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[参考译文] AM625:DDR4 布线阻抗和驱动强度

Guru**** 2454880 points
Other Parts Discussed in Thread: AM62L, SYSCONFIG

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/processors-group/processors/f/processors-forum/1545425/am625-ddr4-trace-impedance-and-drive-strength

器件型号:AM625
主题中讨论的其他器件:AM62LSysConfig

工具/软件:

我想 确认: 使用从 AM6254 到单个 DDR4 器件的点对点布线 可以接受- 50Ω 单端布线阻抗。
我们 更倾向于 使用 50Ω 布线、因为它们比 DDR 设计指南建议的 40Ω 布线更薄。  较薄的 50Ω 布线将更容易以足够的布线间距进行布线。
我们认为这种方法在技术上是合理的、原因有以下几个:
  • 我们实现的 Micron x16 双芯片 DDR4 器件支持 48Ω 驱动强度、以便与 50Ω 布线阻抗配合使用。
  • 最近的 E2E AM62L 文章 确认 50Ω 布线阻抗对于 DDR4 点对点布线是可接受的。 AM62L 和 AM6254 均参考相同的 TI DDR 设计指南
我们希望确认、因为 40Ω 80Ω 指南仅提及 DDR/DDR 布线阻抗。
在使用 50Ω 或 100Ω 布线阻抗而不是 40Ω 或 80Ω 时、我们应该注意哪些限制或权衡?
如果您需要有关我们实施的更多详细信息、请告知我们。
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    您好 Brendan、

    是、对于轻负载信号(即点对点)、可以接受 50 Ω 单端(100 Ω 差分)布线阻抗、控制器支持 48 Ω 驱动强度设置。  只需注意制造商容差可高达+/- 10%、一些制造商难以使用更薄的迹线。

    此致、

    James

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    谢谢! 您是否知道在 50Ω 布线阻抗 48Ω 驱动强度而不是 40Ω 下运行时可能会发生哪些权衡? 例如、这种情况是否会 对信号完整性或其他特性产生不利影响?

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    只要正确处理阻抗匹配和布线间距、就应该能够以 50 欧姆实现良好的信号完整性。  我推荐使用电路板仿真来增强对信号完整性的信心。   刚才提到的主要权衡是引线宽度的可制造性。

    此致、

    James

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    尊敬的 JJJD:

    我们需要在 DDR4 SysConfig 设置中为 50Ω 布线阻抗修改哪些参数?

    以下是 SysConfig DDR 配置 0.10.32 的默认设置:

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    重点介绍驱动器阻抗和 ODT 设置。 通用寄存器。  您很可能将这些电阻器设置为 48 Ω、但可能必须根据制造公差进行调整。

    此致、

    James