您好、 Maciej Kubica 

您能否添加一些详细信息、说明与先前的测试相比发生了哪些变化、这使得此错误更加普遍？ OSPI PHY 调优在过去几年中有一些更新。 您目前使用的是哪个 SDK 版本？

在 PVT 上测试时、该问题是否更加普遍、是否之前看起来有类似的问题、并绘制了 Rx 和 Tx DLL 的可能 OTP 值？ 可以从 调优图推断所选 OTP的“运行状况“和稳健性。

此致

Karan

您好、

我已经通读了电子邮件和 e2e。

日志中显示“在没有 PHY 的情况下继续“。

通常在发生以下任一情况时发生这种情况：

1.无法正确读取 128 字节的 Phy 调优闪存攻击向量。

2. phy 调优闪存攻击向量被擦除。

请注意、调优算法未失败、因为调优算法失败会导致闪存驱动程序打开失败、但在上述情况下、该流程将继续进行、而不会启用 phy。

为了理解我正在讨论的 phy 调优攻击向量和 ospi phy 调优算法、请阅读以下常见问题解答、这应该很好地继续。

 【常见问题解答】SK-AM64B：--operation=flash-phy-tuning-data 的目的是什么？ 

此致、

Vaibhav

您好、

需要客户提供以下详细信息：

为了进一步调试此问题、我还需要闪存器件名称以及 SysConfig 闪存设置、用于 SBL Stage 2 和 SBL UART Uniflash。

对我采取的行动：  

有时、我将分享一段代码更改片段、该片段会在 Flash_norOspiOpen 内部输出一个缓冲区。 这将有助于我了解 SBL 阶段 2 的闪存攻击向量是否损坏。

谢谢、

Vaibhav

您好、

请替换以下文件下 Flash_norOspiOpen 的定义：source/board/flash/ospi/flash_nor_ospi.c

并 还添加新函数 Flash_norOspiSetRdDataCaptureDelay。

static int32_t Flash_norOspiSetRdDataCaptureDelay(Flash_Config *config)
{
    int32_t status = SystemP_SUCCESS;
    Flash_NorOspiObject *obj = (Flash_NorOspiObject *)(config->object);
    uint32_t maxReadDataCapDelay = 0, minReadDataCapDelay = 0;
    
    /* Set RD Capture Delay by reading ID */
    uint32_t origBaudRateDiv = 15U;
    uint32_t readDataCapDelay = origBaudRateDiv;

    while(readDataCapDelay > 0)
    {
        OSPI_setRdDataCaptureDelay(obj->ospiHandle, readDataCapDelay);
        status = Flash_norOspiReadId(config);
        if(status == SystemP_SUCCESS)
        {
            if(maxReadDataCapDelay == 0)
            {
                maxReadDataCapDelay = readDataCapDelay;
            }
            minReadDataCapDelay = readDataCapDelay;
        }
        readDataCapDelay--;
    }

    if(maxReadDataCapDelay == 0)
    {
        status = SystemP_FAILURE;
    }
    else
    {
        /* Picking the middle value from a region of passing read data capture delay */
        readDataCapDelay = (minReadDataCapDelay + maxReadDataCapDelay) / 2;
        OSPI_setRdDataCaptureDelay(obj->ospiHandle, readDataCapDelay);
        status = SystemP_SUCCESS;
    }

    return status;
}

static int32_t Flash_norOspiOpen(Flash_Config *config, Flash_Params *params)
{
    int32_t status = SystemP_SUCCESS;
    Flash_NorOspiObject *obj = (Flash_NorOspiObject *)(config->object);
    Flash_Attrs *attrs = config->attrs;
    int32_t attackVectorStatus = SystemP_FAILURE;

    obj->ospiHandle = OSPI_getHandle(attrs->driverInstance);

    if(obj->ospiHandle == NULL)
    {
        status = SystemP_FAILURE;
    }

    if(SystemP_SUCCESS == status)
    {
        /* Set device size and addressing bytes */
        OSPI_setDeviceSize(obj->ospiHandle, attrs->pageSize, attrs->blockSize);

        /* Set command opcode extension type */
        OSPI_setCmdExtType(obj->ospiHandle, config->devConfig->cmdExtType);

