Thread 中讨论的其他器件:CC2650
工具/软件:TI-RTOS
大家好、TI 开发团队。
我使用的是主板 CC2650、我们公司制造的是板载产品。
在 SPI nand 闪存中制作电路板、SPI 通信正常(读取公司 ID 和寄存器等)
但我们的读/写页面有问题... 2048的 SPI nand 闪存页面大小。
在声明数组之前、内存已足够。
声明数组'uint8_t flash_buffer[2048];'
CCS 工程 编译正常、但电路板不工作
在声明可用存储器之前为3463字节。
声明2048byte 可用内存为1415 Byte。
我尝试了很多东西。
1.更改预定义符号'HEAPMGR_SIZE=0 '->'HEAPMGR_SIZE=2100'
2. 更改 app_ble.cfg 文件更改 BIOS.heapSize = 1668 -> 3716
3.更改 app_ble.cfg 文件更改 heapMinParams.size = 1668;-> 3716
4.尝试'Memory_alloc'函数 SYS/BIOS (TI-RTOS 内核) v6.46用户指南'7.7.3 Using the xdc.runtime.Memory Module'
全部失败。
如何使用大缓冲器?
c source include 中的 CCS 项目
/*********
*局部变量
*/
uint32_t udAddr = 0;
uint8_t flash_buf[page_data_size]={0、};//编辑 kevin.ko 测试 Nandflash 页大小2048;
//uint8_t * flash_buf;
while (TRUE)//在_taskFxn 任务中...
{
if (file_transfer_Config = ST_CFG_SENSOR_ENABLE)
{
Log_info0 ("file_transfer_TaskFxn");
// for (int i=0;i "flash_buf[%d][%d]",i,flash_buf[i]);="" }="" error_block="" eb;="" flash_buf="Memory_alloc(NULL," 128,="" 0,="" &eb);="" if="" (flash_buf="=" null)="" log_info0("memory="" allocation="" for="" buf1="" failed");="" not="" for(int="" i="0;" i"flash_buf[i]="[0x%02x]",*(flash_buf+i));" memory_free(null,="" flash_buf,="" 512);="" delay_ms(sensor_default_period);=""
未编译 CCS 工程。



