[参考译文] 66AK2H14：66AK2H14在 DDR3访问后崩溃(错误-1202)

以下是我的客户用于初始化 SoC 以获得100 MHz DDR 输入频率的两个凝胶文件。  

 e2e.ti.com/.../Coral_5F00_4k_5F00_DDR1000_5F00_CORE100-_2D00_bb.gele2e.ti.com/.../Coral_5F00_4k_5F00_DDR1600_5F00_CORE100.gel  

Geoffrey

Geoffrey，

我知道这个问题出在定制板上。

只是为了缩小问题的范围，  

这里有几个快速问题：-

1.他们是否有“66AK2H14 - TI EVM”板？  

2.他们是否测试了标准凝胶文件？ 能够初始化 DDR，建立 JTAG 连接。

3.能够 通过 CCS 和内置仿真器将样本程序加载到“66AK2H14 - TI EVM”中吗？ 能够成功运行并获得输出？

4.如果是，请确认 TI -EVM 中的 CPU 没有崩溃？

-->这些步骤将帮助我们比较定制板和 EVM 板，并找出问题所在。

此致

Shankari G

您好，Shankari，  

是的，他们拥有此 EVM，并且能够运行标准凝胶，然后毫无 问题地访问 DDR。

 DDR 访问导致 MPU 崩溃是否正常？  

此致，

Geoffrey

您好，Shankari，  

请找到此电子邮件所附的请求日志。

此致，

Geoffrey

e2e.ti.com/.../Custom_5F00_board_5F00_DDR_2D00_PHYA_5F00_confgurationt_5F00_1000.txte2e.ti.com/.../Custom_5F00_board_5F00_DDR_2D00_PHYA_5F00_confgurationt_5F00_1600.txte2e.ti.com/.../Custom_5F00_board_5F00_DSP_5F00_GEL_5F00_1600.txte2e.ti.com/.../Custom_5F00_board_5F00_DSP_5F00_GEL_5F00_1000.txte2e.ti.com/.../Custom_5F00_board_5F00_EMIF_5F00_confgurationt_5F00_1600.txte2e.ti.com/.../Custom_5F00_board_5F00_EMIF_5F00_confgurationt_5F00_1000.txte2e.ti.com/.../Custom_5F00_board_5F00_leveling_5F00_error_5F00_report_5F00_1000.txte2e.ti.com/.../Custom_5F00_board_5F00_leveling_5F00_error_5F00_report_5F00_1600.txte2e.ti.com/.../Custom_5F00_board_5F00_leveling_5F00_values_5F00_1000.txte2e.ti.com/.../Custom_5F00_board_5F00_leveling_5F00_values_5F00_1600.txte2e.ti.com/.../Custom_5F00_board_5F00_test_5F00_connection_5F00_log_5F00_after_5F00_crash.txte2e.ti.com/.../EVM_5F00_ARM_5F00_GEL_5F00_evmk2x_5F00_log.txte2e.ti.com/.../Custom_5F00_board_5F00_test_5F00_connection_5F00_log_5F00_pow_2D00_up.txte2e.ti.com/.../EVM_5F00_DSP_5F00_GEL_5F00_evmk2x_5F00_log.txte2e.ti.com/.../EVM_5F00_test_5F00_connection_5F00_log.txt

Geoffrey，

感谢您上传输出。

让我详细了解一下这一点，并与您再次讨论。

此致

Shankari G

Geoffrey，

我仍在比较和分析日志...

但是，只需一看，EVM 和定制电路板与输出之间的顶级差异就会显现出来  

 -->来自“EVM_DSP_GEL_evmk2x_log.txt”-->“DDR3 PLL 设置完成，DDR3A 时钟现在以666 MHz 运行。”

--- >来自"Custom_board_DSP_GEL_1000.txt"-->"DDR3 PLL 设置完成，DDR3A 时钟现在以800MHz 频率运行。"

---

几个问题：-

1.在 K2H EVM 4.0中，使用的 DDR3-SDRAM 是 “Samsung K4B4G1646D-BCK0”。 在自定义主板中，是否使用了相同的内存模块？

如果，否，请指定使用的部件？

(“特殊 SDRAM 的数据表计时也需要参考以提取关键计时参数”，以便我们可以检查 DDR3内存控制器寄存器和 SDRAM 配置。)

