[参考译文] AM6546：DDR4 多位 ECC 故障

您好、Johnny、抱歉、您的回复太晚了

1.我 认为 VREF 警告不重要。  从该规格中可以看出：  

在以下情况下、此标志将置为有效： 当 VREF 值在扫描期间达到限值（最小值或最大值） 但未检测到数据故障时、警告标志将置为有效。

这说明您有很大的 VREF 裕度、因为它到达了边界之一而没有失败。  所以我认为这不是问题。

2.是的,这似乎是一个拼写错误,应该是  6'b001110

3、VT 计算抑制需要在写入延迟线时设置,例如在初始化过程中,这就是配置设置延迟线的原因。  我相信您可以在 INIT 后清除该位（不确定我们的驱动程序是否会清除该位）以启用 VT 补偿逻辑。  

4.不看细节,我会说也许。  如果你想放松这些值中的任何一个,我会尝试通过 xls 执行它,如果有依赖性,它将得到正确的计算。

5.工具中似乎有一个错误,其中 PL 未正确包含在 RL 和 WL 参数中。  理想情况下、当您在“DDR Timing“选项卡中更新 PL 时、它应该会更新您提到的那些值。  我必须查看并更新工具

当你说你最近看到了这个,你能给我更多的背景吗?  这些新的电路板构建了吗？ 不同的制造商？ 不同的器件型号？

如果您认为时序中的某些因素导致 ECC 错误、可以根据需要放宽参数限制。  您是否尝试过禁用 CA 奇偶校验、看看是否仍然出现 ECC 错误（这将有助于消除 PL 导致的时序错误）？

此致、

James

您好、James：
硬件板有细微更改、但不会影响内存。 AM65 Sitara 和存储器芯片属于同一批生产。 与此同时、我们还计划先更换故障模块上的存储器芯片、然后更换 Sitara、并分析 PCB。

我们已经尝试禁用 CA 奇偶校验、但仍然收到 ECC 错误。

从存在 ECC 错误的存储器中读取数据时、几乎所有位都设置为 1、一位除外（例如 0xFFFFFFFF）。 您是否可以基于此说出有关 ECC 错误的一些内容？

我们在不同模块（随附的 Excel 文件）上记录了一些 DDR PHY 寄存器。 黄色模块经常收到 ECC 错误（大约 1 分钟后）。 您是否可能在注册表中看到可能出错的内容？

此致

Johnny

e2e.ti.com/.../DdrPhyRegisters.xlsx

0xFFFFFFFF 几乎使其似乎发生了更灾难性的事情。  发生错误时、是否所有地址位置都显示除一个位之外的所有位均设置为 1？  此错误是在成功操作一段时间后发生（需要多少时间？）、还是这些 ECC 错误会立即发生？

是否可以在未启用 ECC 的情况下测试这些不良电路板？  这可以让您更好地了解误差是什么。  如果问题发生在某些地址位置的几个错误位、这与总存储器损坏时不同。  禁用 ECC 的情况下、这将更易于查看和评估。   如果所有地址都受到影响、则可能存在某种事件导致控制器或存储器内容损坏。

我看了看登记册,没有看到任何异常的东西。  训练值与运行之间会略有不同、我没有看到任何表明训练不良或饱和值的情况。

此致、

James

可能由于信号完整性较差、您会感应到更多的噪声。  由于写入次数越多、问题就越严重、因此需要检查存储器上地址/数据和 ODT 的驱动强度。  您使用的值是否来自电路板仿真？  还是使用了电子表格中的默认值？

这是否也意味着在增加读取负载时 ECC 错误不会增加？

您看到了哪种类型的错误？  还是您上面描述的内容？

我们已经在未启用 ECC 的情况下测试了坏板、但我们目前还无法检测到任何错误。

这很有趣。   电路板上的 DDR 拓扑是什么？  您能发送原理图吗？  ECC 存储器是单独的芯片吗？

此致、

James

您好、James：

我们没有进行任何电路板仿真、我们的 addr/data 和 ODT on memory 值是我们的最佳猜测（请参阅随附的图像）。

由于我们的存储器布局尽可能类似于评估板 (TMDX654IDKEVM)、因此我们使用默认 TI 建议的阻抗参数执行了测试（请参阅随附的图）。

在默认配置下、我们在 3 个不同的模块上测试了 3 天、没有任何 ECC 错误（单错或双错）、因此看起来非常有前景。
这对我们来说是最好的地址/数据和 ODT 存储器吗？

电子表格中有一条注释：
**注意:用户应检查其 DDR 制造商提供的建议。

我们已经查看了 DDR 存储器的数据表以获取建议、但未找到任何建议。
您知道我们在哪里可以找到这些建议吗？

此致、Johnny

嗨、Johnny 没有仿真数据、由于布局与 EVM 类似、因此强烈建议使用工具中的默认值。  我认为供应商通常会有应用手册或直接与他们交谈的形式的建议、它们通常不在数据表中。

如果您可以在整个温度范围内执行测试、那么我认为这应该能让您对配置的稳健性有一定的信心。

此致、

James

我们现在已经在 3 个不同的模块上在室温下测试了 3 天、在高温（环境温度为 65 摄氏度、AM65 芯片温度为 100 摄氏度左右）下测试了 1 天、没有任何 ECC 错误（单错或双错）、因此看起来仍然非常有前景。

在选择端接阻抗时、我们只需查看端接电阻（39.2 欧姆）并选择最接近此值的电阻。 您能解释一下端接阻抗的参数吗？

ODT / Rtt_Nom

输出驱动器阻抗

ODT / RTT

输出驱动器阻抗：Addr/Ctrl/Clk

输出驱动器阻抗：数据/选通

然后、我们有一个有关 DDRPHY_PGCR1 位 8-7 ALERTMODE 的问题。 我们将其初始化为 0b00、因为我们使用 CA 奇偶校验、CA 奇偶校验按预期工作。 但是、TRM 规定“在 PHY 初始化后、如果支持奇偶校验、则该字段应编程为 2'b00。“ 在初始化期间将这些位设置为其他值（例如 0b01）是否很重要？

此致、Johnny

您好 Johnny、

ODT/RTT_Nom 是存储器中的 ODT 设置（在写入期间使用）

输出驱动器阻抗是存储器中的驱动器阻抗设置（在读取期间使用）

ODT/RTT 是处理器中的 ODT 设置（在读取期间使用）

输出驱动器阻抗：Addr/Ctrl/Clk 是处理器中所有 Addr/Ctrl/Clk 信号的驱动器阻抗设置（用于所有 DDR 命令）

输出驱动器阻抗：数据/选通是处理器中所有 DQ/DQS/DM 信号的驱动器阻抗设置（在写入期间使用）

对于 ALERTMODE、我认为注意事项只是说明应使用 0b00 设置启用警报信号、否则控制器永远不会看到来自存储器的 CA 奇偶校验错误信号。  这并不意味着它应该是初始化期间的其他设置。

此致、

James