[参考译文] TPS2596：关于电流限制和热关断。

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https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1484034/tps2596-about-current-limit-and-thermal-shutdown

器件型号：TPS2596

工具与软件：

团队成员、您好！

我想知道电子保险丝输出是否超过我使用外部电阻器设置的电流限制、是否始终会发生热关断？

例如、TPS2596具有~100m Ω RDS (on)、我设置了1A 限值、R_theta_ja 具有~50'C/W

我可以假设环境温度最多增加+5'C。

但是、如果负载尝试消耗1.5A 或2A 电流、那么 TPS2596会尝试降低1A 限值、会发生什么情况？

我们是否仍可以根据数据表中的 RDS (on)计算该值、或者 TPS2596内部的 MOSFET 是否适用于欧姆区域？

我们能否计算何时将其转换为 THD (热关断)？ (到关断的时间)

谢谢你。
此致、
欧内斯特

7 个月前

0 admin 7 个月前

TI__Guru**** 2387830 points

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尊敬的 Ernest：

如果器件会限制电流、我们只需使用(Vin-Vout)* ILIM 求出器件的功率耗散、然后使用"到 TSD 的时间"图来估算时间。

此致、
Arush

0 admin 7 个月前

TI__Guru**** 2387830 points

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尊敬的 Arush：

我明白了。您的意思是我们可以利用数据表 Tdvdt 段落中引入的"热关断限值图(图形)"。

但是、我们怎么才能在不测量输出电压的情况下获知输出电压呢？
在我的示例中、典型的应用是12V 输入电压和1A 限制情况(我也是如此)、有过流图。
是否有计算可预测电流限制期间的 Vout？

好的、
欧内斯特

0 admin 7 个月前

TI__Guru**** 2387830 points

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尊敬的 Ernest：

发生过流事件时、您将知道负载值。您可以使用 ILIM*R_LOAD 查找 Vout。基于此可以进行估算。

图26、27是 TSD 时间图。

此致、
Arush

0 admin 7 个月前

TI__Guru**** 2387830 points

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尊敬的 Arush：

我想确认我的理解是否正确。

Unknown 说：
(Vin-Vout)* ILIM

Unknown 说：
您可以使用 ILIM*R_LOAD 查找 Vout。

根据功率耗散、通过上面的计算可计算得出功率耗散。
但 Vout 随负载电阻而变化。
如果 Vin =12V、i_lim=1A、Rds (on)=100m Ω、Rds (on)保持不变、直到 I LIMIT 小于1A。

Iout 变为1.2A 后、意味着 R_load = 10欧姆、电子保险丝 MOSFET 变为欧姆区域以覆盖1A、这意味着 MOSFET 充当2欧姆、Vout 变为10V。
如果 Iout 变为2A、R_load = 6 Ω、要从1A 流出、Vout 需要为6V、MOSFET 充当6 Ω。

我的理解是否正确？

好的、
欧内斯特

0 admin 7 个月前

TI__Guru**** 2387830 points

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尊敬的 Ernest：

器件在正常运行期间保持在线性区域、在限流模式期间保持在饱和区域。

是的、说 FET 将根据外部场景改变有效电阻时、您是正确的。

此致、
Arush

电源管理（参考译文帖）

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[参考译文] TPS2596：关于电流限制和热关断。