工具与软件：
您好、亲爱的专家
如标题说明、客户希望在 SoC 切换为 "深度睡眠"或"部分 I/O "模式后保持"最后一个 I/O 状态"。
例如、GPIO0_49 =低电平处于"正常工作模式"、然后我们希望 GPIO0_49"保持低电平" (当 SoC 切换为"深度睡眠"或"部分 I/O"模式时)。
有可能吗？
或者、我们是否可以在 SOC (AM62)交换到"深度睡眠"或"部分 I/O "模式时设置每个 GPIO 状态？
非常感谢
Gibbs
您好、Anshu
需要更新。 如果我说错了、请纠正。
谢谢！
以下是我的评论。
你好、 xiao-an
我想您也可以检查"FORCE_DS_EN"位、而不仅仅是"DS_EN"位。
DevMEM2 0x000F40C4 W 0x00018007/0x01018007
参考 TRM p5818。
例如,我想(猜测),
FORCE_DS_EN = 1
DS_EN = 0
DSOUT_VAL = 0 (如果需要设置为0)
DS_PULLUD_EN = 0
DS_PULLTYPE_SEL = 0
顺便说一句,我找到了一个好的提示,为你学习
参考
--> p681、 CTRLMMR_WKUP_PADCONFIG54
此调试体验应该与 AM62x 非常相似
请像该主题一样记录您的测试步骤。
谢谢
Gibbs
嗨、Gibbs、
下面是我所做的:
在 Linux 器件树中、我分配了两个 GPIO：
&main_pmx0 {
main_gpio0_pins_default: main-gpio0-default-pins {
pinctrl-single,pins = <
AM62X_IOPAD(0x009c, PIN_INPUT, 7) /* (V25) GPMC0_WAIT1.GPIO0_38 */
AM62X_IOPAD(0x00ac, PIN_INPUT, 7) /* (L21) GPMC0_CSn1.GPIO0_42 */
>;
};
};
&main_gpio0 {
status = "okay";
pinctrl-names = "default";
pinctrl-0 = <&main_gpio0_pins_default>;
gpio-line-names = "", "", "", "", "", "", "", "", "", "", // main_gpio0_0 -> 9
"", "", "", "", "", "", "", "", "", "", // main_gpio0_10 -> 19
"", "", "", "", "", "", "", "", "", "", // main_gpio0_20 -> 29
"", "", "", "", "", "", "", "", "MG038", "", // main_gpio0_30 -> 39
"", "", "MG042", "", "", "", "", "", "", ""; // main_gpio0_40 -> 49
};
这两个 GPIO 都没有任何外部拉电阻器、如 SK-AM62-LP 原理图所示：
在 EVM 的 Linux 命令行中、我将两个 GPIO 都设置为低电平：
root@am62xx-lp-evm:~# gpioset MG038=0 root@am62xx-lp-evm:~# gpioset MG042=0
PADCONFIG 寄存器值如下：
我更改了 GPIO 的一个 PADCONFIG 寄存器、通过更改 BIT16 (0x00050007 -> 0x000)来启用内部下拉电阻 4. 0007)。 没有其他更改。
root@am62xx-lp-evm:~# cat /sys/kernel/debug/pinctrl/f4000.pinctrl-pinctrl-single/pingroups ... group: main-gpio0-default-pins pin 39 (PIN39) pin 43 (PIN43) ... root@am62xx-lp-evm:~# cat /sys/kernel/debug/pinctrl/f4000.pinctrl-pinctrl-single/pinmux-pins | grep main-gpio0 pin 39 (PIN39): 600000.gpio (GPIO UNCLAIMED) function main-gpio0-default-pins group main-gpio0-default-pins pin 43 (PIN43): 600000.gpio (GPIO UNCLAIMED) function main-gpio0-default-pins group main-gpio0-default-pins root@am62xx-lp-evm:~# cat /sys/kernel/debug/pinctrl/f4000.pinctrl-pinctrl-single/pins | grep 'pin 39' pin 39 (PIN39) 38:600000.gpio f409c 00050007 pinctrl-single root@am62xx-lp-evm:~# cat /sys/kernel/debug/pinctrl/f4000.pinctrl-pinctrl-single/pins | grep 'pin 43' pin 43 (PIN43) 42:600000.gpio f40ac 00040007 pinctrl-single root@am62xx-lp-evm:~#
我在进入和退出深度睡眠之前测量了 GPIO 的电压。
非常重要 而无需内部下拉电阻 中、唤醒时 GPIO 电压略有增加。 该峰值为136mV。
的 添加了具有内部下拉电阻器的 GPIO 、从深度睡眠中唤醒时 GPIO 电压没有变化。 
如果通过更改 PADCONFIG 寄存器的位16启用内部下拉电阻器、则假定引脚上没有上拉电阻器、电压应该没有变化。
此致、
Anshu
你好、Gibbs
我是电路图中的 GPIO0_49
如果我们移除外部的上拉电阻、GPIO 可以在深度睡眠模式下拉至低电平、但在外部使用上拉电阻时、只能将电压更改为1.2V
你好、 xiao-an
如何使用 0x0005007或0x0004007？
Gibbs
Anshu、您好：
我测试了 SCL 引脚(如图所示)、并将其修改为 GPIO 引脚模式 devmem2 0x000F40B0 w 0x00010007/0x01018007/0x00040007/0x0005007、然后将其设置为低电压、在进入睡眠模式之前测量的电压 R30 (两端电压均为3.3V)以及进入深度睡眠后的电压 R30 (两端电压均为3.3V 和2.7V)。
尊敬的 Anshu：
我们使用的版本是10.0.007、我看到版本10.01.10有一个解决 GPIO 无法保留的问题的办法、请看它与我们的这个问题相关。
嗨、 Anshu、 Gibbs
我们试图使用 TI 针对 EVB 版本的最新 SDK 进行测试、但问题仍未解决。
在进入深度睡眠模式之前、设置 DevMEM2 0x000F40B0 W 0x00010007、然后使用 GPIOSET 将 GPIO0_43设置为低电平、然后进入深度睡眠模式、测量 R30段的电压至2.7V。看起来有外部上拉电阻器时、它在深度睡眠模式。μ s 下仍无法拉至低电平
测量 PMIC_LPM_EN0引脚也不会指示 AM62X 是否已进入深度睡眠模式。
您好、 Sreenivasa 和 Anshu
谢谢您的回复
我有两个问题、
[问题1]哪个是正确的 PD 内部 电阻器？
我注意到 电阻器具有三个值(40/50/60/k kΩ Ω)、哪一个是正确的 PD 电阻器？
[问题2]位24~28的正确位设置是什么？
因为我会尝试确定这是硬件或软件问题、 因此、我需要先锁定软件设置。
以下是 kΩ 在 GPIO0_38上针对 AM62_LP_EVM 使用 PU 电阻器(10/k Ω)进行的测试
我需要您的建议、因为我想知道正确设置(PADCONFIG)是什么样的？
我们是否应该同时增加(或减少)外部 PU 电阻器来解决此问题？
PADCONFIG = 0x0001 0007
我 在 DS 模式下测量 GPIO0_38 = 2.7V、即使我们在进入 DS 模式之前设置 GPIO0_38 = 0V 也是如此
位28、DS_PULLTYPE_SEL = 0、已选择关闭模式下拉
位27、DS_PULLUD_EN = 0、PU/FPU PD 被启用
位26、DSOUT_VAL = 0、输出值= 0
位25、DSOUT_DIS = 0、输出使能
位24、DS_EN = 0、当深度睡眠模式激活时、I/O 保持先前的状态
PADCONFIG =0x0201 0007
我 在 DS 模式下测量 GPIO0_38 = 2.7V、即使我们 在进入 DS 模式之前设置 GPIO0_38 = 0V 也是如此
位28、DS_PULLTYPE_SEL = 0、已选择关闭模式下拉
位27、DS_PULLUD_EN = 0、PU/FPU PD 被启用
位26、DSOUT_VAL = 0、输出值= 0
位25、DSOUT_DIS = 1、输出禁用
位24、DS_EN = 0、当深度睡眠模式激活时、I/O 保持先前的状态
PADCONFIG =0x0004 0007
我 在 DS 模式下测量 GPIO0_38 = 2.7V、即使我们 在进入 DS 模式之前设置 GPIO0_38 = 0V 也是如此
位28、DS_PULLTYPE_SEL = 0、已选择关闭模式下拉
位27、DS_PULLUD_EN = 0、PU/FPU PD 被启用
位26、DSOUT_VAL = 0、输出值= 0
位25、DSOUT_DIS = 0、输出使能
位24、DS_EN = 0、当深度睡眠模式激活时、I/O 保持先前的状态
位18、RXACTIVE、ENABLE
PADCONFIG =0x0001 0087
我 在 DS 模式下测量 GPIO0_38 = 2.7V、即使我们 在进入 DS 模式之前设置 GPIO0_38 = 0V 也是如此
位28、DS_PULLTYPE_SEL = 0、已选择关闭模式下拉
位27、DS_PULLUD_EN = 0、PU/FPU PD 被启用
位26、DSOUT_VAL = 0、输出值= 0
位25、DSOUT_DIS = 0、输出使能
位24、DS_EN = 0、当深度睡眠模式激活时、I/O 保持先前的状态
位15、FORCE_DS_EN = 1、负深度睡眠焊盘控制、覆盖 DMSC0
非常感谢
Gibbs
更新了、
基于 LVCMOS、不同的 VDD_IO 电压具有不同的 PU/LVCMOS PD 电阻值
Gibbs