[参考译文] TMS320C6657：引导模式(DEVSTAT)读取错误

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https://e2e.ti.com/support/processors-group/processors/f/processors-forum/597311/tms320c6657-bootmode-devstat-read-incorrectly

器件型号：TMS320C6657

我目前正尝试直接从 NAND 引导、结果"不稳定"。 core0有时会从 NAND 中正确引导、有时会"挂起"到 BootROM 中(很明显)。

我的引导模式引脚都通过电阻器连接到上拉/下拉电阻器、不由任何其他信号驱动。

我将所有上拉和下拉电阻更改为1K 欧姆电阻器(这似乎应该足够"强、即使是使用内部上拉/下拉电阻器)。

我尝试添加二级复位(在最初退出复位后)、但这也没有解决问题。我认为我看到了一个提及添加二级复位的用于直接 NAND 引导的 E2E 主题、但我在 E2E 页面上似乎找不到我阅读此建议的原始论坛主题。

当我通过仿真器连接并在 Code Composer 中执行 CPU 复位后单步执行汇编(在 BootROM 中)时、处理器似乎从 DEVSTAT 寄存器中读取了一个不正确的值。它的读数为0x11807、而我的电阻上拉/下拉将其设置为0x0C03 (NAND、无 i2c 参数、nand 块0源)。我还使用 DMM 探测了这些线路、电压对于所需的引导模式似乎是正确的。

当器件脱离复位状态并获得二次复位时、我附加了复位线路的捕捉

这是一个屏幕截图、我在其中捕获了 C6657读取错误的引导模式值。

8 年多前

0 admin 8 年多前

TI__Guru**** 2558250 points

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Mark、您好！

我已将此事转交给专家。他们的反馈应发布在此处。

BR
Tsvetolin Shulev

0 admin 8 年多前

TI__Guru**** 2558250 points

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Mark、您好！
让我提出两个问题。首先、在引导序列图中、您不会显示应用系统时钟的位置。在 PORz 和 RESETFULLz 变为高电平之前、您能否确认时钟是否存在指定时间？其次、RESETFULLz 变为高电平后、RESETz 信号变为低电平。您能否告诉我该信号为什么会降低？
谢谢、
Bill

0 admin 8 年多前

TI__Guru**** 2558250 points

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您好 Bill、

1) 1)在任何复位激活之前很长时间应用系统时钟(电源也是如此)。我之前已在 O 示波器上验证这些信号。我的逻辑分析仪没有正确捕获时钟的带宽、因此我特意省略了时钟。我附加了一个图、其中包括 PLL_LOCK 信号变为有效、这是任何复位信号取消置位前25ms 的时间。

2)第二次重置是指这个线程(我刚刚被重新发现)、它在 Rahul Prabhu 的答复中、在第二个选项中是"建议的变通办法"-

如何生成 C6657和引导引导表？

3)有趣的事实...如果我运行提供的"evmc6657.gel"文件的"Global_default_setup()"，请在 Code Composer 中执行"CPU Reset"，则电路板会正确引导。

我"逆向工程"了文件名信息、并引用"ROM 引导加载程序"的另一个线程的引导日志

以下是 bootlog 部分中的数据"snip"：

1651 9 8ffa80 0 160 4
00000004
0000000A
00000001
20B15BA8
00000298
0000006A
20B15BA8
000000AE
0000006A
20B15BA8
00000071
00000066
20B15AF0
000000C3
00000000

下面是我解析的文件名信息：

===========================================================================================================================================
文件名：BootFailure-Filename.dat
魔法号码：1651
支持的格式：9
起始地址：0x20b15a40
页：0
长度：0x400
格式：0x10
====================================================================================================================================================================================================================================================================================================================================================================================================================================================================================================================================================================================================================================================================================================================
[0x20b15a40]./../../../devices/gauss/gaussDsp.c
[0x20B15A68]./../../../devices/gauss/gauss.c
[0x20B15A90]./../../bootproc/bootproc.c
[0x20B15AB0]./../../main/mainemif4cfg.c
[0x20B15AD0]./../../main/emifmain25.c
[0x20B15AF0]./../../main/nandmain.c
[0x20B15B10]./../../main/pciemain.c


