[FAQ] [参考译文] [常见问题解答] AM62x、AM62Px、AM62D-Q1、AM64x、AM243x：4KB 扇区擦除失败

闪存数据表、您可以参考：  

S28HS512T： 数据表

S25HL512T： 数据表

Unknown 说：

MCU 和 SDK AM6xx 闪存驱动程序在哪种模式下工作。

MCU PLUS SDK 闪存驱动程序在被设置为统一模式的闪存上运行。

在我们了解如何从一种模式切换到另一种模式之前、了解我们为什么要这样做非常重要。

一个主要原因如下：

假设对于写入操作、要编程或写入闪存的字节数略低于4KB。 然后在这种情况下、我们首先要在写入之前擦除要写入的空间。 假设闪存处于统一模式、因此每次编程的数据略低于4KB 时、我们都需要擦除256KB 的数据、这毫无意义。

因此、切换到混合模式允许少量大小为4KB 的空间。 因此、假设我们要对3KB 数据进行编程、因此、擦除一个大小为4KB 的扇区在这里更有意义。

让我们看看如何在下一个响应中从一个切换到另一个。

Unknown 说：

如何从一种模式切换到另一种模式。

取决于所使用的闪存器件。

如果使用 S25HL512T、请参阅：  https://e2e.ti.com/support/processors-group/processors/f/processors-forum/1433720/am62a3-norflash-s28hs512t-sector-erase-failed/5677911#5677911

如果使用 S28HS512T、请参阅：  https://e2e.ti.com/support/processors-group/processors/f/processors-forum/1433720/am62a3-norflash-s28hs512t-sector-erase-failed/5687747#5687747

请注意：

有时在闪存上电/断电期间、TB4KBS 位可能会从1设置回0。

最好考虑保护位、即 PLPROT。

当 PLPROT 设置为1时、可以保护下表说明中突出显示的位不会被擦除或编程。

下面是一个可以启用的代码片段：

1.混合配置、将 UNHYSA 设置为0。

2. TB4KBS 设置为1、表示启用了前32 * 4KB 扇区。

int32_t Flash_quirkSpansionUNHYSAEnable(Flash_Config *config)
{
    int32_t status = SystemP_SUCCESS;
    uint8_t regData = 0x00;
    uint32_t write = 0;

    /* Hybrid Sector Enable */
    status = Flash_norOspiRegRead(config, 0x65, 0x00800004, &regData);

    if(status == SystemP_SUCCESS)
    {
        if((regData & ((uint8_t)(1 << 3))) == 1)
        {
            /* Clear UNHYSA bit */
            regData &= ~(1 << 3);
            write = 1U;
        }
        else
        {
            /* No action */
        }
    }

    if(write)
    {
        status = Flash_norOspiRegWrite(config, 0x71, 0x04, regData);
    }
    /* Top Address Range selection for 4KB Sector Block */
    regData = 0x0;
    status = Flash_norOspiRegRead(config, 0x65, 0x00800002, &regData);

    /* Set TB4KBS Bit */
    regData |= (1 << 2);
    status = Flash_norOspiRegWrite(config, 0x71, 0x02, regData);

    return status;
}