主题中讨论的其他器件:TPS23731、TPS23730
工具与软件:
e2e.ti.com/.../8154.G60-POE.pdf
我想确认为何在低负载条件下效率如此低
当 Vout (+12V_D)空 载时、PQ2306的温度为70 °C
当我有负载(3.3A)时、PQ2306是97 °C
空载时、通过 PR2320测得的电流为0.1A
当我有负载(3.3A)时 、通过 PR2320的测量电流为0.8A
如何解决该问题?
谢谢
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e2e.ti.com/.../8154.G60-POE.pdf
我想确认为何在低负载条件下效率如此低
当 Vout (+12V_D)空 载时、PQ2306的温度为70 °C
当我有负载(3.3A)时、PQ2306是97 °C
空载时、通过 PR2320测得的电流为0.1A
当我有负载(3.3A)时 、通过 PR2320的测量电流为0.8A
如何解决该问题?
谢谢
大家好、陈伦翁:
1. PQ2306是一个29m Ω 的 MOSFET,它通常具有很高的开关损耗和慢的开关速度会导致击穿。 您可以使用50 - 75m Ω 的 MOSFET、该 MOSFET 通常具有更好的性能。
2.可以将 PR2322增加到100kOhm 以延长死区时间。 则可能会减少击穿损耗。
3.为提高效率、您还可以考虑将二极管整流器更改为半 FET 整流器、这可能会提高~1%的效率。
此致、
Diang
尊敬的陈伦:
感谢您的耐心。
我在电子邮件中看到了您的问题、Anthony 也在该主题中。 是否仍担心效率问题? 其中一点可能相关、工作台电源的效率测量可能是在4线对条件下进行的、其中 PR36和45与+DC 短接、PR12和78与-DC 短接。 如果测量在2线对以下、效率可能会略有下降。
PoE PD 设计功率损耗主要来自整流桥、PD 热插拔和直流/直流。 PD 的 IC 本身运行功率相对较低(例如、TPS23731的最大功率为2.4mA x 57V = 136.8mW、典型值为< 100mW)。
我可以知道效率是来自于 TI 的 EVM 还是来自于客户的电路板。 如果与客户电路板一起使用、在采用半桥整流器并使用更高的 Rdson FET 后?
此致、
Diang
您好、Willy、
PQ2306 是初级侧 NMOS。 其正 Vgs 应等于 VCC。 变压器 LDT8627在 SEC 和 AUX 绕组之间具有相同的匝数比。 理论上、当 Vout 为12V 时、VCC 和正 Vgs 都应~12V。 VOUT = Vin*Duty*nsec/Npri、 Vcc = Vin*Duty*Naux/Npri、NAUX = ns。
您是否可以怀疑检查 VCC 和 Vgs 电压。 如果 Vcc 和 Vgs 仍然较高、则可能是变压器不正确。
此致、
Diang