主题:AM2732中讨论的其他器件
工具/软件:
我正在开发一个连接到处理器的 MRAM 或 FeRAM 器件。 这些可以是 QSPI 器件。 是否可以将两个器件连接到 QSPI 接口:一个 NAND 闪存和一个(或多个) MRAM 器件?
TIA、
-科瑞
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工具/软件:
我正在开发一个连接到处理器的 MRAM 或 FeRAM 器件。 这些可以是 QSPI 器件。 是否可以将两个器件连接到 QSPI 接口:一个 NAND 闪存和一个(或多个) MRAM 器件?
TIA、
-科瑞
Corey、
将多个 QSPI 器件连接到同一接口时存在以下问题:
第一个优势是 AM273上只有一个 QSPI-CS 信号可用。 您需要添加控制逻辑以确保预期的 QSPI 器件获得 CS 信号。
第二个方面是您需要在线路上进行某种多路复用、以便一次只物理连接一条到一个 QSPI 器件的信号路径。 您不能像多器件 I2C 接口那样简单地路由到 QSPI 器件和 AM273。 始终都会在连接其中一个 QSPI 器件时在信号路径上获得残桩(在连接到另一个 QSPI 器件的位置)。 这些残桩会导致信号路径上出现反射并破坏信号完整性。 您可以添加一个高速多路复用器(确保它为您计划使用的 QSPI 频率提供足够的带宽)并将其用作两个 QSPI 器件之间连接的开关。 这可以在 PCB 中布线、确保在任一 QSPI 器件的信号路径上不会出现残桩。
第三个问题(如果您实现上述功能)是、如果您打算使用 QSPI 引导、则需要确保多路复用器上的默认信号路径连接到要从中引导的 QSPI 器件。 为此、需要在控制线路上使用上拉或类似器件、因为在 AM273器件启动之前、需要对其进行配置、并且能够开始控制任何信号路径。
谢谢、
Mike
谢谢 Mike:
我认为、多路复用 CS 线路非常简单。 只是连接到默认为闪存器件的 GPIO 的多路复用器或某些门。
多路复用其他线路听起来更具挑战性。 这些线是双向的、并且很难知道每条线的方向。 此外、让时间来处理这一问题也是一项挑战。 您需要某种理解该协议的方法、而不仅仅是连接到 GPIO 的双向多路复用器。
我可以把它们从垫的一侧跑出来、然后从另一侧跑出去。 那么此时阻抗变化会很大、而不是残桩。 我想可以让布线采用焊盘的尺寸来消除这种情况。 则芯片上仍有残桩引脚。 我认为 QSPI 中的 IO 线路在不使用时会具有高阻抗。
不管怎样,这对一群人有帮助;这给了我一些工作.
-科瑞
我可以运行这些行、这些行位于填充区的一侧而另一侧。
这不奏效。 如果您考虑将 PCB 布局简化为以下内容、其中布线依次延伸到闪存 A 焊盘的一侧和闪存 B 的另一侧:
AM273-- 闪存 A ---- 闪存 B
与闪存 B 通信就可以了。 但是、与闪存 A 通信时、从 A 到 B 的布线长度将充当残桩、从而增加反射。
您需要使用类似该器件的多路复用器: TS3DDR3812RUAR
通过多路复用器传输的所有信号都具有相同的带宽和时序、因此、只要通过多路复用器路由所有信号、就不需要担心。
谢谢、
Mike
我想了更多关于这个,我有一些疯狂的想法。
这些芯片都有相同的布局。 如果将一个引脚放在板的底部并翻转、则相应的引脚将非常靠近。 中间4个引脚(包括时钟)之间的间距约为1.5mm、然后在电路板上经过的间距约为1.5mm、因此总间距为3mm。 IO0引脚的总面积约为5.5mm、因为它位于芯片末端。 如果假设传播为.5C (可能接近.66C)、3mm 约为20ps、5.5mm 约为36ps。 在133MHz 时、时钟~7.5ns。 这可能不是 I/O 线的问题。
对于时钟、我不确定、我假设存在双重计时的风险。 据我所知、串联电阻在开始时将允许一半的 VIO、信号将传播、然后反射、其中电压将翻倍、然后再次达到串联电阻。 中间的时钟信号将看到1/2 VIO、然后40ps 后将进入 VIO。
但实际上这些线路具有电容、需要一些时间才能为其充电。 与我在数据表中看到的值相比、这些信号的上升时间可能约为300ps。 再说一次、我不确定这有多重要。
因为它是从串联电阻到 IO 引脚的最长线路、约5mm。
我的另一个疯狂想法是进行 Y 连接并在 Y 的每条桥臂上放置一个串联电阻器、另一个串联电阻器的值是主桥臂上其他电阻器值的一半。
现在我想知道的另一点是在哪里放置串联电阻器。 在我的当前布局中、这些电阻器直接位于 AM2732和 QSPI 器件之间、它们都尽可能靠近、因此实际上它们位于完整信号路径的中间。 除了将 QSPI 器件移至离芯片更远的位置、我对此无能为力、这看起来很愚蠢。 这些距离是如此短,我不知道什么重要。
不管怎么说,一个可能是疯狂的人疯狂的隆隆声
再次感谢。