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器件型号： J722SXH01EVM
TI 团队大家好、
我们正在使用 AUTOSAR 架构为 J722S SoC MCU 内核上的部分元件实现软件诊断库 (SDL)。 在我们的 ECC 自检中、我们严格遵循了 TI MCU+ SDK 中提供的参考代码。 我们正在 基于 J722S EVM 设计的定制板上进行测试。
我们的流程如下：
- 根据 TI 示例初始化 ECC 和 ESM。
-
SDL_ECC_injectError()针对给定的 RAM 区域注入 1 位或 2 位 ECC 错误。 - 访问内存位置（例如）
testLocationValue = injectErrorConfig.pErrMem[0];以触发 ECC 逻辑并生成 ESM 中断。
观察结果：
- 指定 组成 （例如 MCU_MCAN、MCU_PSRAM）、ECC 测试按预期工作：在错误注入和存储器访问后、触发 ESM 中断并处理错误。
- 指定 主域 RAM ID （例如 MAIN_MCAN、MAIN_PSRAM）、注入错误并访问存储器位置后、系统挂起。 电路板消耗的电流会下降、并且没有进一步的调试打印或 ESM 中断。
其他信息：
- 我们已验证 ECC/ESM 初始化和错误注入代码与 TI SDK 示例中的代码相同。
- AUTOSAR OS 在 MCU 内核上运行。
- 存储器区域根据 SDK 建议在 MPU 中配置。
- 此问题仅对于主域 RAM 来说是可重现的；MCU 域 RAM 工作正常。
问题：
- 在 J722S 上发生 ECC 错误注入后、访问主域 RAM 是否有任何额外的步骤或限制？
- 是否配置了任何 ECC 错误反应？
- 这是否与 AUTOSAR OS 或与 MCU 域隔离/保护主域与 MCU 域的方式有关？
- 是否有建议对 MAIN 域（尤其是定制硬件）上的 ECC 错误注入进行进一步调试或已知问题？
