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器件型号：66AK2G02 主题中讨论的其他器件：EVMK2G、 LP2996A
大家好、
我有一位客户在他们的系统中使用 K2G02、他们有一些问题：
对于 DDR3L 存储器、我在 EVMK2G 原理图的表6电源流程图中找到了以下值：
对于五个 DDR3L 芯片、MT41K512M8RH-125：E
PMIC TPS659118 -> VDD_DDR +1.35V 1175mA
LP2996A -> VDDR_VTT +0.675V 272mA
LP2996A -> VCC_DDR_VREF +0.675V 0.05mA
问题1：我们将在定制板上使用三个 DDR3L 芯片 MT41K64M16TW-107 :J。 第三个芯片用于 ECC。 如果我使用上面的数字除以5 (对于 EVMK2G 上的5个 DDR3芯片)然后乘以3 (电路板上的3芯片 DDR3L 配置)、我是否足够正确？
VDD_DDR +1.35V (1175mA/5）*3 = 705mA
VDDR_VTT +0.675V (272mA/5）*3 = 164mA
Q2：DDR3L、MT41K64M16TW-107、仅具有64MB x 16的内存大小。 地址行 DDR_A[15：13]未使用。 我们是否仍然需要具有 K2GEVM 原理图表15中所示的 DDR 终端？
Q3：不使用 DDR_CLK_P (焊球编号 AE24)和 DDR3_CLK_N。 DDR PLL 将配置为在内部生成。 Spruhu8e (K2G TRM)的表4-1显示 I/O 电压值为1.8V。 因此、我有1k Ω 上拉至 DVDD18、而不是 DVDD_DDR (1.35V)。 我是对的吗？
谢谢、
Brian