2.所有自定义单位都失败，并出现相同的错误？ 还是很少单位？

3.正如我所看到的，这些内存模块可从 K2H EVM 中分离出来，是否可以将“Samsung 内存模块”从 TI-EVM 中分离出来并在您的定制板上使用它并进行检查？ (这样，您就可以保留 TI-K2H-EVM-GEVM 文件中提到的相同计时参数)

信息不多：-

1.可使用诊断凝胶进行 DDR3测试。 我在这里附上了“Keystone2_DDR_Debugge_v1_4.gel”下载该 zip 文件，如下所示。

e2e.ti.com/.../sprac04.zip

2.所有 K2x-EVM 的通用诊断凝胶：- e2e.ti.com/.../4075.66AK2H12_2D00_diag.gel 请注意，此凝胶适用于 K2H12。  

请运行这些诊断程序并检查它是否有助于检测问题的原因。

参考文档：(您可能已经参考过)  

1. Keystone II DDR3初始化指南- https://www.ti.com/lit/an/sprabx7/sprabx7.pdf

2. Keystone II DDR3调试指南- https://www.ti.com/lit/an/sprac04/sprac04.pdf

此致

Shankari G

你好，Shankari 女士

问题解答：

0 -请注意 ，自“CUSTOM_DSP_GEL_1000.txt” 起，输出消息不是 “DDR3 PLL 设置完成， DDR3A 时钟现在以 800MHz 运行”。正如您所写的，“DDR3 PLL 设置完成，DDR3A 时钟现在以500MHz 运行。 请参阅上述文件。

1-主板使用 MT41K256M16TW-107脱欧芯片。 没有模块。 切屑直接焊接在主 PCB 上

2-所有设备都不会出现故障。 只有少数

3-参见1)

对信息的评论：

1- “Keystone2_DDR_Debugge_v1_4.gel”用于生成 M.Ficara 发送的报告

此致

布鲁诺

感谢您提供有关“MT41K256M16TW-107脱欧 ”的详细信息。

让我尝试检查该芯片的正时参数，并检查定制凝胶文件的正时参数。

---

当我提到文件名时，出现拼写错误。 它应该是您的"Custom_board_DSP_GEL_160.txt"。

这是运行的... 800 MHz。  DDR3 PLL 设置完成， DDR3A 时钟现在以 800MHz 频率运行。”

>>>所有设备都不会出现故障。 只有少数

这意味着问题很可能出在硬件方面。  

通常，如果在 DDR3控制器寄存器和 SDRAM 上的软件配置中，所有设备都应该出现故障。

--

让我也加入硬件团队。

此致

Shankari G

您好，Shankari 女士，

感谢您的反馈，

我不确定是否完全同意你的评论，可能是我错了。 请告诉我。

1- Micron 数据表确实指定了2KB 的页面大小，表示2K 字节。 但在 DDR3控制器“hspruhn7c”文档中，pagesize 参数用字表示，因此用1K 字表示。 您可以查看表2-4，其中“10列地址位”(DDR3 16位宽芯片就是这种情况)要求页面大小参数值为2。 这也会出现在表3-1中 ，其中 pagesize=2用于“选择1024个单词的页面大小”。 这也可以在 SDCFG 说明中找到：“2=1024字页，需要10列地址位。” 这是一个单词问题，而不是字节问题。

也许这是我对这件事的一种不理解。 请确认。

2-要写入 SDTIM1寄存器的 T_RRD 值应等于(T_Faw/4Tck)-1。 DDR 数据表指定最大 T_Faw 为35 ns (请参阅数据表第96页，适用于1866速率等级-107芯片版本) ，因此导致(35/1.25*4)-1 =6。

芯片1866的速度等级与主板上使用的有效运行速度之间可能存在混淆。

请确认正确的值。

4-我们不时在 DDR3和 DDR3L 参数之间切换，希望行为更好，但没有任何积极的事情发生过。 显然，我们将此参数保留给 DDR3。 但我可以保证，回到 DDR3L 不能解决我们当前的问题。

