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器件型号：PROCESSOR-SDK-AM62X 大家好、TI 团队、
我们现在正在为项目选择 NAND 闪存、但我很重要的是、TI AM62X 处理器的 ROM 引导加载程序存在一个限制、即串行 NAND 仅支持单平面 NAND。 因此、我们联系 NAND 闪存的供应商。 但很难找到采用单平面架构的2Gb 串行 NAND 闪存。
但是、当我们联系 Micron 时、Micron 的 FAE 就这个主题给出了不同的答案、他们向我们确认单平面架构和多平面架构是用户透明的内部机制之一、 这意味着我们不需要考虑单平面或多平面架构、因为在使用它们时它们完全相同、我们不需要做额外的工作来切换平面、 块编号嵌入在闪存存储器地址中、 例如、对于2平面 NAND 闪存、当位为0时、它是平面#1、例如、当位为1时、它是平面#2、因此当块编号增加时、该位将在0和1之间变化、例如、现在我们访问块#15 (0b0000001111、 替换平面位的最低位为1)、因此它正在访问平面#2、 接下来、当我们需要访问从#15到块#16 (0b0000010000)的下一个块时、最低位为0、这意味着要访问的平面现在为#1、因此当您增加地址时、平面会自动切换。 此地址布局在串行 NAND 闪存或并行 NAND 闪存之间是相同的。
根据 Micron 的信息、如果单平面串行 NAND 闪存和并行单平面或多平面 NAND 闪存工作、多平面串行 NAND 闪存也应该工作。 这与 TI 声明 串行 NAND 仅支持单平面 NAND 的声明相冲突。
那么、我需要知道 TI 为什么说不支持多平面串行 NAND 闪存？ 在我们对闪存进行最终选择之前、我们将等待这一过程。
谢谢、BR
