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[参考译文] 66AK2H14：EMIF16电压和 NAND 闪存接口

admin
Guru**** 2583825 points


请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/processors-group/processors/f/processors-forum/594471/66ak2h14-emif16-volatage-and-nand-flash-interface

器件型号：66AK2H14

您好！

 在 SPRS866E 的第265页( 表9-4电源到外设 I/O 映射)中、没有给出 EMIF16的电源详细信息。 我们能否考虑 EMIF 的 LVCMOS (1.8V)本身？

如果我考虑 LVCMOS (1.8V) ，VOHmin 将为1.35V (在同一文档中，表9-3电气特性)。 对于 NAND 闪存 MT29F4G08ABBDA、VIHmin 大于该值(1.44V)。

这种不匹配是否会导致任何功能问题？ 我提出这一问题的原因 是、对于66AK2E02、VOHmin 与66AK2H 相同、但其 EVB 使用相同的 NAND 接口。

谢谢、此致、

Madhu。

  • 0
    TI__Guru**** 2583825 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    您好、Madhu、

    [引用]我们能否考虑 EMIF 的 LVCMOS (1.8V)本身？[/引用]
    是的、EMIF16接口使用1.8V LVCMOS IO。

    EMIF16模块可在器件与 NAND 和 NOR 闪存等外部存储器之间提供接口、因此在将其连接到 NAND 闪存 MT29F4G08ABBDA 时不会出现任何问题、请参阅数据手册中的第10.25节 EMIF16外设。

    如有必要、我已通知硬件团队进行确认/详细说明。

    此致、
    Yordan
  • 0
    TI__Guru**** 2583825 points
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    Yordan、您好！

    感谢您的快速响应。

    是的、我同意 NAND 闪存可以连接到 EMIF。 但在这种情况下、处理器的(VOH)最小值小于 NAND 闪存的(VIH)最小值。 我怀疑这是否允许。

    此致、
    Madhu。
  • 0
    TI__Guru**** 2583825 points
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    您好！

    请任何人回答上述问题吗？

    提前感谢。

    此致、
    Madhu。
  • 0
    TI__Guru**** 2583825 points
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    马德胡

    我正在与设计团队合作、以澄清这一点。 我很快会向您提供最新信息。

    此致、
    SENTHIL
  • 0
    TI__Guru**** 2583825 points
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    您好、Madhu、
    我检查了 NAND 的规格、我看到他们请求的电压比 K2E 指定的电压高。 K2E 的1.8V IO 设计符合 JEDEC 标准 JESD76 (1.8V CMOS 逻辑器件说明)、并且我们的限制与该规范相匹配。 我不确定为什么 Micron 选择在高于 JEDEC 规范中给出的值的水平下定义 Vin 最小值。 我只能报告我们没有看到任何与 NAND 连接的问题报告。
    此致、
    Bill
  • 0
    TI__Guru**** 2583825 points
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    您好 Bill、

    非常感谢您提供的信息。

    在器件型号 为 IS61WV204816BLL-10BLI 的32MB ISSI 的 ASRAM 中观察到类似的不匹配情况。

    您能否检查一下、并告诉我、通过将这些 IC 与 Keystone II 处理器配合使用、是否有任何问题报告给 TI？

    此外、我还要求您推荐任何其他最适合处理器的 NAND 闪存和 ASRAM (如果有)。

    谢谢、此致、

    Madhu。

  • 0
    TI__Guru**** 2583825 points
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    您好、Madhu、

    应该注意的是、VOHmin=(DVDD18 - 0.45) V 是在 IO=IOH 测试条件下指定的、其中对于 LVCMOS、IOH=IOHmax=-6mA。
    为 NAND 指定的最大输入泄漏电流为10uA。
    EMIF 引脚上的内部下拉电流(即使在该引脚输出时处于激活状态)可能会增加170uA。
    如果没有外部下拉电阻、则产生的负载电流远小于1mA。
    因此 VOH 值肯定会高于1.35V。
    可以使用 IBIS 模型大致估算该值。

    BR、
    Denis
  • 0
    TI__Guru**** 2583825 points
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    尊敬的 Denis：

    非常感谢您提供的信息。

    1) 1) ASRAM 是否也可以考虑同样的情况？ 因为 ASRAM 的输入泄漏电流为1uA。

    2) 2)是否也可以对(VOL) max 进行相同类型的分析？ (音量)最大值 为0.45V @ 6mA。 ASRAM 的输入泄漏电流为1uA。 那么、我是否可以认为 KeyStone 低电平输出肯定会低于0.45V？

    此致、
    Madhu。
  • 0
    TI__Guru**** 2583825 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    马德胡

    我假设同样的考虑也可应用于其他外部外围设备、例如 ASRAM 和 VOL 电平。
    不过、强烈建议使用 IBIS 仿真来估算轻负载时的 VOH/VOL 电平(大约1mA)。

    Denis
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    TI__Guru**** 2583825 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Madhu、

    我们没有收到任何有关连接到 EMIF 接口的其他器件的问题报告。 如果您对 NAND 和 ASRAM 有疑问、我建议您联系这些器件的制造商、并询问为什么不符合1.8V LVCMOS 接口的 JEDEC 规范。 它们可能能够根据存在的负载为您提供更好的规格。

    此致、

    Bill