我们有一款使用 AZWTA 的成熟产品、我们从2007年左右推出了 DVFlasher 1.14的修改版本和相关的 UBL。 我们根据定制硬件的需要对其进行了修改、并已使用此配置多年。 我们尝试更新到 BZWTA、并在加载和引导 NAND 闪存时遇到一些问题。
首先、我尝试通过修改 makefile 中的 padding 选项来调整 UBL 大小。 我尝试删除所有填充、并将其大小调整为12KB 和13.5KB。 在所有情况下、我在擦除 NAND 闪存时都得到超时：
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用于 DM644x 的 TI DVFlasher 主机程序
(C) 2007、Texas Instruments、Inc.
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用 u-boot.bin 刷写 NAND。
正在尝试连接到设备 COM6。。。
按任意键可随时结束此程序。
正在等待 DVEVM...
收到 BOOTME 命令。 正在返回 ACK 和标头...
ACK 命令已发送。 正在等待开始命令...
DVEVM：开始
已收到开始命令。 正在发送 CRC 表...
CRC 表已发送。 正在等待完成...
已接收。 正在发送 UART UBL 文件...
已接收。 接受 UART UBL 文件。
UART UBL 发送成功。
DVEVM：FFFFFFFF DDR2内存在位置0失败
DVEVM：TI UBL 版本：2.00、闪存类型：NAND
DVEVM：引导 PSP 引导加载程序
DVEVM：PSPBootMode = NAND
警告！ DM644x 未处于 UART 引导模式！
仅当您确定正在执行的操作时、才继续。
继续(是/否)？ Y
正在等待 DVEVM 上的 UBL ...
收到 UBL 的 BOOTPSP 命令。 正在返回 CMD 和命令...
发送的 CMD 值。
SENDUBL 已接收。 正在返回 UBL 数据的 ACK 和标头...
ACK 命令已发送。 正在等待开始命令...
接收到 UART UBL 的 BEGIN 命令。 正在发送闪存 UBL 代码...
闪存 UBL 代码已发送。 正在等待完成...
已接收。 接收到所有字节的闪存 UBL 代码...
已接收。 闪存 UBL S 记录已正确解码。
DVEVM：正在初始化 NAND 闪存...
DVEVM：制造商 ID = 0x00000020
DVEVM：器件 ID = 0x00000036
DVEVM：每块页数= 0x00000020
DVEVM：块数= 0x00001000
DVEVM：每页字节数= 0x00000200
DVEVM：将 UBL 写入 NAND 闪存
DVEVM：标头和数据所需的块数：0x00000001
DVEVM：尝试在块编号0x00000001中启动。
DVEVM：取消保护块0x00000001至0x00000001。
DVEVM：擦除块0x00000001至0x00000001。
DVEVM：NANDWaitForRdy()超时！
接下来，使用12KB UBL，我更新了 NAND_EraseBlocks()中对 NAND_WaitForRdy (NAND_TIMEOUT)的调用，将超时增加到10*NAND_TIMEOUT。 这会导致我的所有超时错误消失、并且我的所有刷写步骤似乎都正常工作。 但是、在重置达芬奇时、我发现 UBL 不会引导、RBL 继续打印"BOOTME"。 我尝试擦除 NAND 并重试、但发现 U-boot 已正确刷写、当从串行端口加载 UBL 时、它会引导 U-boot 而不是打印"BOOTPSP"。 我必须使用"nand erase clear"从 U-boot 中擦除 NAND、但在多次尝试和不同的硬件上也发生了同样的情况。
由于迁移指南仅提到引导加载程序大小是一个问题、我发现了延迟问题、我想知道是否有其他 UBL 更新被认为存在。 我们不想对这个成熟的产品和相关的构建/加载机器进行重大更改、因此我希望可能有一个补丁可以应用到 U-boot、而不是尝试为我们的定制硬件提供新的闪存实用程序。
UBL 是否需要进行任何其他已知更改才能使用新的芯片版本从 NAND 闪存启动？
