This thread has been locked.

If you have a related question, please click the "Ask a related question" button in the top right corner. The newly created question will be automatically linked to this question.

[参考译文] AM62P:DDR 布局设计

Guru**** 2541040 points


请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/processors-group/processors/f/processors-forum/1560030/am62p-ddr-layout-design

部件号:AM62P


工具/软件:

您好、

我检查了 EVM 原理图“PROC164E1-1",“, 使用、使用了 DDR“MT53E2G32D4DE-046 AUT:C“、即 2Ch(32 位)和 2RANK。

我们的项目使用了 DDR“MT53E512M32D1ZW-046 AAT:B“、即 2Ch(32 位)单列。

请参阅 指南“SPRAD66b",“,必须、必须有 T 分支、规格为 70/140 欧姆。 如果 70 欧姆和 140 欧姆的差分阻抗都正常、我会感到困惑?  

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    或者、 70/140 欧姆 表示 T 分支之前为 70 欧姆、T 分支之后为 140 欧姆?

    谢谢。

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    嗨、Shuai、

    是的。  t 分支差分信号的典型阻抗在分支之前为 70 Ω、然后每个 T 分支的阻抗为 140 Ω。

    此致、

    James