请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
器件型号：AM6421工具/软件：
您好：
在 TI AM64x 处理器上执行高频下电上电测试时、我们遇到与外部闪存引导相关的问题。
系统配置为使用 XSPI 引导模式从外部 W25Q256 闪存设备引导。 在测试过程中、我们偶尔会观察到 SBL（次级引导加载程序）执行挂起。 下电上电后、RBL（ROM 引导加载程序）无法成功加载 SBL。
经过调查、我们发现 W25Q256 状态寄存器 3 中的 ADP 位（寻址模式位）被意外设置、从而强制闪存进入 4 字节地址模式。 这是有问题的、因为我们的 SBL 和应用程序代码都不包含任何有意修改此位的操作、指示意外的状态更改。
值得注意的是、在使用 QSPI 或标准 SPI 引导模式时不会发生这个问题 — 系统引导在这些配置中保持稳定。
XSPI 模式下是否存在任何已知风险、这些风险可能会导致意外写入闪存状态寄存器？
感谢您的支持！
此致
Ryan
