This thread has been locked.

If you have a related question, please click the "Ask a related question" button in the top right corner. The newly created question will be automatically linked to this question.

[参考译文] AM6442:AM6442BSDGHAALV PDN 目标。

Guru**** 2344920 points
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/processors-group/processors/f/processors-forum/1530346/am6442-am6442bsdghaalv-pdn-targets

器件型号:AM6442

工具/软件:

尊敬的团队:

不同应用  AM6442BSDGHAALV 在我们的某个设计中、我们将使用以下公式计算 VDD_CORE 的 ZTarget

Ztarget =(电压轨 x %Ripple)/ 0.5 x Imax

          电压轨= 0.75V

          %Ripple = 1.6%

          IMAX = 主题

    %Ripple = 1.6%是根据以下方法得出的。

1) 我们使用的是 PMIC:TPS6522053RHBR 其降压转换器 1 最小输出电压为 0.73875V(典型值为 0.75V)。 考虑 –1.5%的纹波作为最坏情况。

2) 我们使用的是 处理器:  AM6442BSDGHAALV VDD_CORE 的最小输入电压(典型值为 0.75V)为 0.715V。 其最小纹波计算结果为–4.66667%。

3) 现在计算出的纹波裕度为(–4.66667)-(–1.5)=–3.16667%

4) 此外、–3.16667 除以 2、可获得针对 VDD_CORE I、E 的严格 Ztarget。:(–3.16667/2)= 1.58333%、如所示四舍五入 1.6%。

现在、在将上述值代入 Ztarget 公式时、我们 得到:

         Ztarget =(0.75V x 1.6%)/(0.5 x 2A)= 12mΩ。

但是、当我们参考 中的 TI 文档“SPRAC76G–2022 年 11 月–2024 年 2 月修订“(SitaraTm 处理器配电网络:实施与分析)时、我们看到了该文档 表 7-7. 我们可以看到不同的 Ztarget 值、下面是相同的快照、供您参考。

您能给我们解释一下 TI 如何实现下面给出的不同 Ztarget 值吗?

            10.  ≤Ω 代表 MΩ Ω 1MHz

            1 –20MHz 的 34mΩ  

            适用于 20 –50MHz 的 35mΩ

为了得到上述值、VDD_CORE 的输入电压是否被视为理想电压 0.75V?

谢谢你。
此致

Amarnath G

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好 Amarnath、  

    感谢您的查询。

     PDN 目标是 PDN 仿真/最坏情况负载瞬态分析的结果

    让我检查一下并更新。

    此致、

    Sreenivasa.

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好 Amarnath、  

    请参阅我从专家那里收到的以下意见:

    对于 AM64x、我们不使用负载瞬态方法来计算目标 Z 我们提取了 EVM 的阻抗图(发现通过表征)、并提供了交流阻抗作为不同频段的目标。

     

    另请注意、对于所有频段、1.6%的目标将过于严格。 我们通常使用:

     

    1MHz 时为 3%

    1– 20MHz 为 5%

    20 –50MHz 为 10%

     

    这是因为去耦电容器会出现额外的封装/布拉德电感、在较高频率的瞬态下、电路板去耦电容器的有效性会大大降低。 较高频率的瞬态将取决于充分抑制片上去耦电容器的有效性。

    此致、

    Sreenivasa.