This thread has been locked.

If you have a related question, please click the "Ask a related question" button in the top right corner. The newly created question will be automatically linked to this question.

[参考译文] TDA4VM:J784S4X:DDR4 RAM "T-branch"路由说明

Guru**** 2033340 points
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/processors-group/processors/f/processors-forum/1109065/tda4vm-j784s4x-ddr4-ram-t-branch-routing-clarification

器件型号:TDA4VM

您好!

我们在 PROC141E2_BRD 文件中找到了 DDR4 RAM 到 MPSoC 的 T 分支路由、如下图所示。 但 在 PROC141E2 EVM 文件的制造图中、不提供相同布线的阻抗。
您可以确认吗?

   

您还可以发送 完整的 PROC141E2 EVM 堆栈。

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    目标应是使干线/布线的阻抗加倍。  在上表中、CA0-CA5卡车/走线为33欧姆。  因此、T 分支段的目标值应为66欧姆。  但是- PCB 的制造限制通常不允许达到该阻抗。  然后、目标是尽可能接近、让仿真确定布线阻抗是否足够。   对于 PROC141E2设计、最小布线宽度为3mil、可提供约53欧姆的阻抗。

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    感谢您的反馈。 您能否确认制造图纸中未包含53欧姆阻抗的原因。请查看下图以供参考。  
    您还可以发送 完整的 PROC141E2 EVM 堆栈。

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    该表应包含 T 分支阻抗。  随附的是 PCB 供应商堆叠、用于部分 EVMs.e2e.ti.com/.../Stackup_5F00_AHP-16L-V1B1A1.pdf

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    感谢 EVM 的 Stakup。  

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    还有其他问题、我们可以关闭 E2E 吗?

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您能否确认上述堆叠是否用于 PROC141E2_CRP EVM 文档。

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    是的、这是用于 EVM (E2)的堆叠。