我们使用的芯片的特性：DDR3L 组件和它的使用方式(由于 1V5电源)之间也可能存在混淆。 “hspruhn7c”在这里的设置上不是很清楚。

请确认正确的设置。

顺便说一下，您还能解释哪些66ak2h14物理特性会随 DDR3参数值的变化而变化？

此致，

布鲁诺

布鲁诺

点号：2：  

对于速度等级 DDR3L-1866和 DDR3L-1600，T_RRD 将为'7'，因为 TCK 将分别变为1.071 ns 和1.25 ns。

要写入 SDTIM1寄存器的 T_RRD 值应等于(T_Faw/4Tck)-1。  

对于 DDR3L-1866速度等级-->  (T_Faw/4Tck)-1 = 7   

               (T_Faw/4Tck)-1。  

              => T_Faw = DDR3L-1866为35 ns

              => TCK = 1.071 ns (DDR3L-1866 --> DDR3输出时钟频率= 933 MHz --> TCK =(1/(933*1000000)= 1.071 ns)

             因此，  (T_Faw/4Tck)-1

                      =(35 /(4 * 1.071))- 1.

                      = (35 / 4.284)- 1

                     = 7.16

                     ~ 7.  

               (T_Faw/4Tck)-1 = 7    

对于 DDR3L-1600速度等级-->  (T_Faw/4Tck)-1 = 7   

               (T_Faw/4Tck)-1。  

              => T_Faw = DDR3L-1600的40 ns

              => TCK = 1.25 ns (DDR3L-1600 --> DDR3输出时钟频率= 800 MHz --> TCK =(1/(800*1000000)= 1.25 ns)

             因此，  (T_Faw/4Tck)-1

                      =(40 /(4 * 1.25))- 1.

                      = (40 / 5)- 1

                     = 7

                (T_Faw/4Tck)-1 = 7    

-----

点号：4：

在“spruhn7c”页上，第90页给出了设置。

根据 DDR3或 DDR3L，  

在寄存器 DDR3-PGCR1中，IODDRM 的字段值(第7：8位)对于 DDR3具有值1，对于 DDR3L 具有值2。  

他们是否设定了该值并尝试过？ 他们在这里设定了什么价值？

-----

为了得出 DDR3寄存器的值，使用了什么速度等级？ 1600或1866？ 因此，我可以验证 PHY 寄存器的值吗？

1.您在此处发布的输出是用于800 MHz 的 DDR3L-1600。

        --- >这意味着，我应该计算“DDR3L-1600-125” 或“DDR3L-1866 - 107”的值。

2.在数据表中，部件号107表示速度等级为 DDR3-1866，带有 “TCK–1.07 ns @ CL = 13”

但是，在  凝胶输出中，您可以使用“tCK1.25ns @ CL = 11 (DDR3-1600)-125”速度级 DDR3-1600。

您打算使用哪种？

-----

第1点

10列地址位足以访问2KB 页面大小。 让十六进制值为2。

(2 ^ 10 = 1024 = 1K)--> 1K x4   = 4K 位。

                  --> 1K x16 = 16K 位= 2048字节-->每页2KB。

-----

请确认以下设计参数，以便我可以继续使用 PHY 寄存器值.........

此致

Shankari G

您好，Shankari 女士，

——Point2：好的，明白的。

-4.0点：正如所解释的那样，DDR3和 DDR3L 设置都是在结果中没有明显区别的情况下尝试的。我们将设置您的建议

-4.1点：印刷电路板上安装的部件为 MT41K256M16TW-107，能够达到1866 MT/s 但我们不想达到最大的特征。 因此，用例的频率限制为800 MHz。

第1点：仍然不理解。 您是否同意 DDR 页面大小为2KB，以1K 字构建，因此在 SDCFG 寄存器中产生值2，而不是您先前建议的值3？

此致，

布鲁诺

布鲁诺

第1点：是的，同意。 你说的是对的。 “2KB 架构以1000个字表示，因此 SDCFG 寄存器中的值为2”

---

第5点： 对于 DDR_SDTIM2寄存器，该值将为“0x00001D4A”。 计算如下。

对于 DDR_SDTIM2寄存器，该值将为“0x00001D4A”。 计算如下。

                       T_RCD =(t RCD/t CK)–1 ("spruhn7c.pdf"中的页码：56 ，"4GB_DDR3L.pdf"中的页码：80

                              =(13.75 / 1.25)- 1.

                              = 11 - 1  

                               = 10

                          T_RP = (t RP-t CK)–1.

                               =(13.75/1.25)- 1.

