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[参考译文] TDA4VH-Q1:从 IBIS 文件中选择正确的 ODT 模型、用于 LPDDR 接口信号完整性分析

Guru**** 2451970 points


请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/processors-group/processors/f/processors-forum/1550502/tda4vh-q1-choosing-the-correct-odt-models-from-ibis-file-for-lpddr-interface-signal-integrity-analysis

器件型号:TDA4VH-Q1
Thread 中讨论的其他器件:TDA4VH

工具/软件:

对于与 TDA4VH EVM (sprr458c) 类似的设计、如果将 TDA4VH SoC 与 Micron MT53E2G32D4DE LPDDR4 存储器一起使用、并在使用 LPDDR4 设计指南(文档:spracn9f)定义的目标阻抗时、您能否确认 SoC 和存储器针对所有信号(DQ、DQS、Addr 等)的建议 ODT / OCD 终端选择?

如果使用“ODT_OFF",“,则、则使用此模型时的输出阻抗是多少?

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    下面的是 TDA4VH EVM 的默认设置。

    • 处理器端
      • DQ/DQS 驱动强度(写入):40 欧姆
      • DQ/DQS ODT(读取):40 欧姆
      • CA / CK 驱动强度:40 欧姆
      • CS 驱动强度:80 欧姆
    • DRAM 侧
      • DQ/DQS 驱动强度或 PDD(读取):RZQ/6(40 欧姆)
      • DQ/DQS ODT(写入):RZQ/5(48 Ω)
      • CA/CK/CS ODT:RZQ/3(80 欧姆)
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    谢谢你。

    如果 CS 布线为单端点对点信号、那么为什么要将其设置为 80 欧姆?

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    CA/CK/CS ODT 和 CA/CK/CS VREF 配置均在 LPDDR4 存储器上共享

    CS 是点对点的、而 CA/CK 路由到 2 个 IO(并联);因此、CA/CK 的有效 ODT 将是 CA/CK 编程值的一半

    因为我们为 CA/CK 设置了共享设置并处理 CS 不匹配