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器件型号：TMS320C6678 您好！
我的定制板上存在启动失败问题。
我以前打开了一个线程，但我正在创建新线程，因为我没有得到任何想法。
引导模式为 emif16 - NOR FLASH。
上电后、DSP 由 NOR 闪存数据初始化、然后将应用 SW 从 NOR 复制到 DDR3。
当引导失败时、DDR3时钟的频率与参考时钟相同。 当我检查 DDR3PLLCTL 寄存器时、旁路模式启用。
初始化函数几乎与 evmc6678.gel 相同、后者是 c6678 EVA 板的 GEL 文件。
总之、我对 PLL 和 DDR 初始化有一些疑问。
1> DDR3调平
当前 DDR3时钟设置为666.7MHz。 我想将其降低到400MHz。 我是否应该更改'DR3_setup_auto_lvl_1333 ()'函数？
支持的最大时钟 DDR3内存为666.7MHz。 我将通过改变 PLL 值来降低时钟速度、但我不确定是否应该改变调平功能。
我找不到 "KeyStone I DDR3 Initialization" pdf 文件中提到的电子表格。 我可以从何处下载它？
2>如何检查 PLL 锁定状态
在 PLL 初始化序列中、只有最短的时间等待 PLL 锁定。
是否无法检查 PLL 锁定状态？
如果 PLL 在 最短等待时间后仍然处于解锁状态、我是否应该增加等待时间并重试测试？
3>GOSTAT 位
GEL 文件中的 init_pll ()输出错误文本、当 GOSTAT 未更改为0时不执行任何操作。
在应用中、是否可以通过清零 RSTCTRL 寄存器复位 DSP？
