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[参考译文] TDA4VEN-Q1:TPS6522311RAHRQ1 (PMIC) 上的 VMON1 和 GPIO3 图形设计

Guru**** 2893300 points
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/processors-group/processors/f/processors-forum/1638018/tda4ven-q1-vmon1-and-gpio3-pattern-design-on-tps6522311rahrq1-pmic

器件型号: TDA4VEN-Q1

你(们)好

关于 PMIC 的 VMON1 和 GPIO3 端子的模式设计、J722S EVM 原理图中显示了以下说明:  
“将 VMON1 路由为伪差分对 (VMON1_xxx_P/_N)“

但是、查看 J722S EVM 的图形数据、VMON1 和 GPIO3 不处于差分模式、并连接到 TDA4VEN IC 最接近的 GND 模式。

我们应该遵循 EVM 图案、还是应该使其呈现差分图案? 请提供建议。

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    谢谢 Fdbk &问题。  

    是的、建议将遥感路由为“伪差分对“、以提供最精确的电压电平检测 fdbk。 遗憾的是、遥感差分对 (GPIO3) 的低侧在 PMIC 和路径上未正确连接到 GND。  低侧检测布线只能连接到 POL 处的 GND、并且应在 POL 和 PMIC 的引脚 8 之间与所有其他 GND 网络/泛洪测试隔离。  实际上、第 6 层显示了到 SoC 下负载点的所需遥感差分对(紫色和绿色迹线)布线。 这两种方法都是有效的、但隔离式差分对连接将提供最准确的电压检测、通常可在 POL 处实现更好的调节。