工具/软件:
您好、专家
我们之前的 SDK 版本为 0806、具有两个 2G DDR。 正确配置后、电路板可以正常引导。 现在、我们已经升级到 SDK RTOS 版本 1106、并直接使用以前的 DDR 参数。 我们发现在 DDR 初始化期间、会显示错误消息并且电路板冻结。 我们使用最新的配置工具重新生成了相同的参数、并发现了相同的问题。 请检查下面的日志文件。 请转接到 TI 以帮助找出出现此问题的原因。

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您好、专家
我们之前的 SDK 版本为 0806、具有两个 2G DDR。 正确配置后、电路板可以正常引导。 现在、我们已经升级到 SDK RTOS 版本 1106、并直接使用以前的 DDR 参数。 我们发现在 DDR 初始化期间、会显示错误消息并且电路板冻结。 我们使用最新的配置工具重新生成了相同的参数、并发现了相同的问题。 请检查下面的日志文件。 请转接到 TI 以帮助找出出现此问题的原因。

您好、
很遗憾、我不是软件团队的一员、所以不知道 SDK 之间有什么变化、但我支持 DDR 接口、最近有另一个客户 也提出了类似的声明(使用相同的寄存器配置时,将 SDK 升级到 11.0 导致 DDR 无法初始化)。
在另一个客户的情况下、下面的提交似乎是相关的、并且通过删除对此函数的调用来解决问题: J721S2_SetupLeoPmicAvs (SBL_OPP_NOM) ;
您能看到相同的修改是否也能解决您的问题吗?
此致、
Kevin