        /* Set initial number of address bytes */
        obj->numAddrBytes = 3;

        /* Set current protocol as 1s1s1s */
        obj->currentProtocol = FLASH_CFG_PROTO_1S_1S_1S;

        /* Now configure the flash for the selected protocol */
        status += Flash_norOspiSetProtocol(config, obj->ospiHandle, params);
        obj->currentProtocol = config->devConfig->protocolCfg.protocol;

        /* Set number of address bytes. If 4 byte addressing is supported, switch to that */
        status += Flash_norOspiSetAddressBytes(config, obj->ospiHandle);

        /* Set opcodes in OSPI controller */
        OSPI_setXferOpCodes(obj->ospiHandle, config->devConfig->protocolCfg.cmdRd, config->devConfig->protocolCfg.cmdWr);

        /* Set Mode Clocks and Dummy Clocks in Controller and Flash Memory */
        status += Flash_norOspiSetModeDummy(config, obj->ospiHandle);

        /* Set RD Capture Delay by reading manufacture ID and device ID */
        status += Flash_norOspiSetRdDataCaptureDelay(config);

        /* Enable PHY if attack vector present and PHY mode is enabled */
        uint32_t phyTuningOffset = Flash_getPhyTuningOffset(config);
        if(OSPI_isPhyEnable(obj->ospiHandle))
        {
            DebugP_log("Trying to read the phy tuning attack vector initially from the address %u . \r\n", phyTuningOffset);
            attackVectorStatus = OSPI_phyReadAttackVector(obj->ospiHandle, phyTuningOffset);

            if(attackVectorStatus != SystemP_SUCCESS)
            {
                /* Flash the attack vector to the last block */
                DebugP_log("Trying to write the phy tuning attack vector as it is not read/flashed correctly at address %u . \r\n", phyTuningOffset);
                uint32_t blk = 0, page = 0;
                uint32_t phyTuningData = 0,phyTuningDataSize = 0;
                OSPI_phyGetTuningData(&phyTuningData, &phyTuningDataSize);
                Flash_offsetToBlkPage(config, phyTuningOffset, &blk, &page);
                Flash_norOspiErase(config, blk);
                Flash_norOspiWrite(config, phyTuningOffset, (uint8_t *)phyTuningData, phyTuningDataSize);
                DebugP_log("Trying to read the phy tuning attack vector after flashing at address %u . \r\n", phyTuningOffset);
                attackVectorStatus = OSPI_phyReadAttackVector(obj->ospiHandle, phyTuningOffset);
                int loop = 1;
                while(loop);
                // at this point open the memory browser as the loop = 1 will result in program to be stuck here. 
                // In memory browser type the address as 0x60000000 + phyTuningOffset. At this address check if the first 128 bytes matches the buffer: gOspiFlashAttackVector
                // gOspiFlashAttackVector can be found in the file: source\drivers\ospi\v0\ospi_phy.c
            }

            if(attackVectorStatus == SystemP_SUCCESS)
            {
                status += OSPI_phyTuneDDR(obj->ospiHandle, phyTuningOffset);
                if(status == SystemP_SUCCESS)
                {
                    obj->phyEnable = TRUE;
                    OSPI_setPhyEnableSuccess(obj->ospiHandle, TRUE);
                }
            }
            else
            {
                DebugP_logError("%s : PHY enabling failed!!! Continuing without PHY...\r\n", __func__);
                obj->phyEnable = FALSE;
                OSPI_setPhyEnableSuccess(obj->ospiHandle, FALSE);
            }
        }
        else
        {
            obj->phyEnable = FALSE;
        }
    }

    /* Any flash specific quirks, like hybrid sector config etc. */
    if(params->quirksFxn != NULL)
    {
        params->quirksFxn(config);
    }
    else
    {
        /* Do nothing */
    }

    return status;
}

确保在更换 API 后、通过运行以下命令来重新构建库：

现在、我们来重新构建您的应用。

请与我一起分享结果以及下面提到的结果：

需要客户提供以下详细信息：

为了进一步调试此问题、我还需要闪存器件名称以及 SysConfig 闪存设置、用于 SBL Stage 2 和 SBL UART Uniflash。

谢谢、

Vaibhav

您好 Kumar、

感谢您的建议,我们将研究为您提供的信息,并尝试修补程序明天最新.

