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第17页、共页
KeyStone 器件的 DDR3设计要求如下:
所有基准电压的直流电压容差和交流噪声限制都很好
在适用的 JEDEC 标准(第129页、JESD79-3C)中定义。 严格符合
这些限制对于确保 DDR3 SDRAM 的正常功能非常重要
接口。 Vref 容差为・}1%或 VDD/2・1%、相当于
0.7425V–0.757575V。为了实现这一严格的容差、建议使用(使用
标准电阻分压器网络)、使用容差优于1%的组件。
但在查看数据表时
SPRS814C–2012年3月–2016年5月修订
PG 36对于器件、其读数为:
VREFSSTL DDR3参考电压0.49×DVDD15 0.5×DVDD15 0.51×DVDD15V
数据表提供了更多放宽要求的元!
我想我在某处读到数据表将其他文档放在了一起... 我使用的 TPS51200终端电源可提供 0.75V 正负15mV 的电压容差、符合数据表要求、但不符合 其他文档要求....
TPS51200是否可以使用?
[引用用户="Paul kerstetter"]
Vref 容差为・}1%或 VDD/2・1%、相当于
0.7425V–0.757575V
[/报价]
不完全是。 JEDEC 规范为 VDD 的+/-1%。 您的计算基于 VREF、即 VDD/2。 因此、DDR3应该使用+/-15mV、DDR3L 应该使用+/-13.5mV。
还有一个用于调节"临时偏差"的交流规格、这可能是另一个+/-1%(VDD 的百分比)。
对于 TPS51200、请注意 REFOUT 通常等于 REFIN。 因此、即使使用 TPS51200、在为 REFIN 供电时仍需要使用1%的电阻器。 这将设置您的直流电平。 TPS51200的"偏差"为+/-12MV、同时满足 DDR3和 DDR3L 的交流规格。
好的、只要在为 REFIN 供电时仍使用1%电阻器、TPS51200就可以正常使用。
好的,我在 数据表中看到 TPS51200的 REFOUT 电压容差为正负12mV……
当您说"在提供 REFIN 时仍需要使用1%电阻器"时、您的意思是否优于1%? 喜欢0.1%? 这种情况似乎是这样的、因为 TPS 数据表对 VREFIN 没有要求。 例如使用1%电阻器1.5V *10K /(20K)=0.75 V= Vrefin、 1.5V*10.1K/(20K)=0.7575 V、 1.5V*9.9KKKKKK/(20K)=0.7425, 由于电阻器变化1%(甚至不考虑温度影响),该值为正负7.5mV, 但是、由于 REFOUT 对 REFIN 的容差为正负12mV 、因此 REFIN 的实际变化为正负19.5mV (12mV + 7.5mV)。 Vdd = 1.5V 时的1%精度为 正负15mV、或0.75V 附近的变化为正负7.5mV
《 KeyStone 器件的 DDR3设计要求》文档。 推荐比!%电阻器更好…
TM 320数据表将电压基准的最小和最大要求显示为......、这一点仍然很有趣
VREFSSTL DDR3参考电压0.49×DVDD15 0.5×DVDD15 0.51×DVDD15 V 第36页
换句话说: 1.5V * 0.49 = 0.735最小值和1.5V* 0.51 = 0.765V 最大值
这意味着它比 JEDEC 要求更宽松、因此与 JEDEC 要求兼容。 JEDEC 要求针对 DDR3电源、 这是 KeyStone 器件的 DDR3设计要求文档中提到的内容。
感谢您的回答。
[引用 user="Paul kerstetter"]当您说"在提供 REFIN 时仍需要使用1%电阻器"时、您的意思是否优于1%? 喜欢0.1%? [/报价]
否
[引用 user="Paul kerstetter"]《KeyStone 器件的 DDR3设计要求》文档。 推荐比!%电阻器更好… [/报价]
这是错误的、因为我之前解释过。 1%的电阻器没有问题。
[引用用户="Paul kerstetter"]
TM 320数据表将电压基准的最小和最大要求显示为......、这一点仍然很有趣
VREFSSTL DDR3参考电压0.49×DVDD15 0.5×DVDD15 0.51×DVDD15 V 第36页
换句话说: 1.5V * 0.49 = 0.735最小值和1.5V* 0.51 = 0.765V 最大值
[/报价]
这与 JEDEC 标准完全相同、即 VDD 的+/-1%。
好的、那么文档是错误的
无论如何、感谢您的帮助、我已经完成了这篇文章、并做出了设计决策。