工具/软件：
您好、TI 支持团队。
我对 AM6442 CR5 的 WDT 有疑问。
我正在使用 MCU_PLUS_SDK_am64x_08_06_00_45 作为 SDK。
我想以微秒级顺序使用 WDT、而不是以毫秒级顺序使用。
例如、我想每 50us 清除一次 WDT。
查看 API 的 Watchdog_Params、可以看到以下参数：
“uint32_t Watchdog_Params：：：expirationTime“
此器件为毫秒、但您能告诉我如何以微秒为单位进行设置吗？
此外、如果有任何使用 WDT 复位 CPU 的示例代码、请告知我。
此致、
今泉清正。
附加说明。
在上述 CR5 无法完成 WDT 复位并且未重新启动的情况下、我使用 XDS110 调试器连接到了 CCS 中的 CR5。
如下所示、它指向 CR5 工程的存储器映射中未包含的地址、例如 0x41822048。
如果 CA53 处于 Flash_open 状态时 WDT 在 CR5 中超时、会发生什么情况？
此致、
今泉清正。
你好、Imaizumi Kiyomsasa、
RTI0 专用于 A53cluster 0。
要将 RTI0 中断路由到 ESM、我们需要设置为第 160 位、而不是 162 位。
因此、尝试使用下面的 A53 内核进行配置、查看配置是否起作用。
SDL_ESM_config RTI_Test_esmInitConfig_MAIN =
{
.esmErrorConfig = {0u, 3u}, /* Self test error config */
.enableBitmap = {0x00000000u, 0x00000000u, 0x00000000u, 0x00000000u,
0x00000000u, 0x00000001u,
},
/**< All events enable: except timer and self test events, */
/* and Main ESM output.Configured based off esmErrorConfig to test high or low priorty events.*/
.priorityBitmap = {0x00000000u, 0x00000000u, 0x00000000u, 0x00000000u,
0x00000000u, 0x00000001u,
},
/**< Configured based off esmErrorConfig to test high or low priorty events. */
.errorpinBitmap = {0x00000000u, 0x000000e0u, 0x00000000u, 0x00000000u,
0x00000000u, 0x00000000u,
},
/**< All events high priority: */
};
我不确定您是如何将 闪存移植到 A53 内核中的。
默认情况下、闪存在 R5F 内核上可用、而不在 A53 内核上可用。
请分享如何在 A53 内核上集成闪存驱动程序的方法。
此致、
Anil.
此致、
Anil.
您好、Swargam Anil。
我将 RTI8 与 CR5 和 WDT 一起使用。
不是 CA53。
在示例程序 (sdl_RTI_example_uc1_am64x-evm_r5fss0-0_nortos_ti-arm-clang.zip) 中、闪存由 CR5 内核运行。
CA53 是不相关的。
我将 RTI8 与 CR5 和 WDT 一起使用。
不是 CA53。
在示例程序 (sdl_RTI_example_uc1_am64x-evm_r5fss0-0_nortos_ti-arm-clang.zip) 中、闪存由 CR5 内核运行。
CA53 是不相关的。
使用 CR5 内核执行 Flash_Open 后、我希望 WDT 在 10 秒后执行复位。
但是、未发生重置。
我使用 CCS 从 RAM 引导了示例程序。
当我在加载程序超过 10 秒后停止程序时、执行地址不正确 (0x418274D2)。
发生什么事了？
但是、如果未执行 Flash_Open、程序会正确重新引导、因此我已确定原因与闪存有关。
此致、
今泉清正。
你好、 今泉清正、
在设置中、尝试删除此配置并观察行为。
您能否在没有更改 WDT 的情况下确认是否执行了闪存打开？
上述挂起地址属于 ROM 地址。
此致、
Anil.
您好、Swargam Anil。
感谢您的答复。
我在 SysConfig 中删除了 MPU_REGION4 并重新构建。
当我从 CCS 执行 RAM 时、Flash_Open 成功。
但是、10 秒后没有发生 WDT 重新引导。
当时在调试器中停止的地址为 0x41827504。
情况没有改善。
暑假从 8 月 13 日开始,所以我想在那时解决这个问题。
此致、
今泉清正。
您好、Swargam Anil。
我将应用程序（闪存+ WDT）写入定制电路板上的闪存并尝试 OSPI 引导。
因此、使用 WDT 重新引导时未输出串行日志。
因此、即使从 ROM 引导、重新引导也无法在定制电路板上正常工作。
当我尝试从 EVM 上的 RAM 引导应用程序时、它会正确地重新启动。
因此、区别在于闪存器件不同。
该 EVM 是 S28HS512T、但定制电路板是 IS25LX256。
它不会在定制电路板上重新启动。
有人知道这件事吗？
在定制电路板上使用 SBL NULL 进行引导时、在加载程序之前、地址 0x40 和 0x44 包含 0xE320F003、0xEBFFFFFD。
我认为这是正确的行为。（对于 RAM 引导）
但是、当 WDT 之后没有重新启动时、地址 0x40 和 0x44 如下所示：
在地址 0x40 附近写入的数据与激活 SBL NULL 时不同。
似乎已应用复位（因为连接到 XDS110 的 CCS 的 Debug 窗口中显示了“A Reset occurred on the Target“）。
如果您使用闪存+WDT 应用程序进行重置并重新引导、则 SBL NULL 应运行。
但是、SBL NULL 似乎未运行。
之后、ROM 区域中的程序（如 0x418220DE）正在运行。
当我使用 CCS 的 Memory Browser 进行检查时、我发现未知数据是从地址 0x41808000 开始写入的。 EVM 也是如此。
重新启动似乎失败、并且已成为 ROM0 区域。
我不知道发生了什么。
唯一的区别是闪存器件。
此致、
今泉清正。