This thread has been locked.

If you have a related question, please click the "Ask a related question" button in the top right corner. The newly created question will be automatically linked to this question.

[参考译文] TPS23730EVM-093:tps23730效率问题

Guru**** 2391335 points
Other Parts Discussed in Thread: TPS23730, TPS23731

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1443812/tps23730evm-093-tps23730-efficiency-question

器件型号:TPS23730EVM-093
主题中讨论的其他器件:TPS23731、TPS23730

工具与软件:

e2e.ti.com/.../8154.G60-POE.pdf

我想确认为何在低负载条件下效率如此低

当 Vout (+12V_D)空 载时、PQ2306的温度为70 °C
当我有负载(3.3A)时、PQ2306是97 °C

空载时、通过 PR2320测得的电流为0.1A

当我有负载(3.3A)时 、通过 PR2320的测量电流为0.8A

如何解决该问题?

谢谢

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    大家好、陈伦翁:

    1. PQ2306是一个29m Ω 的 MOSFET,它通常具有很高的开关损耗和慢的开关速度会导致击穿。 您可以使用50 - 75m Ω 的 MOSFET、该 MOSFET 通常具有更好的性能。

    2.可以将 PR2322增加到100kOhm 以延长死区时间。 则可能会减少击穿损耗。

    3.为提高效率、您还可以考虑将二极管整流器更改为半 FET 整流器、这可能会提高~1%的效率。

    此致、

    Diang

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 Diang:

    PR2322是否可以更改为120k Ω?

    谢谢!

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好!

    由于感恩节假期、请预计响应会延迟。

    此致

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好!

    我想知道为什么 RDSON 需要更大、我认为开关损耗应该更小 Qg、您能给我详细解释吗? 
    谢谢你
     

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    大家好、陈伦翁:

    通常、较小的 Rdson 需要进行栅极构建来增强反转层或获得较大的裸片面积、这与较慢的栅源漏动态响应有关。 通常、当其他条件相同时、较小的 Rdson 具有较高的开关损耗。 谢谢!

    此致、

    Diang

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、 Diang

    如何提高0W 和30W 之间的效率? 测得的效率值似乎低于规格。 

    谢谢你

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    大家好、陈伦翁:

    我们的 PoE 团队目前已离开办公室、我们将于12月17日回来。 很抱歉耽误你的时间。

    BR、

    Diang

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    好的、我们很快会再见

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的陈伦:  

    感谢您的耐心。  

    我在电子邮件中看到了您的问题、Anthony 也在该主题中。 是否仍担心效率问题?  其中一点可能相关、工作台电源的效率测量可能是在4线对条件下进行的、其中 PR36和45与+DC 短接、PR12和78与-DC 短接。 如果测量在2线对以下、效率可能会略有下降。  

    PoE PD 设计功率损耗主要来自整流桥、PD 热插拔和直流/直流。  PD 的 IC 本身运行功率相对较低(例如、TPS23731的最大功率为2.4mA x 57V = 136.8mW、典型值为< 100mW)。  

    我可以知道效率是来自于 TI 的 EVM 还是来自于客户的电路板。 如果与客户电路板一起使用、在采用半桥整流器并使用更高的 Rdson FET 后?

    此致、

    Diang

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    我们使用的是 ti evm。 至于半桥整流器以及使用更高的 RDSon-FET、同事不想讨论、因为这可能与元件尺寸与印刷电路板尺寸以及器件等待时间之间的不一致有关。 
  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的陈伦:  

    感谢您提供的信息。 TI 的 EVM 效率是否满足您的要求? 您是否已经测试过电路板效率? 我们可以在比较它们的效率时进行讨论。 让我知道你的时间。   

    此致、

    Diang

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 Diang:

    附图中的效率是 我们的测量值、这是我们根据 TI EVM 设计的电路板。 我们希望低负载时的效率值尽可能接近规格中的 TI EVM 板效率值。(例如:0.6A 负载、我们测得的效率为66%、但 TI EVM 规范0.6A 负载效率为73%)

    上午10点至下午6点还可以(UTC+8) 


  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 Diang:

    附图中的效率是 我们的测量值、这是我们根据 TI EVM 设计的电路板。 我们希望低负载时的效率值尽可能接近规格中的 TI EVM 板效率值。(例如:0.6A 负载、我们测得的效率为66%、但 TI EVM 规范0.6A 负载效率为73%)

    上午10点至下午6点还可以(UTC+8) 



  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 陈伦:  

    我今晚有时间、下周将有圣诞节假期、直至12月26日。 我会在下周发出邀请、告诉我其他时间是否会更方便。 谢谢!

    此致、

    Diang  

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 Diang:

    12/27 10:00好。

    回头见

    BR、

    Willy

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Willy、

    回头见。

    此致、

    Diang

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 Diang:

    我测量了 PQ2306的 Vgs 值、发现它超过规格中指定的20V。 实际测量值为24.24V、但 POE 电路板仍保持 Vout 为12V。 我想问是否有任何改进建议?

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Willy、

    PQ2306 是初级侧 NMOS。 其正 Vgs 应等于 VCC。  变压器 LDT8627在 SEC 和 AUX 绕组之间具有相同的匝数比。 理论上、当 Vout 为12V 时、VCC 和正 Vgs 都应~12V。 VOUT = Vin*Duty*nsec/Npri、 Vcc = Vin*Duty*Naux/Npri、NAUX = ns。

    您是否可以怀疑检查 VCC 和 Vgs 电压。 如果 Vcc 和 Vgs 仍然较高、则可能是变压器不正确。  

    此致、

    Diang

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 Diang:

    我們還是覺得tps23730 solution輕載的效率有點太低、是否有其他輕載效率較高的solution呢??

    802.3bt TYPE3 (PoE++、51W/60W)的solution

    然後可否跟您們要一片tps23730的公版驗證一下效率、謝謝 μ A

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Willy、

    可以找TI的FAE要一下TPS23730EVM的板子或者PMP23411。ACForward在低载确实效率较低、因为要drive 4个MOSFET。我们哪天可以再讨论一下增加效率的问题。μ A

    如果申请板子有问题请联系我。另外你们那边有验证Vgs和VCC电压吗?μ A

    此致、

    Diang

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 Diang:

    抱歉晚回復了 μ A、

    我們有量測Vgs、沒有量測VCC μ A

    另外想問更換您建議的零件後、是否會影響Thermal呢、如IC、電感、變壓器、Cin、Cout等

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Willy、

    Thermal会有影响。其他几个影响不大。我们可以下周会上讨论。μ A

    此致、

    Diang

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Diang

    想請問圈起來的是否為Cff、因我理解Cff應該跨在R1上、還是也有其他用途 μ A?

    如果是cff、想問容值是否有建議的範圍或計算方式呢 μ A?

    謝謝 μ A

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Willy、

    PoE 团队将于2月4日开始旅行。 很抱歉回复延迟、感谢您的耐心等待。

    此致、

    Diang

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Willy、

    我的理解C43应该不是前馈电容、R48 + C45组成closed 环路反馈 PI controller的一部分、C43应该为给R48 + C45的高频噪声滤波。  

    此致、

    Diang