器件型号:TMDXIDK5728
工具/软件:TI-RTOS
您好!
我正在使用 AM572x IDK。 我们将板载 QSPI 闪存与 PDK 3.3配合使用。 我们在带有 cfg 文件中的属性设置的 QSPI 闪存的 MMU 设置中启用了缓存
Mmu.initDescAttrsMeta(attrs1); attrs1.type = MMU。DescriptionorType_block;//块描述符 attrs1.sharedable = 2; //可重设 的 attattrs1.attatIndx=2; //缓存,正常内存
我们将使用 PDK 中为 AM572x IDK 提供的闪存 API。 此处的要求是启用具有高速缓存的闪存、但我们需要在写入时将数据写回闪存。 因此,我们在每次写入后调用 cache_wb()指令。
写入闪存的块为256字节。 遇到的问题是、当我们调用 cache_wb 时、写入256个字节后、只有前64个字节被写回闪存、剩余192个字节全部为0xFF (闪存字节的默认擦除状态)。
我们探讨的另一个选项是在写通模式下为闪存启用高速缓存。 根据 SYSBIOS 文档、我需要为此更新 MAIRx 值。 但是、当我查看 ARM A15文档时、没有关于在写通模式下为15的 MAIRx 设置什么值的文档。
这里的任何帮助都将非常有用。
谢谢
此致、
Manmohan
