[参考译文] TMS320C6657：DDR3的 Vref ...文档之间的描述冲突。

[引用用户="Paul kerstetter"]

Vref 容差为・｝1%或 VDD/2・1%、相当于

0.7425V–0.757575V

[/报价]

不完全是。  JEDEC 规范为 VDD 的+/-1%。  您的计算基于 VREF、即 VDD/2。  因此、DDR3应该使用+/-15mV、DDR3L 应该使用+/-13.5mV。

还有一个用于调节"临时偏差"的交流规格、这可能是另一个+/-1%(VDD 的百分比)。

对于 TPS51200、请注意 REFOUT 通常等于 REFIN。  因此、即使使用 TPS51200、在为 REFIN 供电时仍需要使用1%的电阻器。  这将设置您的直流电平。  TPS51200的"偏差"为+/-12MV、同时满足 DDR3和 DDR3L 的交流规格。

好的、只要在为 REFIN 供电时仍使用1%电阻器、TPS51200就可以正常使用。

好的，我在 数据表中看到 TPS51200的 REFOUT 电压容差为正负12mV……

当您说"在提供 REFIN 时仍需要使用1%电阻器"时、您的意思是否优于1%？  喜欢0.1%？  这种情况似乎是这样的、因为 TPS 数据表对 VREFIN 没有要求。  例如使用1%电阻器1.5V *10K /(20K)=0.75 V= Vrefin、 1.5V*10.1K/(20K)=0.7575 V、 1.5V*9.9KKKKKK/(20K)=0.7425， 由于电阻器变化1%(甚至不考虑温度影响)，该值为正负7.5mV， 但是、由于 REFOUT 对 REFIN 的容差为正负12mV 、因此 REFIN 的实际变化为正负19.5mV (12mV + 7.5mV)。   Vdd = 1.5V 时的1%精度为 正负15mV、或0.75V 附近的变化为正负7.5mV

《  KeyStone 器件的 DDR3设计要求》文档。 推荐比！%电阻器更好…

TM 320数据表将电压基准的最小和最大要求显示为......、这一点仍然很有趣

VREFSSTL DDR3参考电压0.49×DVDD15 0.5×DVDD15 0.51×DVDD15 V  第36页

换句话说： 1.5V * 0.49 = 0.735最小值和1.5V* 0.51 = 0.765V 最大值

这意味着它比 JEDEC 要求更宽松、因此与 JEDEC 要求兼容。   JEDEC 要求针对 DDR3电源、 这是 KeyStone 器件的 DDR3设计要求文档中提到的内容。

感谢您的回答。

[引用 user="Paul kerstetter"]当您说"在提供 REFIN 时仍需要使用1%电阻器"时、您的意思是否优于1%？  喜欢0.1%？ [/报价]

否

[引用 user="Paul kerstetter"]《KeyStone  器件的 DDR3设计要求》文档。 推荐比！%电阻器更好… [/报价]

这是错误的、因为我之前解释过。  1%的电阻器没有问题。

[引用用户="Paul kerstetter"]

TM 320数据表将电压基准的最小和最大要求显示为......、这一点仍然很有趣

VREFSSTL DDR3参考电压0.49×DVDD15 0.5×DVDD15 0.51×DVDD15 V  第36页

换句话说： 1.5V * 0.49 = 0.735最小值和1.5V* 0.51 = 0.765V 最大值

[/报价]

这与 JEDEC 标准完全相同、即 VDD 的+/-1%。

好的、那么文档是错误的

无论如何、感谢您的帮助、我已经完成了这篇文章、并做出了设计决策。