[参考译文] 66AK2H06：SL2/MSMC 存储器中的一位错误

尊敬的 Zekun：

我已通知相应的专家对这一问题进行了调查。

提前感谢您的耐心。

此致

Gokul

嗨、Gokul

由于这个问题是 在大规模生产过程中发生的、因此迫切需要为我们提供线索。 感谢您的支持。

此致

Zekun

尊敬的 Zekun：

问题分析：问题的可疑原因是对同一 SL2 内存子库中的其他数据执行写操作。 小规模写入导致 ECC 校验和暂时无效、再加上粒子辐射、导致 SL2 存储器中的一位错误持续存在。

是的、完全正确。 我认为 SL2 存储器中的部分存储器写入操作导致了问题。 我们必须始终对受 ECC 保护的存储器使用位对齐和全宽写入。  

此致、

Betsy Varughese.

您好 Betsy

对于此写入操作、我们是否有更详细的要求？

像 32 位或 64 位对齐地址写入一样、最小大小= 128k 或 256k？

此致

Zekun

尊敬的 Zekun：

您可以 在下面找到这些详细信息。

参考链接： https://www.ti.com/lit/ug/spruhj6/spruhj6.pdf

此致、

Betsy Varughese.

1) 进一步补充之前的仿真测试用例说明：禁用 L1D 高速缓存和 L2 高速缓存、关闭 SL2 内存后台扫描功能、比较大或小颗粒到同一子存储体的写入、模拟同一子存储体中的一位错误、并观察访问错误数据是否会触发 ECC 中断。
2) 现场设备实际上使用 L1D 高速缓存和 L2 高速缓存,其高速缓存行分别为 32 字节和 128 字节。 将数据写入 SL2 内存需要通过高速缓存、这意味着从理论上讲、将数据写入 SL2 内存是一个大批量写入。
3) 我可以问,在上述实际工作条件下, SL2 内存 ECC 校验码是否有小颗粒写入或短期无效? 请帮助分析并再次提供反馈。 谢谢！

您好、

勘误表报告了在某些条件下错误的 DDR3（而不是 MSMC）写入 ECC 错误、并提供了可能的权变措施。

您能看一下这个 https://www.ti.com/lit/er/sprz402f/sprz402f.pdf?、但我们需要检查它是否也适用于 MSMC。

此致、

Betsy Varughese.

您好 Betsy

1）我们已经检查了 DDR ECC 配置并启用了 RMW 函数。 MSMC 存储器是否具有类似的功能？

2）现场设备实际上使用 L1D 高速缓存和 L2 高速缓存。 如果不考虑后台清理引擎、MSMC 存储器 ECC 校验代码是否可能在短期内失败？

此致、

GQ Zhou

您好、

感谢您的答复！

1) 我们分析一个可能的原因是 L1D 高速缓存中发生了一位错误。 由于 L1D 高速缓存没有 ECC/EDC 函数、因此、当将高速缓存数据写回 MSMC 存储器时、如果 MSMC 存储器中永久出现一位错误、

2) 设备实际上使用 L1D 高速缓存和 L2 高速缓存。 当将高速缓存数据写回 MSMC 存储器时、ECC 校验代码是否会同步计算、无需等待清理引擎？

3) 基于理论分析,是否还有其他可能的原因?

此致、

GQ Zhou

您好、

2) 器件实际上使用 L1D 高速缓存和 L2 高速缓存。 当将高速缓存数据写回 MSMC 存储器时、ECC 校验代码是否会同步计算、无需等待清理引擎？

在写操作期间、MSMC 存储器硬件会同步计算 ECC。ECC 校验代码在写回数据时立即生成并存储、从而确保数据完整性而没有延迟。 在正常缓存写回过程中、无需等待清理引擎来计算 ECC。

3) 根据理论分析、是否有其他可能的原因？

我没有注意到任何其他情况。 但我一定会检查一下、然后返回给您。

此致、
Shabary S Sundar  

您好、

感谢您的答复！

1) 将数据写回 MSMC 存储器时、是否存在 ECC 校验代码不同步计算或暂时无效的情况？

2) 使用高速缓存时、是否在不经过高速缓存的情况下向 MSMC 写入了任何数据？

此致、

GQ Zhou

您好、

这是一个很棒的地方,很棒的一个景点。 在正常工作条件下、同步计算 MSMC 存储器的 ECC。 我会检查这个,并尽快回来给你。

此致、
Shabary S Sundar

您好、

2) 使用高速缓存时、是否在不经过高速缓存的情况下向 MSMC 写入了任何数据？

默认情况下、如果启用了高速缓存、则 L1D 和 L1P 缓存均可缓存 MMSMC/2 级存储器、除非显式将存储器区域配置为不可缓存。

此致、
Shabary S Sundar

您好、

感谢您的答复！

1) 我们的使用场景是 MSMC 存储器仅存储数据、而不存储代码。 因为高速缓存数据写回 MSMC 存储器和 ECC 校验代码会立即生成并存储。 启用 L1D 缓存时是否无需清理引擎？

2) 回到原来的问题（ MSMC 内存中出现一位错误并持续存在）,是否还有其他可能的原因? L1D 缓存错误是唯一的原因吗？

此致、

GQ Zhou

您好、

1) 我们的使用场景是 MSMC 存储器仅存储数据、而不存储代码。 因为高速缓存数据写回 MSMC 存储器和 ECC 校验代码会立即生成并存储。 启用 L1D 缓存时是否无需清理引擎？

即使在写回时使用 L1D 高速缓存和 ECC、也需要清理引擎通过定期查找和修复随时间推移出现的错误来保持 MSMC 存储器可靠。

2) 返回到我们的原始问题（MSMC 存储器中出现一位错误并持续存在）、是否有其他可能的原因？ L1D 缓存错误是唯一的原因吗？

我将在一天内检查并更新。

此致、
Shabary S Sundar

您好、

是否有任何最新信息？ 是否有其他可能的原因导致我们原来的问题?

此致、

GQ Zhou

您好、

是否有任何最新信息？ 是否有其他可能导致我们最初问题的原因？

根据文档、最可能的原因似乎是部分写入和对齐问题。 目前、我们尚未确定与您的问题相关的任何其他因素。 器件勘误表也未指明与此相关的任何其他问题。

此致、
Shabary S Sundar