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[参考译文] AM5718:去耦电容器建议

Guru**** 2548000 points
Other Parts Discussed in Thread: AM5718

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/processors-group/processors/f/processors-forum/603110/am5718-decoupling-capacitors-recommendations

器件型号:AM5718

http://www.ti.com/lit/ds/sprs957d/sprs957d.pdf 中 关于 PDN 实施指南的第8.4章规定:" TI 仅支持遵循 http://www.ti.com/lit/pdf/spraby8 应用报告中所含电路板设计指南的设计。

本报告介绍的是 AM572x MPU、而不是 AM571x MPU。 不是一个大问题、但更重要的问题是表2中有关去耦电容器的建议。

电压 100nF 220nF 470nF 1 μ F 2.2 μ F 4.7 μ F 22 μ F
VDD_MPU 12. 2. 2. 3. 1 1 1

这些建议与  http://processors.wiki.ti.com/index.php/General_hardware_design/BGA_PCB_design/BGA_decoupling 上 的建议不完全一致,该建议指出:

"基于电容器的值通常不同、造成的伤害比良好的伤害更大(由于上面列出的谐振可能性)、 而对于较新的电容电介质、较大值的电容具有几乎相同的高频阻抗、与相同尺寸的较小电容值相同。我们建议在贵公司可制造的最小封装中仅使用一个值0.1uF-0.2uF (这应该是0402大小或更小)。  "

还是将大于100nF 的电容器视为大容量电容器?

无论如何、值得注意的是、AM5718参考设计(http://www.ti.com/lit/df/sprr242/sprr242.pdf)肯定不会遵循上述 建议。

TI 内部的不同学校?

此致

/F

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    已通知 PDN 专家。 他们将在这里作出回应。
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    Fredda、
    感谢您的反馈。

    不可能提供一个总括"使用 x 值上限 Y 数字、您的电路板将始终满足 PDN 要求"。 成功实现复杂的 PCB + SoC 所涉及的变量太多、无法做出这种决定、因此我们提供基于成功设计的 SoC 要求和通用指南、作为 PCB 设计人员的起点。 在某些情况下、通过我们自己的内部测试和仿真、我们发现某些电路板可能需要偏离这些通用指南来优化性能、这正是您在尝试比较不同 PCB 设计时看到的结果。

    请看 SPRAC76...it、这是对同一 SoC 但在不同 PCB (AM572x IDK)上的 PDN 分析。 静态和动态 PCB 要求是相同的、但电路板的预晶振仿真表明、为了满足相同的 SoC 要求、必须更改 AM572x GP EVM 的电容计数/值。 这进一步说明了在制造前对每个 PCB 设计进行仿真非常重要的原因。
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    感谢您的回答。 我希望通过遵循一些设计规则而无需进行 PDN 仿真、但我想这有点天真。

    但我仍然怀疑 AM5718参考设计的设计人员属于"老派"、其出发点是使用多种不同的去耦电容值。 在本例中、PDN 仿真表明设计满足要求、并且没有谐振。 如果与使用相同去耦电容值作为起点的设计进行比较、会很有意思。 嗯、只是从我的角度猜测...

    此致
    /F