This thread has been locked.

If you have a related question, please click the "Ask a related question" button in the top right corner. The newly created question will be automatically linked to this question.

[参考译文] TMS320VC5509A:编程外部闪存

Guru**** 2872500 points
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/processors-group/processors/f/processors-forum/1641330/tms320vc5509a-progrramming-external-flash

部件号: TMS320VC5509A

您好:

我正在使用 TMS320VC5509 (C55x 系列)和外部闪存 AT45DB642. DataFlash 已通过连接 McBSP0 或 SPI 模式。

我已成功生成可引导文件 .bin 使用hex55.exe转换器的文件(使用,和标志)-boot-v5505-serial8。 但是、我一直忙于闪存芯片的物理部署。 当我使用 Code Composer Studio 中的“Load Program“选项时、它可以正确加载 .out 将文件发送到内部 SARAM 以用于调试、但这在下电上电后不会持续存在。

  • C5509 是否有专门支持 AT45DB642 基于页面的架构的标准“闪存写入器“项目或源代码?

  • 在没有实用程序的情况下、是否需要特定的 McBSP 寄存器配置来处理该 DataFlash 的 528 字节页面大小?

  • C5509 ROM 引导加载程序是要求闪存处于“2 的功率“(512 字节)模式、还是可以处理默认的 528 字节页面大小?

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 Gouri:

    首先、“-v5505"是“是新一代 C55x 的引导映像格式。 对于 C5509、应改用“-v5510:2“。

    - C5509 没有标准的闪存写入器

    - C5509 支持从 McBSP0 启动的 8 位和 16 位标准串行引导。  有关详细信息、请参阅 SPRA375F 的 2.3.4 标准串行引导模式(已附加)

    -根据 SPRA375F 的上述章节,只要外部生成的 CLKR0 和 FSR0 有效并且  AT45DB642 不需要特殊的设置命令或读取命令,就可以。

    此致、

    Ming

    e2e.ti.com/.../using_5F00_bootloader_5F00_spra375f.pdf