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[参考译文] TDA4VM:TDA4 OSPI 闪存器件 DQS 下拉电阻

Guru**** 1953960 points
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/processors-group/processors/f/processors-forum/1052298/tda4vm-tda4-ospi-flash-device-dqs-pull-down-resistance

器件型号:TDA4VM

尊敬的 TI 团队:

我们在 TDA4设计文件方面存在一些问题。

我们在 PROC105E6 (001)设计文件中发现 S28HS512TGABHM010 ospi 闪存的 DQS 引脚上具有下拉电阻。

但 在  PROC078E8 (001)设计文件中、MT35XU512ABA1G12-0AUT ospi 闪存的 DQS 引脚上没有下拉电阻。

  DQS 引脚上的下拉电阻的作用是什么?

如果我们使用 MT35XU512ABA1G12-0AUT 或其他 ospi 闪存、 它是否必须在 DQS 引脚上具有下拉电阻?

谢谢!

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    添加了下拉电阻器以兼容 S28H 闪存器件。  MT35X 不需要该功能。

    -Zack

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    您好:

    非常感谢您的回答。

    我想问你一些其他的建议。

    为什么 S28Hx 闪存器件需要  DQS 引脚?上的下拉电阻器

     我们无法在 S28Hx 闪存数据表中找到有关它的一些要求。

     是因为在 S28Hx 闪存器件中预驱动?

    谢谢!

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    这来自 TRM:

    12.3.2.4.2.2 DQS 上的外部下拉根据 OSPI 协议、闪存器件在 CS 置为有效时驱动 DQS。 当 CS 未置为有效时、闪存器件在 DQS 上呈现 HiZ。 当配置为使用 DQS 时、控制器使用 DQS 作为时钟、将传入的数据采样到 FIFO 中。 DQS 为 HiZ 时的噪声可能会导致 FIFO 虚假触发并填充无效数据。 除了复位 OSPI 模块之外、没有办法清除这些数据。 为避免此问题、建议在 DQS 行上添加下拉电阻。

    我之前的说法"MT35X 不需要它"、有点不准确。  我们仍然推荐它。  在 MT35X 上、DQS 会在不会导致此问题的情况下进入 HiZ、因此这些 EVM 上不存在 DQS。  但也不会损坏下拉电阻器。  因此、对于所有闪存器件、我们建议在 DQS 上进行下拉。

    -Zack

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