This thread has been locked.

If you have a related question, please click the "Ask a related question" button in the top right corner. The newly created question will be automatically linked to this question.

[参考译文] TDA4VEN-Q1:TDA4VEN SBL OSPI 闪存(GD25LX512ME)启动失败

Guru**** 2587365 points


请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/processors-group/processors/f/processors-forum/1574384/tda4ven-q1-tda4ven-sbl-ospi-flash-gd25lx512me-startup-failed

器件型号:TDA4VEN-Q1


工具/软件:

您好:

  SDK 版本:11.0

  无法使用 ospi 闪存 SBL 方法启动我们当前制造的产品板。 但是、当我在 EVM 板上对其进行测试时、这种方法效果很好。具体情况如下:

  、正确启动方法后 1 μ s、闪存中的 D0 和 clk 使用波形启动。

  2、使用 wukp 内核串行端口、未观察到打印。

  3 μ s 当、CCS 在运行时进行调试时、OCM_RAM_VECS 的地址 0x43c40000 中的数据全为 0。

  4 μ s、sbl_ospi_hlos 引导系统。

  在 eMMC、期间为 5 μ s、闪存读取和写入操作正常。

您能告诉我无法启动的原因是什么?

谢谢!

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

     CCS 调试图片:

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    引导模式

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、

    所使用的闪存器件是什么。 您能否在 CCS 中检查 REGS 0x43000030 和 0x43000040 的值。

    此致、
    Tanmay

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好:

     用于 SBL 快速启动。   0x43000030 调试:

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好:

    现在、引导加载程序已加载到 RAM 中、启动方法正确无误。 但是、NOR 闪存的初始化将失败、无法读取闪存 ID。 sbl_ospi_hlos 文件夹中是否可以提供 GD25LX512ME 模型的相应 example.syscfg?

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、

    是否可以在 sbl_ospi_hlos 文件夹中提供 GD25LX512ME 模型的相应 example.syscfg?

    由于我们无法在 EVM 上测试它、因此无法实现这一点。

    用于 SBL 快速启动。   0x43000030 调试[/报价]

    这些是要为引导模式引脚读取的值。 它们不正确。 这不是原理图的屏幕截图所说的那样。 能否重新确认一下。

    任何其他引导模式是否正常工作? 同一寄存器在此期间的值是多少?

    此致、
    Tanmay