/../../main/vusrmain.c


/../../main/spimain.c [0x20B1520.0][0x20B150./../../main/riomain2.c [0x20B1520.B1520.0][0x20B150./../../main/uartmain.c。[0x20B1520.B1520.0][0x20B1520.B150./../../main/ethmain.c。[0x20B1520.B1520.B15.0][0x20B150.[0x20B1520.B15.0]./../../hw/nand/nand.c

它看起来在引导加载程序的"nand.c"部分出现了故障。即使当我在仿真器/CCS Studio 环境中复位 DSP 时、"DEVSTAT"似乎被读取为"超链接启动"。

0 admin 8 年多前

TI__Guru**** 2558250 points

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Mark、

C6657受 TCI6614器件的相同 NAND 引导通报的影响、如需参考、请查看此处的通报：
www.ti.com/.../sprz370e.pdf

我们已在 EVM 上复制此内容、并提供了您之前提到的第二个复位解决方案。 n`t 在第二次复位期间 DEVSTAT 值发生变化、此操作才有效。此解决方案仅适用于 EVM。在您的n`t 硬件上、您可以确保在 NAND 加电后 SOC 上电、这样您就不需要实施第二个复位解决方案。检查勘误文档中讨论的解决方法。

此致、
Rahul

0 admin 8 年多前

TI__Guru**** 2558250 points

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您好、Rahul、

我做了以下工作：

1) 1)将我的 CORECLKP/CORECLKN 频率降至50MHz

2) 2)我为8倍多倍频器设置引导模式引脚、这意味着应该是400 MHz 内核时钟

我仍然看到引导失败、但这些是我遇到的引导日志错误：

1651 9 8ffa80 0 160 4
00000007
0000000A
00000001
20B15BA8
00000291
00000069
20B15BA8
00000291
00000069
20B15BA8
00000291
00000069
20B15BA8
00000291
00000069
20B15BA8
000000B6
0000006F
20B15BA8
00000071
00000071 00000067
20B15BA0 00000000 C3

这似乎表明 RBL 缺少"忙标志"、但我仍然收到此错误：

#define NAND_BOOT_ERROR_OPEN_GET_FLASH_details 103.

对此有什么想法吗？

0 admin 8 年多前

TI__Guru**** 2558250 points

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您能否指定您尝试从哪个 NAND 器件引导的相关内容。我建议您先尝试使用 C6657 EVM 启动映像、然后再在定制硬件上进行测试。这将为我们提供一个数据点。

n`t 日志仅指示该函数进入 NAND 主函数和 Nand 驱动程序、但无法根据从 NAND 闪存获取的数据获取 NAND 几何体。

0 admin 8 年多前

TI__Guru**** 2558250 points

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EVM 使用我的代码包进行引导。这里的问题是、事情似乎在 RBL 中挂起、甚至没有达到我的代码。这似乎表明在 RBL 中读取 NAND 时出现问题。代码本身不会出现问题。

我们设计中的 NAND 器件为：MT29F1G08ABCHC-ET：C

但是、该器件已转换为更小的工艺、即 MT29F1G08ABBDAHC-IT：D
我可以为数据表做的最好的事情是： MT29F1G08ABCHC-ET：C (Micron 的站点)

0 admin 8 年多前

TI__Guru**** 2558250 points

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我查看了 NAND 数据表、它似乎是一个具有1位 ECC 要求的 ONFI NAND。

您是否可以提供原理图的 NAND 部分。您正在使用什么 CS/CE？数据还是仅在 SOC 和 NAND 之间连接 CS/CE？您如何刷写 NAND？

0 admin 8 年多前

TI__Guru**** 2558250 points

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您好、Rahul、

更改引导模式引脚上的 PLL 设置(下拉至上拉)对我们的设计产生了意外的后果。引导后、引导模式引脚12至10用作 GPIO 输出、以驱动某些缓冲器的输出使能。这些缓冲器允许我们连接到 UPP 总线。问题在于所需的较慢 PLL 设置、即 BOOTMODE 引脚上的下拉电阻、将缓冲器置于 UPP 接口上(与 NAND 接口共享信号)的错误状态。我能够通过跳线来解决这个问题、而且似乎是在正确的轨道上。我需要更多地练习该修复程序、以增强对它的信心。但是、如果经过一段时间和测试后看起来不错、我将验证答案。

在返回之前、我需要重点关注 CCSv7问题、但我很快就会重新检查。

谢谢、
标记

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