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[参考译文] UCC28750EVM-071:用 SiC 制成的替代材料替代开关

Guru**** 2384130 points
Other Parts Discussed in Thread: UCC28750, UCC27531
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1472332/ucc28750evm-071-replace-switches-with-alternative-materials-made-of-sic

器件型号:UCC28750EVM-071
主题中讨论的其他器件:UCC28750UCC27531

工具与软件:

你好
我参考了 UCC28750EVM 的设计来制作测试样片、
 原理图如下:


器件 Q3是控制器开关、其器件型号为 IPP65R190C7FKSA1。
在这种情况下、测得的平均效率相当于 UCC28750EVM 的规格。
然后、我尝试将 Q3替换为3个不同的 SiC 替代方案:
1、NTHL040N120SC
2、C2M0040120D
3、TW030N120C
但测试后的平均效率比原始材料低约3%~4%。
我想问、如果将 Q3直接替换为类似的替代材料、是否会有任何问题?
第三季度的相关部件是否也需要更改?
请帮助,谢谢。

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好!

     

    UCC28750被设计用于驱动具有大约4.5V 米勒平坦区的 Si FET、建议使用大约12V 的栅极驱动电压驱动大多数 Si FET 以充分利用 FET。  SiC FET 具有大约7V 至10V 的更高米勒平坦区。 最好以15V 至18V 的电压驱动这些 SiC FET、以充分利用 FET。

     

    我认为您的问题在于、UCC28750控制器针对 Si FET 和 SiC 进行了优化。  您应该能够通过在应用中使用 SiC FET 驱动器驱动 FET 来提高效率。  以下链接将为您提供应用手册、介绍如何使用 UCC27531 SiC FET 驱动器驱动 SiC FET。

    https://www.ti.com/lit/an/slua770a/slua770a.pdf

     

    感谢您关注德州仪器(TI)产品。  如果您有相关问题、请点击右上角的"提出相关问题"按钮。 新创建的问题将自动链接到此问题。

     

    此致、