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[参考译文] AM5708:AM5708 复位序列

Guru**** 2782625 points

Other Parts Discussed in Thread: AM5708

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/processors-group/processors/f/processors-forum/1616965/am5708-am5708-reset-sequence

部件号: AM5708

我目前正在开发一个使用 AM5708 的系统、我想了解复位序列。

关于 AM5708 数据表的第 5.10.3 节电源序列中所述的 resetn/PORz 时序要求、脚注 (7) 包含以下说明:

(7) PORz 必须保持置为低电平有效、直到满足以下所有要求

–所有器件电源轨均可达到稳定的运行电平。

–XI_osc0 稳定且频率有效。

–满足上述两个条件后至少为 12P、其中 P = 1 /(SYS_CLK1/610)、单位为 ns。

resetn 必须在 PORz 之前为高电平、或与 PORz 同时上升、但不能在其电源 vddshv3 上升之前为高电平。

我们的系统要求、在 PMIC 为 AM5708 上电后、器件将保持复位状态、直到外部 MCU 将 AM5708 的复位信号置为无效。

最初、我们计划了以下序列:在 PMIC 上电且 PORz 置为无效后、resetn 将保持置为有效、然后根据 MCU 发出的启动命令置为无效。

但是、脚注 (7) 会与这种方法相冲突。

因此、我想澄清以下几点:

–为什么不允许在将 resetn 置为有效(低电平)的同时将 PORz 置为无效?

–假设满足脚注 (7) 中的所有条件并且 PORz 随后保持高电平、那么在 PORz 持续保持高电平时、对将 resetn 置为有效或置为无效是否有任何限制?

–我们的要求(保持器件处于复位状态,直到 MCU 发出启动命令)似乎相对常见。 TI 是否为此类设计提供任何推荐的电路方法?

谢谢。

S.Kanda.

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    请参阅器件勘误表文档(链接)。  i862 介绍了将 RESETN 置为有效时的初始问题。  但是、此问题在以后的器件中得以解决。  该勘误项也指 i727 和 i729、两者都与热复位对 DDR 的影响有关。  这两项有变通办法。  如果您的系统考虑了这些项目、则可以使用热复位。

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    你(们)好 Robert、

    感谢您的答复。
    我们已经完成原型设计、目前处于调试阶段。
    由于您指出的许多勘误表尚未实施、我们计划修改电路、但我们首先要确定当前看到的问题是否由 i727 和 i729 引起。

    我想问以下问题:

    • 我的理解是、i727 和 i729 中的基本问题如下:
      “由于将热复位置为有效即使在 SR2.0 和 SR2.1 器件上也不能将 DRAM 控制器置于复位状态、因此讨论的重点是应使用什么方法来正确复位 DRAM 控制器。“
      这种理解是否正确?

    • 对于勘误表 i727 和 i729 中描述的现象:
      ‑在从热复位返回时未出现挂起、那么之后系统是否可以正常运行?

    谢谢你。

    S.Kanda.

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    基于我的理解 — 对两个都是。

    您面临什么问题?  发出热复位命令后处理器是否无法启动?

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    我们的系统通过 UVC 从连接 USB 3.0 的摄像头捕获视频、在 CPU 上执行对象识别、并通过 HDMI 输出结果。
    ・问题本质上是一个挂起的问题、发生时我们无法通过 UART 访问控制台。
    ・运行数小时后、10 台设备中大约有 1-2 台发生这种情况、最常见的情况是 5–6 小时后。
    ・未在电源或复位信号上观察到噪声。
    ・调整图像帧速率后、CPU 负载约为 90–70%时、问题不太可能出现、而在 50–30%左右的中等负载下、问题往往发生得更频繁。
    ・当系统挂起时、HDMI 输出仍然可用、这表明帧缓冲区仍然可以访问。 这也通过 DDR 存储器信号波形进行了确认。

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    我不希望初始问题与上电复位有关、原因就是系统工作了几个小时。  您是否正在尝试从崩溃中恢复并出现问题,或者只是尝试确定崩溃原因 — 并尝试排除开机重置?

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     ‑的目的是确定崩溃的根本原因、我们希望排除涉及电源 n ü r on reset 的可能性。

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    我认为您看到的问题与勘误项无关。  您可以通过手动触发 PORz(而不使用 RESETn)来复位处理器来进行验证。  这避免了与 RESETn 连接的所有勘误时间。 如果问题仍然存在、则表示原因在其他地方。

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    自上周末以来、我们一直在进行这项试验。

    目前、我们正在对八个单元运行实验、其中三个单元已进行修改、以抑制基于 RESETn 的复位、并仅使用 PORz 置为有效进行复位。 在三天(约 72 小时)内,只有一个单元发生失速,而该单元不是其中一个被 RESETn 抑制的单元。


    由于这个问题的发生率很低、我认为很难从这个结果中得出明确的结论。 我们将继续增加审判次数。

    如果有更多数据、我将再次更新。

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    我们仍在进行复制试验、迄今没有发现任何问题。
    这只是一个想法、但请您告诉我以下内容?

    在热 μ‑复位问题中、如果正确执行了矫正、初始化是否与 EMIF (DDR) 相关?
    ‑水平未正确完成且时间裕度不足、则系统是否可能在释放热复位后工作一段时间、但在几个小时后由于某些触发器而挂起?

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    这两个勘误项提到了 DDR 内容丢失的问题、建议的权变措施是在外部复位 DDR 器件。  它们处理的是外部存储器设备、而不是内部存储器控制器。  根据这些描述 — 不要认为它会影响水平调整。  (除非 DDR 对水平调整/训练没有正确响应)

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    请允许我确认我的理解是否正确。


     热复位被置为无效后、不会向 DRAM 发出 DDR3_RESET#。
    (从勘误表 i729 需要通过外部电路生成 DDR3_RESET#作为权变措施这一事实可以明显看出。)


     ‑、‑EMIF 在热复位释放后恢复至正常状态、但 DRAM 已暴露于 JEDEC 标准非 T Ü V S Ü D 兼容时序(如勘误表 i729 中所述)、因此在复位后可能无法正确响应。


    3. 一般而言、我理解“热复位“是一种保留 RAM 内容的复位操作。 释放热复位后、AM5708 EMIF 尝试返回到热复位置位之前所处的状态、并且由于 DDR3_RESET#未置为有效、DRAM 也会从热复位之前保持其 MODE 寄存器和其他内部状态。 (这与冷复位期间 EMIF/DRAM 初始化之后的状态基本相同、只要 i729 中所述的异常时钟‑频率下降没有发生,它就应该正常运行。)


    作为确认、
    从热复位返回后、EMIF 和 DRAM 都不执行初始化(尤其是训练)、这是正确的吗?

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    我与 DDR 接口专家交谈过。  所述客户不应发出热复位、因为 DDR 时钟频率将在非法状态下变化(违反存储器规范)。 只有内存供应商才能够确认此违规是否影响其内存(从而使处理器能够配置/使用内存)。  这就是勘误表指出使用外部 DDR 复位的原因。