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尊敬的 TI 团队:
我们在 TDA4设计文件方面存在一些问题。
我们在 PROC105E6 (001)设计文件中发现 S28HS512TGABHM010 ospi 闪存的 DQS 引脚上具有下拉电阻。
但 在 PROC078E8 (001)设计文件中、MT35XU512ABA1G12-0AUT ospi 闪存的 DQS 引脚上没有下拉电阻。
DQS 引脚上的下拉电阻的作用是什么?
如果我们使用 MT35XU512ABA1G12-0AUT 或其他 ospi 闪存、 它是否必须在 DQS 引脚上具有下拉电阻?
谢谢!
添加了下拉电阻器以兼容 S28H 闪存器件。 MT35X 不需要该功能。
-Zack
您好:
非常感谢您的回答。
我想问你一些其他的建议。
为什么 S28Hx 闪存器件需要 DQS 引脚?上的下拉电阻器
我们无法在 S28Hx 闪存数据表中找到有关它的一些要求。
是因为在 S28Hx 闪存器件中预驱动?
谢谢!
这来自 TRM:
12.3.2.4.2.2 DQS 上的外部下拉根据 OSPI 协议、闪存器件在 CS 置为有效时驱动 DQS。 当 CS 未置为有效时、闪存器件在 DQS 上呈现 HiZ。 当配置为使用 DQS 时、控制器使用 DQS 作为时钟、将传入的数据采样到 FIFO 中。 DQS 为 HiZ 时的噪声可能会导致 FIFO 虚假触发并填充无效数据。 除了复位 OSPI 模块之外、没有办法清除这些数据。 为避免此问题、建议在 DQS 行上添加下拉电阻。
我之前的说法"MT35X 不需要它"、有点不准确。 我们仍然推荐它。 在 MT35X 上、DQS 会在不会导致此问题的情况下进入 HiZ、因此这些 EVM 上不存在 DQS。 但也不会损坏下拉电阻器。 因此、对于所有闪存器件、我们建议在 DQS 上进行下拉。
-Zack