做很多新的产品开发。 硅已经实现、但我认为硅 FET 的物理和结构限制了性能。

    谢谢！

    John