工具/软件:
在 MCU+ SDK 中、在闪存初始化期间、我们读取器件 ID 和制造 ID
最常见的故障是“ 无法读取闪存 ID... “
让我们了解一下 API 使用哪些参数 Flash_norOspiReadID 以及如何调试此处的故障。
This thread has been locked.
If you have a related question, please click the "Ask a related question" button in the top right corner. The newly created question will be automatically linked to this question.
工具/软件:
在 MCU+ SDK 中、在闪存初始化期间、我们读取器件 ID 和制造 ID
最常见的故障是“ 无法读取闪存 ID... “
让我们了解一下 API 使用哪些参数 Flash_norOspiReadID 以及如何调试此处的故障。
要发送到闪存以读取闪存的器件并在缓冲区中制造 ID 的通用命令结构如下所示:
A 部分+ B 部分+ C 部分
A 部分: 待发送的命令+第一条命令的反向/重复/无
器件 B: 要发送的地址(如果需要)+地址字节数(如果需要)
C 部分: 虚拟周期
让我们挑选几个 Flash 来通过示例了解这一点[注意演示适用于协议 8D-8D-8D]
S28HS512T (频率:200MHz、分频器:8、然后根据数据表、虚拟周期值将为 3)
A 部分: 9Fh +重复 (9Fh)
器件 B: 00h + 4 个地址字节(32 位)
C 部分: 3 个虚拟周期(可从数据表中看到)(以下屏幕截图)

在 Flash_norOspiReadID 内、公式变为:
MX25UW64 / MX25UW128
A 部分: 9Fh +反向 (60h)
器件 B: 00h + 4 个地址字节(32 位)
C 部分: 4 个虚拟周期(可从数据表中看到)(以下屏幕截图)

在 Flash_norOspiReadID 内、公式变为:
IS25LX128
A 部分: 9Fh + 重复 (9Fh)
器件 B: OSPI_CMD_INVALID_ADDR(无需地址)
C 部分: 8 个虚拟周期(可从数据表中看到)(以下屏幕截图)

在 Flash_norOspiReadID 内、公式变为: