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[参考译文] TDA4VH-Q1:定制 TDA4VH88 PCB 堆叠和 LPDDR4 阻值所需的确认您好、我们正在开发基于 TDA4VH88 处理器的定制 ADAS 板。 响应

Guru**** 2964790 points
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/processors-group/processors/f/processors-forum/1659219/tda4vh-q1-confirmation-required-for-custom-tda4vh88-pcb-stack-up-and-lpddr4-impedancehi-we-are-developing-a-custom-adas-board-based-on-the-tda4vh88-processor-for-this

器件型号: TDA4VH-Q1

您好、

我们正在开发基于 TDA4VH88 处理器的定制 ADAS 板。 在此设计中、我们从制造合作伙伴那里收到了 PCB 堆叠、它在铜厚度和介电厚度方面与 EVK 电路板使用的堆叠有所不同。

我们主要关注的是 EVK 电路板上 LPDDR4 接口使用的非标准阻抗值(33 欧姆和 66 欧姆)。 虽然我们的 PCB 堆叠不同、但我们根据制造者的计算调整布线几何形状、以保持相同的目标阻抗值(33 欧姆和 66 欧姆)。

我们随附了建议的 PCB 堆叠以供您审查。

您能否验证 LPDDR4 接口是否可以接受此堆叠、并确认我们是否可以继续制造 PCB? 您的确认将帮助我们完成 PCB 设计并发布用于制造。

感谢您的支持。

DIGITAL-16L-21-05-2026-[5044]-isola370hr-2.3mm.pdf 

FR4 材料为 Isla 370HR。

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    PCB 堆叠没有太多需要检查的地方。  我可以确认您目标是此 E2E 中所述的阻抗(CLK/CA 为 33 欧姆和 66 欧姆、DAT 和 DQS 为 40 欧姆和 80 欧姆)。  VIA 计划是一个问题。  微过孔到达 Lyr3(和 Lyr14)。  您计划在哪些层路由数据字节?  建议在 2 个最接近的布线层 (Lyr3、Lyr5) 上路由数据字节、以更大限度地减少信号过孔中的耦合。  在 Lyrs3 和 Lyr4 上进行布线将消除过孔残桩、但也会增加过孔耦合。