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https://e2e.ti.com/support/processors-group/processors/f/processors-forum/1453685/faq-am625-am623-am620-q1-am62ax-am62px-am62d-q1-am62l-am64x-am243x-design-recommendations-custom-board-hardware-design---drive-strength-configuration-for-sdio-and-lvcmos-i-os
工具与软件：
尊敬的 TI 专家：
我具有以下查询
AM62A7：如何更改 SPI 接口的驱动强度 AM625：如何更改以太网接口 IO 的驱动强度 AM625：如何更改 OSPI 接口 IO 的驱动强度
通常、我可以为 SOC IO 或外设配置驱动强度。
尊敬的电路板设计人员：
唯一支持的驱动强度是默认驱动强度。
驱动强度配置
TI 当前不支持为 SDIO 和 LVCMOS 缓冲器配置除标称(默认)值以外的任何其他驱动强度、因为标称值是关闭芯片级 STA (静态时序分析)的唯一配置。 标称值对应于 SDIO 的40Ω 和 LVCMOS 的60Ω。 IBIS 模型已更新为仅包含时序在内部关闭时的驱动强度。 我们目前不支持更改驱动强度。 该 SOC 专为在使用默认驱动强度时正常运行而设计。 更改驱动强度可能会导致功能问题。 因此、我们目前不支持改变驱动器的优势。 驱动强度必须保持默认状态、因为这是外设时序关闭期间使用的唯一条件。
我们仅支持默认驱动强度、客户 应使用器件 IBIS 模型来了解实际的 输出缓冲器 驱动强度。
此致、
Sreenivasa
您是否计划支持默认驱动强度以外的其他驱动强度？
我们目前不支持更改驱动强度。
我们收到了类似的请求。 系统/设计团队正在审查和分析申请。
我没有其他输入或输入时间表。
当我收到团队的消息时、我会更新常见问题解答。
更多输入：
(43) AM625/AM623/AM62A/AM62P/AM62D-Q1/AM64x/AM243x 硬件设计- SDIO 和 LVCMOS 的 I/O 驱动强度配置-处理器论坛-处理器- TI E2E 支持论坛
客户需要考虑布线阻抗对其整个系统实现的影响。 TI 无法回答这个问题。 例如：40欧姆可能更适合 AM64X 输出阻抗、但它可能不是连接器件的最佳匹配。 实际上、如果连接的器件具有50欧姆的源阻抗、则最好拆分差值并使布线阻抗以45欧姆为目标。 这就是客户应执行仿真以在其特定系统实施中验证信号质量的原因。
压摆率控制和源阻抗是两个不同的东西。 我们不会对 AM64x 中实现的 IO 提供压摆率控制。 该器件在最终测试期间进行修整、以达到 IBIS 模型中定义的固定源阻抗。 所有外设的时序均根据 IBIS 模型中定义的源阻抗闭合。 对于与 MMC1关联的 IO、此值应为40欧姆
