器件型号: AM3352
你(们)好
我正在使用 AM3352BZCZD80 验证新的 DDR。 它是 4Gb DDR3 (L) SDRAM。 我们需要了解在器件处于活动状态时切换刷新率寄存器(使刷新率加倍)的最佳实践。 我们想在温度达到 85°C 后将 DDR 刷新率加倍。 这将 与自动自刷新 (ASR) 分开、后者仅在 CPU 空闲时更新刷新率。
此致
Py Tsai
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器件型号: AM3352
你(们)好
我正在使用 AM3352BZCZD80 验证新的 DDR。 它是 4Gb DDR3 (L) SDRAM。 我们需要了解在器件处于活动状态时切换刷新率寄存器(使刷新率加倍)的最佳实践。 我们想在温度达到 85°C 后将 DDR 刷新率加倍。 这将 与自动自刷新 (ASR) 分开、后者仅在 CPU 空闲时更新刷新率。
此致
Py Tsai
您好、
AM335x 并不正式支持动态刷新率变化。 如果要支持高温操作、可以执行以下操作之一:
选项 1— 在引导时永久配置 3.9µs 如果您的系统将达到 85°C、请从一开始就配置双倍刷新率。 更快刷新率的功耗和性能开销是适度的、这消除了所有运行时风险。 您可以使用 AM335x EMIF 工具电子表格通过更改 tREFI 参数来进行此更改
选项 2— SDRAM_REF_CTRL仅在运行时写入(请注意,这是未经验证的,必须在您的电路板上进行测试) 仅reg_refresh_rateSDRAM_REF_CTRLSDRAM_REF_CTRL_SHDW在您的温度监视器越过 85°C 时写入和运行时写入字段—无需触摸SDRAM_CONFIG。
在这两种情况下、 可能需要将某些时间降额至高于 85°C 的值、使其超过刷新率。 检查tRAS、tRC或其他参数是否更改。 您还需要确认温度监测机制(片上传感器与外部传感器)及其相对于热斜升速率的轮询延迟。 最后、验证引导加载程序或操作系统是否有现有的安全点(例如存储器静态窗口)、在这些安全点可以执行寄存器写入、从而更大限度地降低转换期间的任何访问时序风险。
此致、
James