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https://e2e.ti.com/support/processors-group/processors/f/processors-forum/774575/tda2-ddr3-interface-pullup-resistors-of-address-data-bus
我们研究了 TDA2H/TDA2S/TDA2P 参考原理图、发现了 DDR3接口 原理图之间的差异：
TDA2H/TDA2S 参考原理图上没有 VTT 上拉电阻器、但一些技术支持工程师建议我们为 TDA2H/TDA2S/DRA756原理图添加上拉电阻器；
TDA2P-ACD 和 TDA2P-ABZ 的参考原理图包括以下上拉电阻器。
您是否能帮助我们解释以下原理图的使用和功能？
您好、Joseph、
这些电阻器是到 VTT 的终端。
如果存储器类型为 DDR3/3L、TI 已经验证并仅支持每个 EMIF 的 C/A 总线的 fly-by 拓扑、总线端接至 VTT 这意味着该设计中采用了专用 VTT 电源(独立稳压器 IC 或复杂 DDR 电源解决方案的一部分)、并为两个 EMIF 的端接电阻器供电(建议的符合汽车标准的器件是 TPS51200-Q1；它还会生成 VREF 电压)。 如果在设计中使用了 EMIF1的 ECC 通道、则32位系统几乎不可避免地使用 VTT 端接的 Fly-by 拓扑(由于存储器芯片数量为奇数、否则很难进行平衡)。
此致、
STAN
