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[参考译文] AM6546:AM6546 DDR4路由

Guru**** 1761415 points
Other Parts Discussed in Thread: AM6546
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/processors-group/processors/f/processors-forum/896695/am6546-am6546-ddr4-routing

器件型号:AM6546

您好!

我们使用的是采用4x1GB DDR4配置的 AM6546。

有一条准则、即每当信号改变层和时、通过添加过孔或电容器来避免返回路径不连续性
参考平面。

由于空间限制、我们发现在路由中很难遵循这一点。

作为参考、我们获取了 EVM、发现即使 EVM 也无法遵循此要求。

我们需要知道这对 DDR4 SI 的影响。

如果是、则我们如何克服这一问题、因为我们无法将 GND 过孔放置在 DDR4下方、因为没有可用空间。

此致

Tauseef Kazi

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好!

    是否有任何更新?

    我们是否有解决方案?

    此致

    Tauseef Kazi

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    您好!

    根据同事的反馈、我了解到这是所有高速路由的通用指南、而不是特定的 DDR4问题。 提供的其他信息:

    "只要 A 信号经过过孔及其参考平面发生变化、就需要有高频电流的返回路径。  如果两个参考平面都接地、则应靠近连接两个平面的过孔。  或者、与 DDR 通常一样、如果信号是从接地基准转换为 VDDQ 基准的地址信号、则附近应有一个提供返回路径的电容器。  根据 DDR 布局的经验、我建议将这个过孔或电容器放置在转换过孔的100mil 范围内。  通常、这些通孔都出现在 SOC PHY 和 SDRAM 下、因此附近应该有足够的接地通孔和去耦电容器。"

    此致、
    Kevin