尊敬的 Maciej：

请选择上面共享的代码、我刚刚从最新的 SDK 中修改了几项内容。

这些预定义符号如下：

1. 首先、我们有 readDataCapDelay 值。 在最新的 SDK 中、我们将此值设置为所有通过值集的中间值。 变化如下：
   
   1. 在 SDK 8.6 中找到、前提是一组传递值  4、3、2  然后 将 readDataCapDelay 设置为最大值 4。
   2. 在 SDK 11.1 中并继续、如果传递值集是这样  4、3、2  然后、 readDataCapDelay 设置为中间值 3。
   3. 结论： 从传递读取数据捕获延迟值的区域中选择中间值、确保可靠的数据读取。
2. 第二个更改本质上是、当 PHY 调优矢量被错误读取或 phyTuningOffset 中缺失时、我们会将此攻击矢量写回
   phyTuningOffset。 变化如下：
   1. 在 SDK 8.6 中、首先擦除扇区、然后将 128 字节的攻击向量写入 phyTuningOffset。
   2. 在 SDK 11.1 中、现在块被擦除、然后将 128 字节的攻击向量写入 phyTuningOffset。
   3. 结论：由于写入闪存驱动程序以在统一模式下执行、因此我们执行块擦除而不是扇区擦除。

谢谢、

Vaibhav

你好、Vaibhav、

首先、我想分享 SBL 阶段 2 的 SysConfig
e2e.ti.com/.../0640.syscfg.txt

用于 SBL UART Uniflash 的 SysConfig 在 SDK 8.6 中保留为默认配置。

我们将尽快应用此修补程序并更新结果。

（续）

你好、Vaibhav、

当我们更改 obj->numAddrBytes = 3;

出现以下错误。

如果保留原始设置 (4)、则不会出现此错误

（续）

尊敬的 Cong：

我尝试替换 SysConfig 并打开它。

我看到它显示的闪存名称是 S28HS512T、这不是您使用的闪存、对吗？

因此 SysConfig 无法正确打开/呈现。

我想请您向我发送 SysConfig 中 OSPI 部分和闪存部分值的屏幕截图。

请也将闪存数据表发送给我。

期待您的答复。

谢谢、

Vaibhav

e2e.ti.com/.../INFINEON_5F00_S28HxGT_5F00_Rev202011.pdf

添加了数据表

我们的型号是:  S28HS02GT

你好、Vaibhav、

我将 numAddrBytes 改回 4。 然后、我在源代码中打印 phy 调优攻击向量、如下所示：

这是日志：

e2e.ti.com/.../LOG0903.txt

（续）

尊敬的 Cong：

查看日志后、看起来您已经运行了 1906 个周期。

我们发现故障的次数已经达到 23 次、因此故障率为 1.2%。

我使用以下语句来识别失败：“PHY 启用失败！！！ 在没有 PHY 的情况下继续...“ 在 1906 个周期中发生 23 次。

目前还会查看 phy 调优攻击向量日志、并将在稍后更新。

谢谢、

Vaibhav

尊敬的 Cong：

您发送的日志是否在您在 flash_nor_ospi.c 文件中实现函数 flash_norOspiSetRdDataCaptureDelay 后发送？

此函数定义位于我共享的文件中。

我请您向我发送 SysConfig 中 OSPI 部分和闪存部分值的屏幕截图。

我也在等同样的。

从日志中观察到：

1. 我看到 phy 调优偏移值为 9437184、它不会与您使用的闪存相加。 您使用的闪存是 256MB 闪存、因此、phy 调优偏移本应为：
   1. 256MB/2（根据 8.6 MCU SDK 公式）。
   2. 256 MB — 块大小 (256 KB)、根据 9.0 MCU SDK 公式计算。
2. Phy 调优攻击向量有时似乎无法正确编写。
3. 请告诉我 SBL UART Uniflash 第 2 阶段使用 MCU SDK 8.6 或任何其他版本中的驱动程序进行编译、然后我可以继续、对编译的 SBL 版本和最新的 SDK 进行比较。

