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[参考译文] TDA4VH-Q1:PCIe REFCLK 输出、终端电阻器放置

Guru**** 2558830 points


请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/processors-group/processors/f/processors-forum/1555242/tda4vh-q1-pcie-refclk-output-termination-resistor-placement

器件型号:TDA4VH-Q1
Thread 中讨论的其他器件:TDA4VH

工具/软件:

当 REFCLK 用作从 TDA4VH SoC 到外设的输出时、PCIe REFCLK_P/REFCLK_N 上的 50 Ω 终端电阻器的建议放置方式是什么?

我们正在使用 Hyperlynx 仿真 PCIe REFCLK、并使用标准 SERDES 模型生成 100MHz 差分时钟。

按照 Jacinto7 AM6x、TDA4x 和 DRA8x 高速接口 (spracp4a) 和 TDA4VH EVM 设计的建议、将 50 欧姆终端电阻放置在靠近 SoC 的位置时、我们会得到以下信号波形:  

但是、当从靠近 SoC 的位置移除端接电阻器并将其放置在外设(接收器)旁边时、我们会得到以下信号波形、这看起来更像预期的波形。

 在这种情况下、TDA4VH PCIE_REFCLK 输出是否不同、终端电阻器仍应靠近 SoC(发送器)、而不是靠近外设(接收器)?

如果是、您是否会有仿真模型 pcie_refclk?

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    PCIE_REFCLK 驱动器 IO 与 HCSL 类似、需要在源附近连接 50 Ω 至 GND。  要确认 — 每个 P 和 N 时钟信号上都有连接到 GND 的 50 欧姆电阻器?  您的布线方式是否也不会创建残桩网(布线应穿过电阻器焊盘,而不是连接到电阻器焊盘?

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    是的、此设计是正确的。

    您是否具有 pcie_refclk 驱动器的 IBIS 模型?

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    很抱歉响应速度慢 — 我正在搜索仿真模型。  该参数未在标准 IBIS 中找到、也未包含在 SERDES 的 IBIS-AMI 模型中。  另一项注意事项是波形结果还可能取决于电路中包含的任何其他终端、例如 REFCLK 接收器是否启用了终端。