工具与软件:
Micron DDR3存储器要求"在 RESET#转换为高电平后、在 CKE 为低电平时等待500μs (减一个时钟)"。
以下文章提供了 U-Boot 补丁来满足要求。 该补丁似乎适用于 SDK2.x 至 SDK9.x
我们的客户很担心补丁会带来的副作用、因为补丁尚未应用于 TI Git 服务器上的较新 U-Boot。
git.ti.com/.../ddr.c
git.ti.com/.../emif4.c
是否存在与补丁有关的任何问题?
我对第一个补丁有疑问。
为什么 SDRAM_CONFIG 寄存器在 SDRAM_ref_ctrl 寄存器之后被写入?
只有 SDRAM_CONFIG 寄存器可以触发初始化吗?
按照以下顺序写入寄存器 不会 触发器初始化。
1.将 SDRAM_CONFIG 寄存器中的 reg_dram_type 字段设置为3
2.将 dram_ref_ctrl 寄存器中的 reg_dram_type 字段从1设置为0
按照以下顺序写入寄存器将触发初始化。
1.将 dram_ref_ctrl 寄存器中的 reg_dram_type 字段从1设置为0
2.将 SDRAM_CONFIG 寄存器中的 reg_dram_type 字段设置为3
上述理解是否正确?
我有一个与第二个补丁相关的问题。
如何在热复位后完全复位并重新初始化 EMIF 和 DDR3存储器?
是否应该使用冷复位(SW 复位或 POR 引脚)而不是热复位来完全复位并重新初始化 EMIF 和 DDR3存储器?
此致、
大辅