谢谢、

Vaibhav

尊敬的 Vaibhav：

是的、我使用了  您分享的函数 Flash_norOspiSetRdDataCaptureDelay。
我已经使用您共享的所有代码（numAddrByts=4 和 OSPI_phyPrintAttackVector 而非 OSPI_phyReadAttackVector 除外）   打印 PHY 调优攻击向量。

下面是 OSPI 部分和闪存部分的屏幕截图：

SBL 2 使用 MCU SDK 8.6 中的驱动程序进行编译。

（续）

您好、

感谢您提出这个问题。

请允许我在某个时候对这一点发表评论。

谢谢、

Vaibhav

你好 Kumar、有什么新消息吗？

您好、

我看到 SysConfig 中的值已更新、与 8.6 不同。 我将其与最新的 SDK 11.1 进行比较。

在尝试更新的 SysConfig 值之前、您是否可以将频率更改为 166MHz、因此需要在 SysConfig 工具中写入 166666666。

如果频率更改无法解决您的问题、则可以尝试新的更新配置。

谢谢、

Vaibhav

你好、Vaibhav、

感谢您的建议。 将频率更改为 166MHz、 我们将进行测试。 我会尽快给您发送测试结果

（续）

尊敬的 Cong：

期待结果。

谢谢、

Vaibhav

尊敬的 Vaibhav：

结果不好。

错误发生率为 72/3672

e2e.ti.com/.../09102025.txt

（续）

你好、Vaibhav、

不同应用  SBL OSPI Linux Stage 1 和 Stage 2 、而不是 SBL UART Uniflash 多级 2.  

我们将尝试应用您的建议并尽快更新结果

谢谢

（续）

你好、Vaibhav、

应用所有建议后、尝试使用两个  obj->numAddrBytes  =  3;和 obj->numAddrBytes = 4;、

读取闪存失败。 函数 Flash_readirect() 返回失败。

您还有其他想法吗？

谢谢

（续）

您好、Cong、

请在星期一上安排跟进电话。  

我只需要知道您正在使用 Flash_ READ_INDIRECT 、因为闪存读取对于 NOR 是直接的（默认情况下在 SDK 中）。 所以我假设读取已进入 DAC  整个时间。

可能还有其他一些配置、我希望在通话时看到。 期待会议。

谢谢、

Vaibhav

嗨、大家好、您在哪个时区？ 印度还是达拉斯？

康格在越南工作,它将适应印度的工作时间,但可能很难与美国时区组织...

尊敬的 Maciej：

出于调试调用的目的、我更喜欢 IST。 请与客户联系以了解其供货情况、并请求他们准备好调试设置、但我会花大部分时间了解他们的 OSPI 修改、首先进行写入/读取/擦除。

此致、

Vaibhav

尊敬的 Vaibhav：

我甚至没有你的电子邮件

因此、我在 VNT 3：30 创建了一个团队会议、大约接下来 15 分钟。 希望您能加入

立即加入会议

或者、您可以创建新的会议请求并通过电子邮件添加我： CongP@fpt.com

谢谢

（续）

尊敬的 Cong：

我已加入通话。 让我们开始讨论。

此致、

Vaibhav

尊敬的 Cong：

根据我们的通话、在此处共享会议笔记。

下面是一个表格：

请注意：上面是 AM64x/AM243x 的数字、应用作参考。

要尝试使用原始设置：

使用原始设置（同时应用这两项设置）：

• 在 SysConfig（对于 1 级和 2 级）中、将 OSPI 时钟频率置于 166666666 并重新构建应用。
• 在 SysConfig（对于阶段 1 和阶段 2）中、禁用 DMA 和 PHY 并重新构建应用程序。

尝试至少 1000 个循环。

调试调用总结：

• ZKW 使用 INDAC 读取。
• PHY 与 DMA 一起启用、因此两者都应禁用。
• 由于使用原始设置时的故障率为 1.2%、因此在原始设置的基础上提出了上述一组实验。
• 结果将由 Cong 星期二 Morning IST 分享、在此基础上、讨论将通过 e2e/电话进行。

