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[参考译文] TDA4:SoM 和通用处理器板原理图/布局问题

Guru**** 1957125 points
Other Parts Discussed in Thread: LM5141, LM5175
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/processors-group/processors/f/processors-forum/831745/tda4-som-and-common-processor-board-schematic-layout-questions

主题中讨论的其他器件:LM5141LM5175

一些问题与 TDA4 EVM SOM 原理图和布局有关。  

1) 1)我们已获得 E5原理图、并注意到较新的原理图即将推出。  我们被要求 确定,或者至少概述从“E5”到“E7”的变化是什么,受影响的电路和功能是什么?  

2) 2)在通用处理器板上、我们有多个闪存组件、其中包括一个 UFS 器件。  它的目的或用例是什么?

3)  注意到原理图第5和第6页(PROC079E2A)上的通用处理器板电源流图和电源序列图与 LM5175、LM5141和 LM5140原理图中的注释之间存在不同的电源信息。

4)注意到系统的 VDD_IO (SHV)电压为3.3V、而不是1.8V。  原因是什么?

5) 5) SOM 布局设计正在生成大量未注释的 DRC。  我们想知道这些内容是否已经过审查。  我们想了解已构建的内容以及报告的这些项目的影响和风险。

 

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    请信赖 Robert Eschler 的回答。  我在这里发布答案是为了后代。

    答案#1 - E6/E7原理图有详细的变化历史记录。 我已经发布了包含这些内容的文档。

    e2e.ti.com/.../1447.E6_5F00_E7_5F00_Changes_5F00_082019.pdf

    #2 - UFS 表示通用闪存…这是另一种非易失性存储器技术、是 J7系列的新技术、提供更少的引脚数接口(SERDES)

    #3 -方框图已过时-具体电源页面的文本注释中提供了准确信息。

    4 - EVM 上使用的许多外设可以支持3V3或1.8V IO。  但是、一些外设仅支持3V3 IO (例如音频编解码器)。

    #5 -我们已经构建了 E6设计、现在正在构建该设计。  如果有兴趣、我们可以请求有关特定 DRC 的信息/反馈。

    John



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