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[参考译文] AM3352:如何更新 DDR 刷新率?

Guru**** 2826755 points
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/processors-group/processors/f/processors-forum/1627990/am3352-how-do-i-update-ddr-refresh-rate

器件型号: AM3352

你(们)好  

我正在使用 AM3352BZCZD80 验证新的 DDR。 它是 4Gb DDR3 (L) SDRAM。 我们需要了解在器件处于活动状态时切换刷新率寄存器(使刷新率加倍)的最佳实践。 我们想在温度达到 85°C 后将 DDR 刷新率加倍。 这将 与自动自刷新 (ASR) 分开、后者仅在 CPU 空闲时更新刷新率。  

此致

Py Tsai

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    我也想知道。

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    您好、  

    AM335x 并不正式支持动态刷新率变化。  如果要支持高温操作、可以执行以下操作之一:

    选项 1— 在引导时永久配置 3.9µs 如果您的系统将达到 85°C、请从一开始就配置双倍刷新率。 更快刷新率的功耗和性能开销是适度的、这消除了所有运行时风险。  您可以使用 AM335x EMIF 工具电子表格通过更改 tREFI 参数来进行此更改

    选项 2— SDRAM_REF_CTRL仅在运行时写入(请注意,这是未经验证的,必须在您的电路板上进行测试) 仅reg_refresh_rateSDRAM_REF_CTRLSDRAM_REF_CTRL_SHDW在您的温度监视器越过 85°C 时写入和运行时写入字段—无需触摸SDRAM_CONFIG。  

    在这两种情况下、  可能需要将某些时间降额至高于 85°C 的值、使其超过刷新率。  检查tRAStRC或其他参数是否更改。 您还需要确认温度监测机制(片上传感器与外部传感器)及其相对于热斜升速率的轮询延迟。 最后、验证引导加载程序或操作系统是否有现有的安全点(例如存储器静态窗口)、在这些安全点可以执行寄存器写入、从而更大限度地降低转换期间的任何访问时序风险。

    此致、

    James

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    您好、James、感谢您的答复! 对于备选案文 2、仅更新阴影是否有好处? 换言之、一旦温度监测器超过阈值、我们就会写入SDRAM_REF_CTRL_SHDW, which in turn will update  SDRAM_REF_CTRL when it is safe, to a llow ME 以尽可能降低 运行时转换的风险?

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    影子寄存器仅在模块空闲确认 (SIdleAck) 期间使用。  因此、如果您使用它、这可能是有益的、因为这样您会在空闲时间改变刷新率。  但是、在某些情况下、开关延迟可能较长(由于在刷新率温度开关阈值下的活跃度较高)、这可能无法满足您的系统要求。  这是您必须在系统中确保的。   

    此致、

    James