此致、

Vaibhav

你好、Vaibhav、

测试结果显示 0/967 读取闪存失败

当然、我们不能禁用 DMA、因为它会影响启动时间。

那么、解决方案是什么？ 我们可以再次进行调试调用吗？

（续）

尊敬的 Cong：

让我们使用您昨天共享的同一链路进行呼叫连接。

如果适合您、我们可以在下午 1：30 之前联系您。

谢谢、

Vaibhav

你好、Vaibhav、

这对我来说很合适。 再见

谢谢

（续）

你好、Vaibhav、

我在会议中等待。

谢谢

（续）

下表总结了通过调用实施的调试。

尊敬的 Vaibhav：

我更新了测试结果  

e2e.ti.com/.../teraterm_5F00_build_5F00_1487_5F00_sbl_5F00_PHY.log

最后一个案例将快速运行并更新

谢谢

（续）

尊敬的 Cong：

最后一个案例将以同样的方式运行和更新

谢谢、期待看到最后一个测试用例结果。

然后、我们可以找出导致这种情况的根本原因。

谢谢、

Vaibhav

你好、Vaibhav

我更新了最后一个案例的测试结果：

设备 1：0/1374 失败

设备 2：0/684 失败

我将在一夜之间继续运行、并告诉您是否再次出现此问题

谢谢

（续）

尊敬的 Cong：

请做一个小更改。

删除我在代码中添加的日志、例如 main.c 中阶段 1 和阶段 2 的 DebugP_log 等语句、并在夜间运行。

请告诉我结果。

谢谢、

Vaibhav

尊敬的 Vaibhav：

以下是隔夜测试的结果：

未通过：4/2727

请帮助我分析日志。 如果需要、我们可以进行其他调试调用。

e2e.ti.com/.../1709_5F00_OVN.txt

谢谢

（续）

尊敬的 Cong：

我已查看日志。

在 2727 个周期中、发现 PHY 启用失败的 4 倍。 这意味着 4 次未能从 phy 调优偏移（在代码中定义为 0x900000）读取 phy 调优攻击向量。

我要将此失败归因于读取在 SBL 阶段 2 中调用 Flash_norOspiOpen 的步骤中选择的数据延迟值。 此外、在您的代码中、您还添加了一个额外的启用 PHY 的 API。

我想打印出以下寄存器：0xFC40000 和 0xFC40010。

谢谢、

Vaibhav

你好、Vaibhav、

我像您说的那样添加了调试日志、现在正在测试中

我会告诉您它何时遇到故障案例

谢谢

（续）

尊敬的 Cong：

感谢您的期待。

因此、如果需要、我们可以拨打电话（在查看日志时）。

此致、

Vaibhav

你好、Vaibhav、

我更新了结果  

1/1606 失败

e2e.ti.com/.../1909.txt

请帮助我分析日志

谢谢

（续）

尊敬的 Cong：

根据日志、读取延迟值和配置寄存器看起来正确。

您能告诉我电路板是否处于极端条件下吗？ 例如、当您运行测试时、是否也应用了温度变化？

谢谢、

Vaibhav

尊敬的 Vaibhav：

此器件在正常条件下进行测试。

谢谢、

（续）

尊敬的 Cong：

设备在正常条件下进行测试。

感谢您的答复。 这意味着器件是在室温下进行测试的。

您能否参加此次通话、讨论有关用于 PHY 调优数据存在的偏移的几个指针。 如果适合您、请在美国时间下午 2：30 拨打电话。 让我们加入上面发送的相同 MSFT 邀请。

在致电之前、我希望您浏览： e2e.ti.com/.../faq-sk-am64b-what-is-the-purpose-of---operation-flash-phy-tuning-data

谢谢、

Vaibhav

你好、Vaibhav、

下午 2：30 IST 对我来说是可行的。

再见。

谢谢

（续）

你好、Vaibhav、

我仍在等待。 您可以加入吗？

（续）

尊敬的 Cong：

更新了表。

此致、

Vaibhav

你好、Vaibhav、

我将测试结果更新如下：

e2e.ti.com/.../DisablePhyandDMA.txt

e2e.ti.com/.../DisableDMA.txt

谢谢

（续）