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[参考译文] TDA4VH-Q1:是否可以使用2个8GB LPDDR4芯片总共16GB 存储器?

Guru**** 2362840 points
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/processors-group/processors/f/processors-forum/1509109/tda4vh-q1-is-it-possible-to-use-2-8gb-lpddr4-chips-for-a-total-of-16gb-memory

器件型号:TDA4VH-Q1
Thread 中讨论的其他器件:TDA4VH

工具/软件:

嗨、TI、
是否可以分别使用2个8Gb 的 LPDDR4芯片来获得16GB 的总容量?

我们特别关注的是如下金士顿芯片:  Q6422XM3BDGVK-U
已附加数据表。

如果可能、这是否意味着任何性能上的影响?

非常感谢。

Josh

mm.digikey.com/.../Q6422XM3BDGVK-U.pdf

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、

    TDA4x 器件上的每个 DDR 子系统都支持高达8GB 的 LPDDR4存储器。  TDA4VH 支持高达4个 DDRSS。 可以使用可用 DDR 子系统的子集;但是、必须按数字顺序使用 DDR 子系统。 换句话说、如果只使用4个可用 DDR 子系统中的2个、则必须使用 DDRSS0和 DDRSS1。  

    另外需要注意的是、TDA4x DDR 子系统仅支持 LPDDR4 (1.1V VDDQ)。 不支持 LPDDR4X (0.6V VDDQ)。 我找不到您在金士顿网页上列出的器件、但 您提供的数据表似乎表明这是 LPDDR4X 内存。

    Unknown 说:
    、如果可能的话、这是否意味着任何性能的提高?

    我不知道您对上述问题的意思、但我在下面添加了一些评论以供考虑。

    更大的 LPDDR4密度需要更长的刷新周期时间(tRFC)。 使用4个 DDRSS 交错应该提供比2个 DDRSS 交错更好的性能。 实际性能是否存在差异可能取决于应用。  

    因此、您可以考虑使用具有一半密度的4x DDRSS、相当于相同的总存储器容量(理论上、应该能够提供更好的性能)。 不过、这(至少)的代价是 PCB 上的布线/复杂性增加。  

    此致、
    Kevin