                               = 10

您的凝胶输出：  Custom_board_EMIF_confgurationt_1600.txt

C66xx_24：凝胶输出
C66xx_24：凝胶输出：SDRAM 定时2寄存器(SDTIM2)
C66xx_24：凝胶输出：DDR3AEMIF_SDTIM2：0x00001D6B (地址：0x2101001C)
C66xx_24：凝胶输出：T_RTW[12:10]：7个周期(+1)
C66xx_24：凝胶输出：T_RP-[9：5]：11个周期(+1)
C66xx_24：凝胶输出：T_RCD [4：0]：11个周期(+1)
C66xx_24：凝胶输出

-----

第6点：

对于 DDR_SDRFC 寄存器，对于扩展温度，刷新率被选为“3124”。 但在 PHY 模式寄存器  DDR3-MR2中，SRT 的值为“0”，表示“正常工作温度范围(0)”。 -->这种 SRT 是“1”对吗？

   如果 DDR_SDRFC 值为00000C34，对于外部温度， 则 DDR3-MR2将为“00000098”。

   如果  DDR_SDRFC  值 为 00001869，对于正常温度， 则   DDR3-MR2将为“00000018”。

您的输出凝胶： Custom_board_EMIF_confgurationt_1600.txt

C66xx_24：凝胶输出
C66xx_24：凝胶输出：模式寄存器2 (MR2)
C66xx_24：凝胶输出：DDR3A_MR2：0x00000018 (地址：0x0232905C)
C66xx_24：凝胶输出：RTTWR[10:9]：动态 ODT 已禁用(0)
C66xx_24：凝胶输出：CWL[5：3]：CAS 写入延迟为8个周期(3)
C66xx_24：凝胶输出：SRT[7]：正常工作温度范围(0)
C66xx_24：凝胶输出：ASr[6]：自动自刷新电源管理已禁用(0)
C66xx_24：凝胶输出：PASr[2:0]：部分阵列自刷新设置为全阵列(0)
C66xx_24：凝胶输出

您的输出凝胶： Custom_board_DDR-PHYA_confgurationt_1600.txt

C66xx_24：凝胶输出
C66xx_24：凝胶输出：SDRAM 刷新控制寄存器(SDRFC)
C66xx_24：凝胶输出：DDR3AEMIF_SDRFC：0x00000C34 (地址：0x21010010)
C66xx_24：凝胶输出：INITREF_DIS[31]：正常运行
C66xx_24：凝胶输出：refresh_rate [15：0]：3124 (refresh_rate =刷新周期* DDR3时钟频率。)

(请参考我在上一篇文章中发布的计算分布表。)

此致

Shankari G

你好，M. Shanhari

您指出了 STIM2，SDRFC，MR2的值错误。 您是否意味着其他寄存器(如 DTPR0，DTPR1，STIM1)不必更改？ 或者他们被当作例子，我们应该根据电子表格修改所有内容吗？

此致，

布鲁诺

布鲁诺

对于1600 MT/s 的运行速度等级，您的凝胶文件在以下寄存器上的值错误。

第5点： 对于 DDR_SDTIM2寄存器，该值应为“0x00001D4A” -->您的凝胶的值为“00001D6B”错误

第6点： 对于 DDR3-MR2寄存器，值应为"00000098"--> 您的凝胶值为"00000018"时的值错误

对于 DDR_SDRFC 寄存器，对于扩展温度，刷新率被选为“3124”。 但在 PHY 模式寄存器 DDR3-MR2中，SRT 的值为“0”，表示“正常工作温度范围(0)”。 -->这种 SRT 是“1”对吗？

   如果 DDR_SDRFC 值为 00000C34，对于外部温度，  则 DDR3-MR2将为“00000098”。

   如果 DDR_SDRFC 值 为 00001869，对于正常温度， 则  DDR3-MR2将为“00000018”。

--

正如我已经提到的，以下寄存器值也应该更改。

DDR_SDTIM1 -“0x166C9875”

--

DDR_SDCFG  -“0x6200CE62”(正如我所同意的，“2KB 结构以1K 字表示，因此在 SDCFG 寄存器中产生值2”)

DDR_SDRFC - 00000C34 (如果您选择的是扩展温度，请保持不变...)

