工具/软件:
256KB SRAM 存储器系统、分为两个组
–192KB 指令代码(I-RAM)
–64KB 数据空间(D-RAM)
您好 TI 专家、
我们正在开发 M4F 上的 SDL、 TI 提供了一些示例。
当我集成其中三个模块时、我发现 D-RAM 确实不足以使用我们的应用软件进行开发。
我有问题:TI 是否掌握有关所有 SDL 示例所需 RAM 空间的数据信息?
或者、如果 D-RAM 不足以用于 SDL 的开发、M4F 可以使用哪个存储器?
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工具/软件:
256KB SRAM 存储器系统、分为两个组
–192KB 指令代码(I-RAM)
–64KB 数据空间(D-RAM)
您好 TI 专家、
我们正在开发 M4F 上的 SDL、 TI 提供了一些示例。
当我集成其中三个模块时、我发现 D-RAM 确实不足以使用我们的应用软件进行开发。
我有问题:TI 是否掌握有关所有 SDL 示例所需 RAM 空间的数据信息?
或者、如果 D-RAM 不足以用于 SDL 的开发、M4F 可以使用哪个存储器?
您好:
Unknown 说:或者如果 D-RAM 不足以用于 SDL 的开发、M4F 可以使用哪个内存?
M4F 可以访问 DDR。 如果内部 RAM 不足、可以使用 DDR 运行 SDL。
e2e.ti.com/.../faq-sk-am62-how-to-execute-code-from-external-memory-using-m4f-core
此致、
Nihar Potturu。
是的、我们可以使用 DDR、但 TI 是否提供了这样的策略:将存储器部分从 M4F 的片上 RAM 放到 DDR 以实现更好的性能、因为将所有部分放入 DDR 将会得到大约100倍的速度。
从我的测试中可以看出、放入 DDR 的.text 不会产生太大影响、但如果将堆栈放入 DDR、速度可能会稍微慢一些。
很重要
{
/*这有 M4F 入口点和矢量表、必须是0x0 */
.vectors:{}palign (8)> M4F_VECS
.text:{}palign (8)> DDR_1 /*这是代码所在的位置*/
.bss:{}palign (8)> DDR_1 /*这是未初始化的全局变量所在*/
RUN_START (__BSS_START)
RUN_END (__BSS_END)
.data:{}palign (8)> DDR_1 /*这是初始化的全局变量和静态 GO */
.rodata:{}palign (8)> DDR_1 /*这是 const 的 GO */
.sysmem:{}palign (8)> DDR_1 /*这是 malloc 堆的位置*/
.stack:{}palign (8)> DDR_1 /*这是 main () stack 的位置*/
组{
/*这是 Linux 用于了解 IPC"VRINGs"所在位置的资源表*/
.resource_table:{}palign (4096)
}> DDR_0
/* C++项目所需的段*/
.arm.exidx:{}palign (8)> DDR_1 /* C++异常处理需要*/
.init_array:{}palign (8)> DDR_1 /*包含在 main */之前调用的函数指针
_fini_array:{}palign (8)> DDR_1 /*包含在 main 函数之后调用的函数指针*/
}
将 Yong 的讨论放在电子邮件中:
我们可能会发现在 M4F 上部署所有电机控制和 SDL 的风险很高、因为有256KB TCM 和 DDR 访问权限、其性能显著下降。
选择将 SDL 的一部分移至 DM R5、可能需要在该内核上使用安全操作系统。 我们可以深入了解这一点、并将对以下行动采取后续行动。
[回答]我们不建议在 M4F 上部署电机控制和安全功能。 请查看以下考虑事项和反馈。
电机控制 |
安全应用 |
优点 |
Wkup R5F |
MCU M4F |
1.与 M4相比、总体性能更好、因为从 R5F 内核访问 DDR 时没有延迟问题。 需要 FreeRTOS 才能运行 DM。 |
Wkup R5F |
Wkup R5F |
1.与 M4相比、总体性能更好、因为从 R5F 内核访问 DDR 时没有延迟问题。 |
MCU M4F |
Wkup R5F |
1. EPWM 中断路由到 MCU M4F 内核 |
MCU M4F |
MCU M4F |
TI 不建议这样做。 |
[1]。 可以修改 FreeRTOS 以确保安全;此项工作必须由客户进行、并且超出了 TI 支持的范围。 |