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器件型号:AM62L 工具/软件:
客户查询:
在我们的设计中、我们使用 DDR4接口。 DDR4指南中提供了这种功能 仅为40欧姆 和 差分对为80 Ω。 是这样 必须遵循这些阻抗值、或者我们应继续使用50欧姆单端和100欧姆差分 ?
按照的堆叠方式 8层电路板 一方 4mil 布线 宽度 以及我们获得的优势 58 Ω 单端 这就是我们提出这个问题的原因。
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工具/软件:
客户查询:
在我们的设计中、我们使用 DDR4接口。 DDR4指南中提供了这种功能 仅为40欧姆 和 差分对为80 Ω。 是这样 必须遵循这些阻抗值、或者我们应继续使用50欧姆单端和100欧姆差分 ?
按照的堆叠方式 8层电路板 一方 4mil 布线 宽度 以及我们获得的优势 58 Ω 单端 这就是我们提出这个问题的原因。
您好的团队、
以下答案假设 客户使用 x1 16位 DDR4存储器。
那么可以接受更高的阻抗。
在点对点信令等轻负载信号中、常见的是50至60欧姆单端信号和80至100欧姆差分信号。
请记住、制造容差可能会使实际阻抗增加或减去10%。
与更薄的布线相比、使用更宽的布线更容易降低布线阻抗、因为它们有时会因制造而变得太薄。 堆叠中的电介质厚度(与参考平面的距离)是改变阻抗的另一种方法。
其他输入
如果有多个 DRAM 并且命令/地址遇到多个负载、则可能需要使用更低的阻抗- 35至45欧姆单端和70至100欧姆差分。
此致、
Sreenivasa.