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[参考译文] TDA4VM-Q1：TDA4VL 3端子电容器数量优化

admin
Guru**** 1701450 points
请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/processors-group/processors/f/processors-forum/1160751/tda4vm-q1-tda4vl-3--terminal-capacitors-quantity-optimization

器件型号：TDA4VM-Q1
主题中讨论的其他器件：TDA4VL

大家好、

  虽然我们删除了一些3端电容器、但我们发现 TDA4VL PDN 性能非常好。 我们根据 PDN 要求文档"TDA4AL_VL_VME_Prlm_pi_Rcmds_v0.3.pdf"得出此结论。

仿真结果表明、我们可以删除位于 CPU 旁边的3端电容器：VDD_CPU_AVS 为4个1uF ； VDD_CORE_0V8为7个10uF 和5个1uF； VDD_MCU_0V85_REG 为1个10uF 和3 个1uF；VDD_DDR_V1为2个10uF 和7个1uF。 如果除了文档  "TDA4AL_VL_VME_Prlm_pi_Rcmds_v0.3.pdf"之外还有更多有关 TDA4VL 的 PDN 要求、并且如果我们删除这些3端电容器存在任何风险、请帮助解决。 Tks。

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    TI__Guru**** 1701450 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    除本文档外、我们没有其他 PDN 要求。  提供的建议去耦基于我们的 EVM 实现。  您的 PCB 的性能将不同于我们的 EVM、因此需要对其进行建模/仿真以确定其性能。  在仿真过程中、可以尝试使用电容器的变化来确定如何影响/优化性能。  另外请记住、仿真只是一个估计值、有许多仿真工具/参数会影响输出精度。  我们的解决方案已经过验证、因此我始终要求客户遵循我们的示例、直到他们在自己的电路板上有真实数据、然后再优化太多的电容器。   

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    TI__Guru**** 1701450 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    Robert、

      用于重新链接的 Tks。 TI 推荐的 PDN 验证流程是什么？ 如何得出 PDN 性能正常的结论？

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    TI__Guru**** 1701450 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    TI 通过运行测试来生成最大负载阶跃、从而在 EVM 上验证其 PDN。  在整个温度范围内重复此测试、电压会缓慢降低、直到系统发生故障。  然后评估系统发生故障的电压、以确保我们有足够的裕度。  客户可以对其应用程序执行类似的操作。