---

再次附加了扩展表以供参考。 e2e.ti.com/.../8562.cust_5F00_K2-DDR3-Register-Calc-v1p60.xlsx

---

在凝胶中执行所有这些修正，并检查是否发生这些错误...

更正凝胶文件后，在定制板上运行凝胶后，将凝胶文件和输出文件张贴在帖子上。

希望这能有所帮助！

此致

Shankari G

e2e.ti.com/.../essai_2D00_DDR1600_5F00_CORE100-_2D00_-TI.gel

您好，Shankari 女士，

我已经修改了凝胶(参见文件)，并将所有计算值都放在您的8562 ...电子表格中。

PNG 文件是打开内存窗口后所看到内容的快照。

请注意，打开内存窗口时，“错误”窗口并不总是出现在右边。 在连续刷新模式下，崩溃之前可能会发生一定的时间(假设1或2分钟)

 此致，

布鲁诺

布鲁诺

在定制板上运行时，请发布凝胶“essai-DDR1600_CORE100 - TI.GEL”的输出消息。

我的意思是，发布输出消息，如“Custom_board_EMIF_confguration_160.txt”和  “Custom_board_DDR-Phya_confguration_160.txt”，其中包含所有详细信息。

此致

Shankari G

e2e.ti.com/.../essai_5F00_gel_5F00_result.txte2e.ti.com/.../custom_5F00_emif_5F00_configuration.txte2e.ti.com/.../custom_5F00_phyA_5F00_configuration.txt

您好，

请参阅所附的所需文件。

此致，

布鲁诺

布鲁诺

谢谢。

我会检查您的附件并返回。

－

至少，我们，一些方法，确保软件注册配置正确无误。

因此，我们可以得出结论，继续，可能性在于硬件方面，而不是软件方面。

－

同时，如果我们愿意尝试并检查这些选项

1) 将数据速率更改为1866  MT/s

2)正常温度范围，正常刷新率-7.81 us

3) 2048字页-(仅用于实验和检查)，  

在扩展表中，黄色单元格可以通过下拉选项进行编辑，在其中，您可以更改这些 (上述)设计参数，并自动派生控制器寄存器和 PHY 寄存器。

--

此致

Shankari G

您好，Shankari

很抱歉耽误你的时间。

我按照要求修改了凝胶，这会导致调平过程中出现各种错误

请参阅文件

e2e.ti.com/.../global_5F00_default_5F00_setup_5F00_silent.txt

e2e.ti.com/.../ddr3A_5F00_EMIF_5F00_configuration.txt

e2e.ti.com/.../report_5F00_leveling_5F00_errors.txt

e2e.ti.com/.../2577.leveling_5F00_values.txt

e2e.ti.com/.../phyA_5F00_configuration.txt

e2e.ti.com/.../7183.essai_2D00_DDR1600_5F00_CORE100-_2D00_-TI.gel

此致

布鲁诺

布鲁诺

感谢您提供输出文件。 让我仔细研究一下，然后再回来。

介于之间，正如您提到的水平度误差... 在我们多次更改寄存器值配置时，您是否能够观察到水平误差的增加或减少... ？？

此致

Shankari G

布鲁诺

我已经验证了文件“ddr3A_EMIF_configuration.txt”和“phyA_configuration.txt”中给出的寄存器值。

是的，它们似乎与电子表格匹配(已共享)。

修改后的胶体文件中几乎没有需要检查的配准值。  

所以，  

请附上修改后的凝胶文件.....

此致

Shankari G

布鲁诺

我没有听到你的声音！

在您发布修改后的凝胶文件之前，让我们将此线程的状态设置为“已关闭”。

一旦您发布任何回复，系统将自动将其状态更改为“打开”。

此致

Shankari G

Shankari 女士，

我以为我已经发了凝胶。这是。

e2e.ti.com/.../6431.essai_2D00_DDR1600_5F00_CORE100-_2D00_-TI.gel

PGCR0和 PGCR1的改性凝胶始终会出现调平错误。

对于 PGCR0，PGCR1的初始值奇怪的是，在第一次执行“global_default_setup_silent”后未检测到错误。 但在第二次“global_default_setup_silent”启动(DX2GSR0[24]，DX2GSR0[6]，DX3GSR0[24]，DX3GSR0[6])后，错误会发生，然后在第三次启动时消失.....等等。

此致，

布鲁诺