器件型号： J721EXENETXPANEVM
如有必要、请更正（6.3.229 多相 ECC ->安全手册）：
E40 (LPDDR4 EMIF/DDR16/多相 ECC)：
1.1. ECC 函数产生 1/9 的额外 开销
1.2. ECC 逻辑位于 MSMC2DDR 桥接层、与内核 A72、R5F 互连。
1.3.有两个物理突发、一个用于数据突发、另一个用于 ECC 突发
1.4.a（64 位）8 字节长、有 1 个 SECDED、一个 32 字节长的突发包含 4 个 SECDED 字、及其 8 位（1 字节）综合征。
1.4.1.则表示 8 字节数据存在 1 字节 SECDED 综合征；
1.5、策略：在 32 字节突发时检查 ECC；
1.5.1.通过 ESM 报告的错误；
1.6 读取/写入：
1.6.1 读取 32 字节突发
1.6.2.修改 4 个字节（应用程序有效载荷）
1.6.3.重新计算受影响的 8 字节（64 位量子）的 SECDED
1.6.4.写回新数据和 ECC 综合征；
1.7.初始化时应禁用 ECC 校验
1.7.1 在 LPDD4 初始化时启用 ECC（9.13.3.2→注释）
1.8. DDRSS→3 独立的 ECC 保护区域 (R0、R1、R2)→
1.8.1 对于 DMA 缓冲器、禁用 R0、R1、R2→之外的 ECC 区域、非关键日志→应用 CRC 检查、以避免性能开销（DDR14→安全手册）；
1.9. 1 位错误的“DRAM 未更新“方面→ 对于 1 位错误、MSMC2DDR 桥接器纠正该错误并将其返回给请求者；但是、内存中的实际数据未更改。
1.9.1 这意味着集成商必须实施清理策略：定期重新读取和重新写入累积了 1 位错误的位置、以防止后续独立位翻转将可纠正的 1 位错误转换为不可纠正的 2 位错误。
参考资料：
